资讯
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动(2024-09-29)
效率等优秀特性，用于制造微波频率集成电路，单片微波集成电路，红外发光极管，激光二极管，太阳能电池和光学窗口等设备。
图片来源：wikipedia
按照材料特性，砷化镓可分为导电型砷化镓和半绝缘砷化镓......
又贵又强的砷化镓电池 未来能便宜点吗(2024-04-10)
要150微米以上的厚度，而砷化镓却只需要5至10微米。
这带来的好处就是，用砷化镓制成的太阳能电池，在质量上可以大大减轻，这正是航天发射所青睐的。
即使是成本最低的、可重复使用的SpaceX猎鹰9号火......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
圆和大量射频硅代工厂。因此，它很快就会以价格为竞争优势对抗现有硅和砷化镓技术，理所当然会威胁它们根深蒂固的市场。
碳化硅衬底氮化镓： 这是射频氮化镓的“高端”版本，SiC衬底氮化镓可以提供最高功率级别的氮化镓......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
在一定范围内调节，是一种灵活的半导体材料。
“通过调节铝的组份，氮化铝镓可以实现不同的禁带宽度，范围在氮化镓的3.4 eV到氮化铝的6 eV之间。通过合适的比例，可以获得特定的禁带宽度，发射......
天线内置毫米波雷达极具成本、尺寸与性能优势，或降维打击超声波和红外方案(2023-01-08)
特兰全球最早量产的天线内置多通道毫米波雷达SoC，基于CMOS工艺（即硅工艺），可以把成本降低到砷化镓工艺的五分之一。
9月23日，加特兰微电子（以下简称“加特兰”）举行媒体会，介绍......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓......
解读射频前端，5G的必争之地(2016-12-26)
广泛应用于手机/WiFi 等消费品电子领域，其射频性能虽略逊于氮化镓射频器件，但成本和良率方面存在相对优势，完全可以满足民用需求；
GaN PA 具有最高的功率、增益和效率，但成本相对较高、工艺成熟度低于砷化镓芯片......
氮化镓取代碳化硅，从PI开始？(2023-11-13)
Balu Balakrishnan此前就在公开场合说过，PI实际上投入过数千万美元进行碳化硅的研究，但最终还是转向了氮化镓。
Jason解释道，氮化镓可以使用硅基工艺，同时晶圆尺寸更大，相比......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺(2024-04-10 14:07)
线通信应用，并向着更高频率的应用投入研发资源。砷化镓PHEMT是三安集成的另一工艺体系，目前已进展到0.1um的工艺节点，可以满足客户在Ka至W波段的高频应用，实现良好的信号强度和低噪声系数。成熟的P25工艺......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺(2024-04-10)
线通信应用，并向着更高频率的应用投入研发资源。
砷化镓PHEMT是三安集成的另一工艺体系，目前已进展到0.1um的工艺节点，可以满足客户在Ka至W波段的高频应用，实现良好的信号强度和低噪声系数。成熟的P25......
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工(2024-02-29)
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工;菏泽市牡丹区吴店镇消息显示，2月26日，吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。
据悉，菏泽市牡丹区砷化镓......
高通PA杀入供应链，大补贴抢市场吓慌Skyworks(2017-08-02)
代的多模功率放大器（MMPA）已经全部放弃了原先的CMOS工艺，转向了性能稳定的砷化镓工艺，比如QPA5460。不考虑在市场上和竞争厂家产品博弈的因素，至少其性能已经完全可以......
摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓(2023-03-27)
都表现出了相当的渗透力。1.GaN在5G方面的应用射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。与砷化镓......
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目完成竣工验收(2025-01-14)
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目完成竣工验收;据珠海建安消息，近日，格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目顺利通过竣工验收。
消息称，格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目总投资33.87亿元，被认......
总投资60亿元的先进化合物半导体项目落户江苏宜兴(2022-03-16)
科技先进化合物半导体材料及元器件项目总投资60亿元。
项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
3家半导体厂商正式闯关科创板(2022-01-11)
电信、AT&T等国内外知名运营商网络中，已成为国内领先的光芯片供应商。
北京通美：规划实现新产品8英寸砷化镓衬底量产
招股说明书显示，北京通美此次拟募集资金11.67亿元，扣除发行费用后将按轻重缓急顺序投资砷化镓......
