资讯
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2023-01-03)
导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温下使用，甚至超过 200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻，这是高压功率器件的关键因素。本文引用地址：
一、前言......
计算机视觉加速半导体分析(2024-06-18)
显示出复杂的成分依赖特性，如带隙和降解。
该研究使用高通量喷墨打印平台在一小时内将200个独特的钙钛矿样品沉积在玻璃基板上，创建了甲脒（FA）和甲基铵（MA）阳离子的组成梯度。这些样品具有可变的形态，与现......
24.5%！我国科研团队刷新大面积全钙钛矿光伏组件光电转化效率世界纪录(2024-02-26)
不同的子电池堆叠而成，窄带隙子电池能够吸收宽带隙子电池吸收不了的光，理论上，叠层组件的光电转化效率应该更高，21.7%这个结果显然不能令人满意。”论文共同第一作者、南京大学2019级直......
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项(2023-09-22)
时间和温度、稳定性、寄生电感等。同时，将和大家探讨不同类型的栅极电阻及其在该应用中的优缺点。本文引用地址：宽带隙半导体器件的优势
设计出色功效的电子应用时，需要考虑使用新型高性能氮化镓 (GaN) 和碳......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2022-12-30)
导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温下使用，甚至超过 200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻，这是高压的关键因素。
二、碳化......
Coherent拟扩建全球首个6英寸磷化铟生产线(2024-12-13)
都有不同程度进展。
·碳化硅领域
2024年4月，Coherent基于CHIPS法案获得1500万美元的资金，用于加速下一代宽带隙和超宽带隙半导体（分别为碳化硅和单晶金刚石）的商业化。
9月26日......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
（Si）基功率器件长期以来一直主导着市场，但由于较低的带隙和电击穿场，其性能已达到极限。因此，开关频率、阻断电压和工作温度存在限制。
随着采用宽带隙（WBG）材料设计的革命性新器件的引入，可以......
我国科研团队成功突破新型太阳能电池制备难题(2024-08-05)
’成宽带隙的钙钛矿薄膜。但由于钙钛矿材料里的组分多样、晶种相态复杂，导致‘长’出的薄膜不均匀。”北理工前沿交叉科学研究院教授陈棋说，团队创新提出宽带隙钙钛矿结晶控制策略，在前驱液中添加长链烷基胺，促使......
隆基绿能国产钙钛矿电池转化率跻身世界前三(2023-05-24)
表中国在该项电池技术领域的最高水平。
据了解，叠层电池的原理是宽带隙顶部电池吸收高能量光子，窄带隙底部电池提高光子利用率，二者合作能突破单结电池的理论效率极限，理论转化效率高达40%+，因此转化效率可突破传统的天花板。
而且......
上海微系统所在Nature Electronics报道新型碳基二维半导体材料基本物性研究重大进展(2021-11-02)
）。C3N的成功合成弥补了石墨烯无带隙的重大缺憾，为碳基纳米材料在微电子器件的应用提供了新的选择，并引起了广泛关注。然而，相比于目前研究已经比较成熟的石墨烯，C3N的研究起步较晚，该材......
运用计算机视觉新方法——电子材料筛选速度提升八十五倍(2024-06-12)
据材质颜色随时间的变化来评估材质的稳定性。
该团队应用这两种新算法对大约70个印刷半导体样品的带隙和稳定性进行了表征。这些样品含有不同成分比例的钙钛矿。运用一种算法， 整个带隙提取过程约需6分钟。另一......
GaN新技术可使散热能力提高2倍以上(2024-01-04)
试图通过新一代材料解决上述问题。
据悉，金刚石具备极强的导热性能，氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性，居于上述特性，以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。
在最新研究中，大阪......
GaN新技术可使散热能力提高2倍以上(2024-01-04)
试图通过新一代材料解决上述问题。
据悉，金刚石具备极强的导热性能，氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性，居于上述特性，以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。
在最新研究中，大阪......
电动汽车充电站：技术的发展和未来市场趋势(2022-12-05)
SiC 的带隙值几乎是 3.26eV 的三倍。
SiC是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体，属于宽带隙材料(WBG)家族。它的物理结合非常牢固，使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
铝镓等，都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看，锑化物属于窄带半导体，而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。新一代半导体材料，将一路向宽，还是一路向窄？
超宽禁带半导体：“上天......
