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确召回曲线下面积和96.9%的最高准确率。 此外，自动表征工具显著加快了表征过程，计算200个样品的带隙仅需6分钟，检测降解仅需20分钟，而传统方法分别需要510分钟和数小时或数天。 应用 该工具在半导体材料......
民币，占比21.3%，同比下降29.8%。 半导体材料投资金额为668.1亿人民币，占比12.6%，同比下降55.8%。 封装测试投资金额为701.9亿人民币，占比13.6......
上海微系统所在Nature Electronics报道新型碳基二维半导体材料基本物性研究重大进展;以石墨烯为代表的碳基二维材料自发现以来受到了广泛关注。然而，石墨烯的零带隙半导体......
械臂、飞行器等多个工业领域。其应用的范围也在不断地普及和深化，是一种应用 前景非常广泛、非常具有价值的材料。 第三代半导体材料禁带宽度远大于前两代。第一代和第二代半导体都是窄带隙 半导体，而从第三代半导体......
铝镓等，都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看，锑化物属于窄带半导体，而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。新一代半导体材料，将一路向宽，还是一路向窄？ 超宽禁带半导体：“上天......
SiC和GaN等半导体材料带入飞机是脱碳飞行的重要一步，目前空客正在探索一种混合动力电力推进的技术，用于提升飞机的能源利用效率的同时，并将二氧化碳的排放降低。而SiC和GaN等宽禁带半导体......
能够拓展非平衡态物理知识的前沿，还将为未来新型、高速器件的开发和应用奠定重要的科学基础。 在材料体系方面，该研究组巧妙地选取黑磷这个具有小带隙、高迁移率的经典半导体材料。通过......
种算法还产生了一个可以衡量每个样本耐久性的指数。 新算法带隙和稳定性的测量准确率分别为98.5%和96.9%，与专家的手动测量相比速度快85倍。 研究人员计划将这项技术整合到全自动材料筛选系统中，其应用将涵盖半导体材料的多个领域。 提速......
释放出市场趋于理性的信号。此外，国内晶圆厂建设加速为国产半导体设备和材料带来增长动力，未来随着技术创新突破、国产替代加速，国内半导体产业将持续向上发展。 附半导体行业内部资金细分流向： 2024 年 1-6 月中国半导体......
特性产生重大影响。 据介绍，立方砷化硼对电子和空穴也有很高的迁移率，该材料有一个非常好的带隙，这一特性赋予了它作为半导体材料的巨大潜力。众所周知，已经成熟商用的硅材料具有良好的电子迁移率，但其......
、III-V类和II-VI类化合物半导体材料都具有宽带隙。这些材料通常用于光子学、发光二极管和激光器，只有少数适用于更广泛的半导体应用。其中，碳化硅(SiC) 和氮化镓(GaN) 是两种出色的宽带隙半导体......
期这样做的努力产生了不一致的结果。边缘位错、三角缺陷和其他问题减缓了 SiC 作为半导体的商业化，尽管它有许多潜在的应用，但它的使用仍然相对较少。 但是，是什么让 SiC 成为如此有效的半导体呢?作为一种宽带隙半导体材料......
，与传统的硅（Si）半导体相比，化合物半导体通常具有更高的电子迁移率、更宽的能带隙以及更好的热稳定性和辐射耐受性等特性，适用于对高速度、高频率、高温环境和高效率有特殊要求的应用场合。化合物半导体材料......
其性能可以置于不断发展的精密工艺控制之下，可谓是“最有料”的材料。在不久的将来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料的应用，无论是在军用领域还是在民用市场，都是......
首款国产碳化硅晶体生长设备在中国，电动汽车和诸多新兴行业的蓬勃发展为碳化硅衬底材料带来广阔机遇。碳化硅半导体材料的生产技术日渐成熟稳定，并已形成相当的工业规模。作为最早将碳化硅晶体设备引入中国市场的企业之一，德国......
。 据悉，石墨烯是由已知最强的键连接在一起的单片碳原子。半导体是在特定条件下导电的材料，是电子设备的基本组件。石墨烯电子学中长期存在的问题是石墨烯没有合适的带隙，并且......