60亿元德融科技先进化合物半导体材料及元器件项目落户宜兴(2022-03-15)
正式落户宜兴经济技术开发区。
据悉，该项目总投资60亿元，项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地设备进机(2024-08-06)
力集团为华芯半导体定制化开发建设的5.0产业新空间。此次实现设备进机的格创·华芯砷化镓晶圆生产基地主体工程项目——华芯微电子首条6寸砷化镓晶圆生产线，主要生产化合物半导体微波集成电路（MMIC）及VCSEL 芯片，建成后将成为广东省内首家砷化镓......
光电子先导院亮相第25届中国国际光电博览会(2024-09-11)
子先导院”）已连续八年参展。在时间沉淀与创新升级中，该公司已经具备砷化镓（GaAs）基化合物光电芯片研发、中试代工、检测等全流程技术服务能力，已经开发了基于砷化镓材料的VCSEL（垂直腔面发射激光器）单孔......
全磊光电化合物半导体外延片项目在厦门开工(2025-01-15)
国内还有多个化合物半导体项目刷新进度。
·芯辰半导体
12月16日，芯辰半导体外延设备已投产，覆盖砷化镓（GaAs）及磷化铟（InP）光芯片四元化合物全材料体系。此外，相关外延片已获客户长期合作订单，其中砷化镓......
华为哈勃持股23.91%，年产能15万片的化合物半导体项目投产(2022-04-25)
（2021—2025年）》中明确提出，积极发展化合物半导体，提升砷化镓、磷化铟等第二代化合物半导体材料制造能力、产能和化合物半导体芯片生产线良品率，发展激光器芯片、光电器件等产品。
同时，相关......
德州仪器进军中压氮化镓，进一步替代传统硅基市场(2024-03-12)
高开关频率低功率损耗的特性。比如针对精密伺服系统，氮化镓可以减少电路尺寸，提高转矩并减少纹波。而对于D类音频放大器，氮化镓可以提高工作频率保持高效率的同时，降低信号的失真度。
而为了充分体现氮化镓......
总投资超100亿，多个化合物半导体项目签约浙江台州(2021-07-29)
由广州东方南粤基金管理有限公司与中国二冶集团有限公司共同投资开发，计划总投资100亿元，用地500亩，一期用地200亩。
该项目计划在台州湾数字经济产业园建设锗硅、砷化镓第三代化合物半导体芯片项目，产品广泛应用于通讯、汽车......
巨光东来第三代砷化镓太阳能电池项目签约天津(2024-10-31 14:17)
巨光东来第三代砷化镓太阳能电池项目签约天津;由北京、天津、河北三省市联合举办的2024京津冀产业链供应链大会于10月24日至25日在国家会展中心（天津）举办。
京津......
GaN将成PA主流技术，这家公司恐成最大赢家(2017-07-27)
回程网络等相关组件，同一时段CAGR各为12.5%、5.3%。 再者，鉴于效能较高、体积较小且稳定性较佳，砷化镓(GaAs)、GaN等固态技术将在国防应用上逐渐取代真空管，提供RF功率组件更多发展机会。 Yole预期......
34亿！华芯珠海砷化镓晶圆生产基地项目竣工(2025-01-13)
34亿！华芯珠海砷化镓晶圆生产基地项目竣工;1月9日，据珠海建安消息，由珠海建安承建的格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目近日通过竣工验收。
据悉，由华芯微电子主导的格创·华芯砷化镓......
立昂微：加码微波射频芯片，拟斥5亿设立海宁子公司(2021-01-04)
公司”)，注册资本为5亿元人民币，专项负责推进、实施所投资项目。
据介绍，微波射频集成电路芯片项目总投资约43亿元人民币，其中设备投资36.05亿。建成后，年产36万片6英寸砷化镓/氮化镓微波射频集成电路芯片......
射频从业者必看，全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读(2017-02-08)
射频从业者必看，全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读;
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2010 年起因为从2G 进入3G 时代(2010~2013......
砷化镓智能应用芯片、纳米车灯芯片等项目签约山西太原(2022-09-27)
砷化镓智能应用芯片、纳米车灯芯片等项目签约山西太原;据太忻一体化消息，9月24日，太忻一体化经济区（太原）专场推介会在山西太原举行，晋台有关单位、企业现场签约10个合作项目，总投资额64亿元，涉及......