ADR293数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:32)
ADR293数据手册和产品信息;ADR293是一款低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET®（外加离子注入场效应管）基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，XFET架构......
QSPICE发明者随笔——利用宽带隙FET简化高压调节(2023-09-27)
花费上述设计的一小部分时间即可实现稳定；此外，也无需负轨。
如果您连接负载的布线电容足够低，则可能需要更小JFET的更高阻抗版本，以利用其较低电容的优势。
我在40年前与Charley失去了联系（我的错），但我觉得他会非常喜欢使用宽带隙......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
硅器件正在迅速接近其理论极限。
因此设计者需要考虑基于宽带隙 (WBG) 材料的器件，如氮化镓 (GaN)。GaN 器件的开关速度比硅器件快，能处理更高的电压和功率水平，在既定功率水平下体积小得多，而且......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-17)
面，GaN的宽带隙和巴利加优值优秀，能够在高频和高功率下工作，由于其宽带隙，它的临界击穿场至少是GaAs和硅的十倍，使得GaN晶体管可以缩小到更小的长度，从而获得更高的性能；另一方面，GaN的自......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-18 10:06)
可以让半导体行业使用硅晶体管实现更好的供电解决方案。所谓DrGaN则与DrMOS有异曲同工之妙，就是将GaN和硅基CMOS集成在一起，利用“层转移”工艺，在300毫米硅晶圆上完成全部的大规模的3D单片工艺。为什么要使用GaN？一方面，GaN的宽带隙和......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
势较大（实现了开关权衡），宽带隙半导体也是一种可以尽量减少不利影响的替代性技术解决方案。图1重点介绍了宽价带的优势（粒子不能占据这个带区）。“宽带隙”材料的主要优点在于，在阻断模式下可成为较好的隔离器（更接......
SiC 与半导体垂直整合的复兴，先进 SiC 解决方案的需求不断增长(2023-02-16)
械臂、飞行器等多个工业领域。其应用的范围也在不断地普及和深化，是一种应用 前景非常广泛、非常具有价值的材料。
第三代半导体材料禁带宽度远大于前两代。第一代和第二代半导体都是窄带隙 半导体，而从......
新型电极材料可提高混动汽车超级电容器的性能(2023-02-06)
受益于其内在的有利物理化学性质，包括高化学稳定性、窄带隙和低电负性。
该校电子与电气工程系Hyun-Seok Kim教授表示：“采用由金属硒化物和碳模板结合形成的复合材料，是调......
四种可以增强未来航天器电子设备辐射的技术了解一下(2024-10-24 10:28:04)
凌公司的Faraci表示，“人们现在正在使用碳化硅”设备。他们通过在远低于地球上设计参数的参数下使用这些设备来规避标准缺乏的问题，这是一种称为降额的技术。
另一种具有适当宽带隙的......
自动执行宽禁带SiC/GaN器件的双脉冲测试(2023-09-05)
，几乎所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。
越来越多的氮化镓 () 和碳化硅 () 等宽带隙......
自动执行宽禁带 SiC/GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-05)
所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。
越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙......
清华团队探微揭秘：飞秒激光或可改写材料“基因”(2023-02-09)
精细调节中红外激发光源的光子能量，研究人员发现当光子能量与带隙接近共振时，黑磷的电子结构从平衡态的抛物线形状演化为在带顶打开能隙的“墨西哥帽”形状，并观察到复制的弗洛凯边带。
“我们......
宽带隙技术发展现状 不断演变的宽带隙半导体技术(2023-10-10)
宽带隙技术发展现状 不断演变的宽带隙半导体技术;
简介
几乎所有采用电气控制、通信、电力、驱动和传感的技术系统都已实现了电气化以及电气连接。从20世纪50年代开始，硅(Si) 一直......
自动执行宽禁带 SiC／GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-06 10:16)
所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。
越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙......
自动执行宽禁带 SiC/GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-06)
所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。
越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙......
被“玩坏”的石墨烯，这回真能造芯片了？(2024-01-04)
的带隙和5500 c㎡/V·S的室温电子迁移率（摘要中标注的是超过5000c㎡/V·S，2023年2月第一版论文则是4000 c㎡/V·S），比硅高出3倍，比其它二维半导体高20倍。 注释：外延......