经是业界共识。事实上，由于在已知材料中电阻率最小、导热系数最高，所以石墨烯被认为是最理想的电极和半导体材料，其最佳、最具潜力的应用是成为“硅”的替代品，用来制造超微型晶体管，生产......
）晶圆供应协议。这家总部位于德国的半导体制造商以此进一步拓宽碳化硅这一战略性半导体材料的供应渠道，并满足该领域强劲增长的客户需求。该协议还将支持英飞凌的多源采购战略并提高公司的供应链弹性。目前......
的代表。目前，各国的半导体企业都争先恐后布局，氧化镓正在逐渐成为半导体材料界一颗冉冉升起的新星。 公开资料显示，氧化镓拥有超宽带隙（4.2-4.9eV）、超高......
成立于 2015 年 3 月，位于加利福尼亚州硅谷，专注于节能、高性能宽带隙 (WBG) 半导体材料和设备解决方案。该公司开发的QST衬底具有与GaN相匹配的CTE，由多晶氮化铝陶瓷芯构成，并附......
SiC为何会突然流行，哪些应用在推动需求？;碳化硅(SiC)在各行业的应用已经有数百年历史。如今，它作为半导体材料比以往任何时候都更受市场的欢迎，这主要得益于它在工业领域的广泛应用。 在本文中，我们......
（WBG）半导体，具有不同的性能特性，适合于不同的目标应用。半导体材料的选择不仅取决于需要降低成本或缩小应用程序的尺寸。越来越多的设计师正在寻求以创造性的方式使用和结合半导体材料，以减少材料......
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？;2月20日，据日刊工业新闻报道，电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。 据了......
发一种光隔离的功率集成构建模块，该构建模块将增强对电力电子转换器的控制，从而实现更高效、更可靠的电网。 （(奖励金额：306万美元） 佐治亚理工学院（佐治亚州亚特兰大）将利用宽带隙 III 族氮化物材料开发一种新型半导体......
中红外光电集成技术利用先进成熟的CMOS工艺，将微电子和光电子集成在硅芯片上，可满足中红外光子学发展的需求。 锗锡是Ⅳ族硅基半导体材料，通过调节合金的组分配比，其光学带隙可延伸至中波红外，是制备硅基中红外光电子器件的理想材料......
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？;2月20日，据日刊工业新闻报道，电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。本文......
于混合动力飞机和全电动城市飞行器。 据悉，双方已经对探索宽带隙半导体材料对飞机的好处进行了全面的评估，SiC/ 等有助于开发更小、更轻、更高效的高性能电子器件和系统，特别是在需要高功率、高频或高温操作的应用中。 此次......
伏特以上，也有人称之为第四代半导体材料。 表1横向对比了各种半导体材料的性能数据，可以看出，氧化镓拥有超宽带隙（4.2-4.9eV）、超高临界击穿场强（8MV/cm）、超强......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！;新能源汽车大势之下，以碳化硅为代表的第三代半导体发展风生水起。与此同时，第四代半导体也在蓄势待发，其中，氧化镓（Ga2O3）基于其性能与成本优势，有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料......
进行切割，其优化衬底已经非常成熟，一年来该公司更将重点转向了5G和汽车行业的战略布局，特别是在开发第三代宽带隙半导体材料方面获得了长足进展 何为衬底、晶圆？ 晶圆......
”），一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高......
是激发电子使之从束缚状态释放到自由状态以进行导电所需的最小能量（表 1）。 表 1：区分宽带隙半导体（如 GaN 和 SiC）与硅半导体的关键属性摘要。（表格来源：Art Pini） 用宽带隙半导体制造的器件相比传统半导体材料（如硅）具有......
）晶圆供应协议。这家总部位于德国的半导体制造商以此进一步拓宽碳化硅这一战略性半导体材料的供应渠道，并满足该领域强劲增长的客户需求。该协议还将支持英飞凌的多源采购战略并提高公司的供应链弹性。目前......