英国格拉斯哥大学将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性表面(2022-07-19)
英国格拉斯哥大学将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性表面;据科技日报7月17日报道，英国格拉斯哥大学科学家找到一种新方法，可以将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性塑料表面，所得......
Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器设计(2020-02-25)
动汽车性能和效率方面发挥着重要作用。氮化镓可以显著提高开关速度和效率，堪称一项推动性的技术。除了增加行使里程，它还有助于缩小逆变器的封装尺寸并减轻重量，从而提供更大的动力系统设计灵活性，并有助于减轻车辆重量。从系统层面看，该设......
国内两条芯片生产线新进展(2024-11-20 11:06:14)
，国内两条芯片生产线传来新进展：广东华芯微电子首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通；陕西芯业时代8英寸......
长光华芯拟投资10亿元新建先进化合物半导体光电子平台项目，计划2023年开工(2022-12-28)
化合物半导体光电子平台项目将形成年产1亿颗芯片、500万器件的能力，具备氮化镓、砷化镓、磷化铟等激光器和探测器芯片的产线建设及器件封装能力，具备其他高功率半导体激光器芯片等功率芯片研发、封测能力（包括6-8寸器......
中金岭南韶关冶炼厂成功自主合成砷化镓多晶(2023-06-09)
中金岭南韶关冶炼厂成功自主合成砷化镓多晶;据广东国资消息，近日，广晟集团控股上市公司中金岭南所属韶关冶炼厂在稀贵金属绿色回收与提取实验室半导体衬底材料中试团队的努力下，韶冶厂成功自主合成第一炉砷化镓......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
想要做第四代中最强的半导体，单有禁带宽与耐高压是不够的。
氧化镓可以通过掺杂的方法，在氧化镓中加入电荷载流子，使其更具导电性。而且这个掺杂与硅材料掺杂有极大相似性。对于硅，可以......
“半导体口粮”出口管制影响多大？上市公司回应来了(2023-07-05)
证券一份研报分析，三五族化合物泛指由元素周期表的三族与五族元素构成的合金化合物，如砷化镓（GaAs）、砷化铟镓（InGaAs）等。三五族化合物具有直接带隙，进而电子在高低能级间跃迁时效率更高，进而使芯片......
立昂微：看好功率半导体及硅片下游客户的需求 已与部分12英寸硅片客户签订长约(2022-03-18)
国晶半导体生产的主要产品为轻掺抛光片，与公司子公司金瑞泓微电子具有优势的12英寸重掺硅片产品在技术路线上存在互补性，可实现资源共享，提高公司在集成电路用12英寸存储、逻辑电路用轻掺硅片的市场地位。
据了解，立昂微子公司立昂东芯目前主营业务为砷化镓射频芯片......
Coherent拟扩建全球首个6英寸磷化铟生产线(2024-12-13)
英寸过渡，以充分利用大尺寸晶圆、更高产量及更优性能等的优势，巩固其在通信和传感领域的可持续竞争力。
除了InP，Coherent今年在碳化硅（SiC）与砷化镓（GaAs）领域......
小米做处理器，能重演华为的成功么(2017-02-08)
使用高通处理器。
研发处理器，到底难在哪？
上面举了两个手机厂商做芯片的例子，华为经过了几代产品的迭代更新，中兴知道现在还没做出成品，近成立两年的松果科技就可以研发出一套成熟可行的手机芯片吗......
从2G走到5G，从性能走到可靠性，2023年国产射频赛道格局初定(2023-02-23)
滤波器/双工器的研发，后面进入到砷化镓射频PA研发。
2015年5月，飞骧科技成立，成为一家专注射频前端芯片......
三安集成携射频前端整合解决方案首次亮相MWC巴塞罗那展(2024-03-01 09:10)
制造，细分为砷化镓射频代工、滤波器、先进应用封装三条产品线。在被喻为5G-A商用元年的2024年，网络连接的数字化、智能化进一步深入发展，对射频前端芯片制造的标准提出了更高的要求。三安......
三安集成携射频前端整合解决方案首次亮相MWC巴塞罗那展(2024-02-29)
集成现已成为三安光电旗下专注射频前端整合解决方案的公司，主营业务为射频前端芯片制造，细分为砷化镓射频代工、滤波器、先进应用封装三条产品线。在被喻为5G-A商用元年的2024年，网络连接的数字化、智能化进一步深入发展，对射频前端芯片......