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源(2023-11-03)
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源;
【导读】COSEL株式会社今天宣布推出新一代工业用高紧凑电源TE系列。TE系列采用宽带隙氮化镓半导体、高频......
2亿美元，安世半导体德国基地扩产(2024-06-28)
2亿美元，安世半导体德国基地扩产;6月27日，半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，计划投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙......
美国能源部拨款4200万美元来增强电网的可靠性、弹性和可承受性(2023-11-24)
发一种光隔离的功率集成构建模块，该构建模块将增强对电力电子转换器的控制，从而实现更高效、更可靠的电网。 （(奖励金额：306万美元）
佐治亚理工学院（佐治亚州亚特兰大）将利用宽带隙 III 族氮......
适用于高性能功率器件的 SiC 隔离解决方案(2023-08-21)
这一目标的一种方法是使用高性能电源开关。尽管需要进一步的研发计划来提高性能和安全性，并且使用这些宽带隙 (WBG) 材料进行设计需要在设计过程中进行额外的工作，但氮化镓 (GaN) 和 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。本文......
泰克TSG4100A射频矢量信号发生器的特点及应用优势(2023-04-26)
软件轻松升级到内部矢量调制源
OCXO 时基提供 《±0.002ppm 温度稳定性以及 《±0.05ppm 时效稳定性
输出频率覆盖范围始于真实直流
优势：
输出基本数字射频信号和窄带......
飞行时间传感器的工作原理及优缺点分析(2022-12-04)
光学传感系统对比
ToF传感器与结构光和立体视觉两种3D光学传感系统相比各有优势。表2和表3显示了ToF传感器的优缺点。
表2：ToF传感器的主要优点（来源：作者）
表3：使用ToF传感......
英飞凌GaN解决方案赋能欧姆龙社会解决方案公司的全新车联网（V2X）充电系统(2024-02-28)
先功率解决方案与欧姆龙的创新电路拓扑和控制技术相结合，欧姆龙社会解决方案开发出了日本最小、最轻的（V2X）充电系统。此次合作将进一步推动电源宽带隙材料的创新，在帮助加快向可再生能源、和过渡的同时，推动......
这种新材料终成半导体功率器件主流(2016-11-14)
各界仰赖的革命性发展。推动此项市场发展的力量包括下列趋势：节能、缩减体积、系统整合及提升可靠性。
IGBT搭配SiC二极体宽带隙技术改变局势
SiC装置......
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源(2023-10-31)
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源;2023年10月31日
采用宽带隙氮化镓（GaN）功率级和平面磁性元件
1x2.3英寸高功率密度设计（TEP45F、65F）
45W和65W......
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源(2023-11-03 11:51)
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源;
• 采用宽带隙氮化镓（GaN）功率级和平面磁性元件• 1x2.3英寸高功率密度设计（TEP45F、65F）• 45W和65W安装......
MAX1422数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:39)
MAX1422数据手册和产品信息;MAX1422是一款3.3V、12位模数转换器(ADC)，采用全差分输入、流水线12级ADC架构，具有宽带采样保持(T/H)和数字纠错功能，提供......
ST在SiC和GaN的发展简况(2023-10-16)
等宽带隙材料特性可让系统变得尺寸更小，重量更轻，开关和导通损耗更低，从而提高能效。本文引用地址：
Gianfranco DI MARCO(汽车和分立器件产品部(ADG)功率晶体管事业部市场沟通经理)
1......
科索(COSEL)推出新一代工业用超紧凑高效率电源(2023-10-31)
科索(COSEL)推出新一代工业用超紧凑高效率电源;本文引用地址：● 采用宽带隙氮化镓（GaN）功率级和平面磁性元件
● 1x2.3英寸高功率密度设计（TEP45F、65F）
● 45W......
直线电机模组与丝杆模组的优缺点对比(2024-09-14)
直线电机模组与丝杆模组的优缺点对比;工业自动化不断发展，对高速加工技术中传动及控制系统的要求越来越高，传统丝杆模组因系列不利因素，如长度限制、机械间隙、摩擦、扭曲、螺距......