衬底上研发出高性能、低成本的微波-直流转换芯片。通过探索新型半导体工艺、先进封测技术来提高芯片稳定性、可靠性，团队有信心整体性能达到国际前沿水平。 目前，江南大学建有宽带隙/超宽禁带半导体材料......
争解决方案相比，新设备的功耗降低了 30%，碳足迹降低了 30%。系统制造商对提高其设计的电源效率越来越感兴趣；能源效率和降低成本的结合对于市场领导地位变得至关重要。从半导体材料的角度来看，这一......
动力电子转换器和电动执行器系统将需要在热发动机附近承受高温。同样，电动汽车的温度也可能在很宽的范围内变化。功率器件在恶劣环境中工作的能力对于许多新兴工业应用至关重要。幸运的是，与硅器件相比，第三代半导体材料......
资金将主要用于产品研发以及产品销售等方面。 氮矽科技成立于2019年，公司主要研发基于第三代半导体材料氮化镓（GaN）的芯片，专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供。目前，氮矽科技的功率氮化镓产品已批量出货，主要......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路; 【导读】如今的消费类电源市场，要说「几乎人手一个氮化镓快充充电器」并不过分吧？从 2018 年前后开始，氮化镓快充充电器进入国内市场，随后便开启了第三代半导体材料......
放大器和前端模块产品组合，该公司表示将为无线基础设施、军事和卫星通信应用开发新的GaN器件产品线并实现商业化.... 从本质看，三代半魅力何在？ 第一代半导体材料以Si（硅）、Ge......
探测器大多采用以下三种工作机理：光导效应、光栅压效应和光伏效应。与经典的半导体材料相比，二维材料易于调控，主要表现在四个方面：（1）能够实现应力调控。（2）带隙可调。（3）栅压可调。（4）掺杂可调控。 三种......
基础知识之SiC功率器件;SiC半导体 1. SiC材料的物性和特征 SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且......
市场前十榜单。 一 材料：8英寸产品不断开出，国产替代卓有成效 展会现场展出了许多半导体材料，如美科瑞先进材料带来了多款抛光液，容大感光、科华、宁波南大光电均展出了光刻胶等材料，第三代半导体材料......
高效地满足数据中心不断升级的能源需求。英飞凌将硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）三种半导体材料集成到单一模块中，正是这项专业技术使这一开发工作成为可能。因此，我们的 PSU 产品......
、SiC 和 GaN 三种半导体材料的独特组合。这项技术有助于提升AI服务器和数据中心系统的可持续性与可靠性。基于SiC 和 GaN 等宽带隙材料的创新半导体......
凌为AI提供动力。我们正在解决这个时代的一大关键问题——如何高效地满足数据中心不断升级的能源需求。英飞凌将硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）三种半导体材料集成到单一模块中，正是......
密度高、材料供应链受限等难题，半导体制造商正在积极解决这些问题。 宽禁带半导体的技术优势 GaN和SiC的特性使其优于传统硅(Si)，比如它们具有更宽的带隙，这意味着有更高的击穿电压、更出色的热稳定性、更稳......
功率器件在功率转换应用中充当开关电源——处于“关断”状态阻断电流，即使在施加的电压很高时也是如此；处于“导通”状态时，对电流的流动阻力要非常小。因此，功率半导体材料需要具有高击穿电场和高电荷迁移率。电力......
领域“半导体照明”和“第三代半导体材料”重点专项。目前国内已形成完整的LED产业链，LED产能稳居世界前列。 LED衬底主要包括蓝宝石衬底(Al2O3)和砷化镓衬底(GaAs)，蓝宝......
替代卓有成效 展会现场展出了许多半导体材料，如美科瑞先进材料带来了多款抛光液，容大感光、科华、宁波南大光电均展出了光刻胶等材料，材料厂商也非常多，天岳先进携其高品质6英寸、8英寸碳化硅衬底产品亮相展会；天科......
封装、半导体材料、半导体设备、MEMS传感器、IGBT等细分领域，其中不乏有很多明星企业的身影，如日月光、英飞凌、天岳先进、容大感光、沪硅产业、晶盛机电、士兰微、长飞先进、芯联集成等。 从已......

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