三安集成携射频前端整合解决方案首次亮相MWC巴塞罗那展(2024-03-05)
集成现已成为三安光电旗下专注射频前端整合解决方案的公司，主营业务为射频前端芯片制造，细分为砷化镓射频代工、滤波器、先进应用封装三条产品线。在被喻为5G-A商用元年的2024年，网络连接的数字化、智能化进一步深入发展，对射频前端芯片......
广东省重点项目：华芯微电子第一片6寸晶圆成功下线(2024-11-20)
广东省重点项目：华芯微电子第一片6寸晶圆成功下线;
11月19日消息，据珠海高新区公众号，近日珠海华芯微电子有限公司首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通，并成功生产出第一片6寸2um砷化镓HBT晶圆......
最新回应！事关“芯片新粮食”出口管制(2023-07-04)
最新回应！事关“芯片新粮食”出口管制;对此，中国外交部发言人毛宁表示：“关于你提到的这个问题，中国商务部已经发布了公告，你可以查阅。我想说的是，中国始终致力于维护全球产供链的安全稳定，始终......
三安光电半年报披露与ST合资等重大项目进展(2023-08-08)
个百分点。
（1）、射频前端：
砷化镓射频产能为 15,000 片/月，能够为客户提供高品质的 HBT、pHEMT 等先进工艺芯片 代工服务，可覆盖频段已延伸至 Ka 频段，客户......
拟投资不低于100亿元，这家化合物半导体厂商推动新项目落地(2021-09-23)
资已超过25亿，是国内首家提供6吋砷化镓/氮化镓半导体集成电路晶圆制造的芯片制造企业，已完成包括砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）及磷化铟（InP）在内的6大类......
5G推动射频革命，中国厂商需奋起直追(2017-08-01)
放大器将成为超高频通信领域的首选。
另一方面，砷化镓PA 芯片是目前市场主流，出货占比占9 成以上。在2G 时代，PA 芯片主要采用CMOS 工艺，而进入3G 时代，生产工艺转向电子迁移率更高、截止频率更高的砷化镓......
性能比硅优越的半导体材料，立方砷化硼取得研究进展(2022-07-25)
理工学院研究人员首次取得重要科学进展，于实验中发现立方砷化硼晶体为电子、电洞提供高载流子迁移率，扩大该材料于商业领域的潜在用途，比如提高CPU速度。
硅、砷化镓等材料具有良好的电子迁移率，但电......
相关企业
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
;兴达科技股份有限公司;;现货供应； 1) 38MIL 白光芯片。可以做到100LM以上 2) 850NM 0.5W 1W 和940NM 0.5W 1W红外芯片 730nm 1W芯片 3）58MIL
;兴达科技有限公司--半导体事业部;;现货供应； 1) 38MIL 白光芯片。可以做到100LM以上 2) 850NM 0.5W 1W 和940NM 0.5W 1W红外芯片 730nm 1W芯片 3
;深圳市阿法迪科技有限公司;;深圳市阿法迪科技有限公司主要加工及代理Impinj M4芯片，Indy R2000芯片，用Impinj M4芯片可以做成RFID电子标签；用Indy R2000芯片可以做
;北京闻亭泰科技术发展有限公司（深圳）;;TI的第三方，做芯片仿真器和开发板
善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓霍尔元件及其衍生产品、锑化铟霍尔元件、GPS传感器、光电器件等，其中砷化镓霍尔元件拥有自主知识产权、获得
务范围包括：磁敏、光电、新型元器件、传感器的研发和销售。 公司引进了国际先进的半导体技术，匹配全套芯片和后道封装生产设备，以完善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓
信的生产厂家及军工等领域的科研院所。公司主要同美国、欧洲、韩国、台湾的著名微波、毫米波、光电子零部件生产厂家合作，为国内广大生产企业及科研院所提供超优性价比及最稳定、快捷的供货保证。 公司主营：微波、毫米波（砷化镓场效应管、砷化镓
;深圳市和一电子商行;;主营电脑与周边芯片，本公司不只做全新原装，本着不害人的心态，什么货就报什么货，可以做那么大家可以试着合作，合理的要求双方可商讨。一言九鼎！
anadigics;;;ANADIGICS成立于1985年，总部位于新泽西州华伦市。主要生产高性能砷化镓集成电路，为宽带和无线通讯市场设计生产射频IC。ANADIGICS公司生产的射频IC使通