用于工业控制的窄带PLC IC(2024-08-19)
电力电路进行载波传输”。用于语音电话的PLC始于20世纪初，到1920年代末在欧洲和美国普及。
电力线通信方法现在分为宽带和窄带。宽带用于在家中发送高速数据，如以太网，而窄带则以更悠闲的速度工作，用于公用事业仪表抄表、工业......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
于硅的解决方案转向使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙 (WBG) 材料的功率半导体技术，从而在创新方面迈出下一步。他们寻求用于电动汽车 (EV) 的功率密度更高、效率更高的电路。
碳化......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性;
电力电子新技术的发展已将工业市场引向其他资源以优化能源效率。硅和锗是当今用于生产半导体的两种主要材料。损耗和开关速度方面的有限发展已将技术引向新的宽带隙......
COSEL推出新型无风扇传导冷却式三相高效电源HCA3500TF(2023-04-25)
应用于高频放大器、激光加工机和机器人等工业设备。它的输入电压全球适用，三相三角形或三相星形网络都适用，输入电压范围为180V到528VAC。该电源使用了最新的能量优化、数字控制拓扑和宽带隙（WBG）半导体器件，可以......
我国科学家提出钙钛矿电池新结构方案(2023-02-20)
利用低温低成本的溶液法实现了这种纳米结构的制备，并首次实现了空穴界面复合速度从60厘米/秒下降至10厘米/秒，以及25.5%的单结最高效率。这种性能的大幅改善在多种带隙和组分的钙钛矿中都普遍存在，展现了PIC广泛......
相关企业
portfolio.;全球电力技术集团是全球机会基金的投资组合公司（GOF），这是一个风险投资基金唯一专注于宽带隙材料技术的发展应用频率高、温度高、高效的电力半导体器件。 2007组建，GOF催生
维护调度PDA终端、综合网管系统、通信线缆测试仪器等，产品覆盖了从语音、窄带到宽带，从线缆 到光纤等通信维护领域的各个方面。 专业的生产厂家，产品质量优、性价比高.
电视类、DVB大功率线型放大器、DVB选频型选带型多载波宽带直放机、MMDS(DTV)宽带直放机、宽／窄带滤波器、4／6／8路多工器。其他：1MHz～3000MHz宽带、分段、选频、选带、功率从0.5W
系统：数字电视类、DVB大功率线型放大器、DVB选频 型选带型多载波宽带直放机、MMDS（DTV）宽带直放机、宽／ 窄带滤波器、4／6／8路多工器。 其他：1MHz～3000MHz宽带、分段、选频、选带
;深圳市激埃特光电有 限公司;;激埃特专业提供红外滤光片,850nm,940nm窄带,780nm窄带,808nm窄带,905nm窄带,980nm窄带类滤镜应用于门褴安防系统中,透红
;深圳市德传技术有限公司;;深圳德传技术有限公司由多位十余年从事M2M终端产品研发设计、行销和行业应用解决方案的专家团队组建而成，致力于物联网通讯终端产品的研发、生产和销售；致力于为行业用户提供各种移动宽带
;奥正电子;;奥正牌系列感应加热设备是我厂多位高级工程师经过不断实践和技术攻关，针对传统小高频和大型高、中频设备的优缺点，综合而成的更适合您生产需要的新一代感应加热设备。 奥正高、中频
东及技术人员均在光缆设备行业服务多年，分别来自国内最好的设备公司，对设备技术有较深的认识与研究。对国内光缆设备较为熟悉，知道光缆设备的优缺点，并可以采用国内各家制造公司设备所长，生产出更为先进的光缆设备。通过
;深圳市华斯迪科技有限公司;;深圳市华斯迪科技有限公司研发的的HOSDY无铅烙铁咀及HOSDY无铅高频锅流焊台，在国内业界同行中具有领先的技术，我司集合各家无铅工艺经验，整合各类无铅用品优缺点，总结
放大器、对数检波放大器、真对数放大器、AGC放大器 微波信号源类： 宽带、窄带压控振荡器（VCO）、0.1-18GHz频率合成器、DDS跳频源、低相噪锁相源、表贴频率合成器、宽带低相噪频率源、点频源 功分