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全球绝缘体上硅（SOI）市场将以19.5%的复合年均增长率增长;全球绝缘体上硅（SOI）市场正以惊人的速度增长，为投资者和领导者提供了巨大的商机。根据MMR近日发布的报告预测，该市......
超强STM32来袭！意法半导体：已突破20nm工艺壁垒; 【导读】近日，意法半导体宣布推出基于18nm全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术和嵌入式相变存储器 (ePCM) 的先......
欧组建FD-SOI产业联盟，加速向先进制程推进;据外媒报道，CEA、Soitec、格芯和意法半导体日前宣布将在下一代FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）技术上展开合作。 据报道，当前......
管理芯片、传感器、高性能数模转换芯片等车规级芯片和工业控制领域芯片。建设先进SOI（绝缘体上硅）工艺生产线，力争引进张江国家实验室，重点开展12英寸先进SOI工艺研发，推动与现有制造产线整合，建设FD-SOI......
获得了大面积二维半导体均匀生长技术，并且对于多种二维半导体均可适用，在15分钟就可快速实现12英寸晶圆内低缺陷的二维单层全覆盖。得益于能够在任意衬底上进行生长，研究者还展示了绝缘体上硅（SOI）的晶......
分钟就可快速实现12英寸晶圆内低缺陷的二维单层全覆盖。得益于能够在任意衬底上进行生长，研究者还展示了绝缘体上硅（SOI）的晶圆结构流程制作晶体管阵列，避免了复杂转移方法。本成果展示的绝缘体上......
能够轻松获得具有磷化铟（InP）和铌酸锂（LNO）异质集成能力的低损耗氮化硅（SiN）与绝缘体上硅（SOI）光电子平台。在此过程中，模拟/混合信号晶圆代工领域的先进厂商X-FAB Silicon Foundries......
开展photonixFAB项目---该项目旨在为中小企业和大型实体机构在光电子领域的创新赋能，使其能够轻松获得具有磷化铟（InP）和铌酸锂（LNO）异质集成能力的低损耗氮化硅（SiN）与绝缘体上硅（SOI）光电......
一步扩大这一先进产品系列的阵容，英飞凌推出了MOTIX双通道栅极驱动器IC，包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。这些160 V的绝缘体上硅片（SOI）栅极......
用于应用软件），非常适用于车窗调节器等应用。 为巩固在提升汽车舒适度的电机驱动应用领域的地位，Melexis 推出了基于 LIN 的预驱动芯片 MLX81160。该芯片应用高压绝缘体上硅（SOI）技术，在......
斯汀扩建现有半导体设施，扩大 FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）工艺产能。 电子此次投资将在未来 5 年为美国创造超过 17000 个建筑行业工作岗位和 4500 多个高薪制造业工作岗位。作为......
或方向）中任意两项的组合，实现更高的灵活性。磁性阈值范围从±0.5mT到±40mT，可实现行业领先的磁性精度。 采用Melexis的绝缘体上硅（SOI）技术，该系......
晶体管时，还能最大限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用的绝缘体上硅 (SOI)制造工艺，在保证优异的鲁棒性的同时，还可以采用2mm x 2mm 的DFN-6L微型封装。   SRK1004的电......
集成能力的低损耗氮化硅（SiN）与绝缘体上硅（SOI）光电子平台。在此过程中，模拟/混合信号晶圆代工领域的先进厂商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牵头......
传感、微机电系统、绝缘体上硅工艺）集成电路生产企业，进口国内不能生产或性能不能满足需求的自用生产性（含研发用，下同）原材料、消耗品，净化室专用建筑材料、配套系统和集成电路生产设备（包括......
控制器能够让功率转换器缩减尺寸，同时提高额定输出功率。500kHz的最高开关频率允许使用小尺寸的电磁元件，当使用 GaN 晶体管时，还能最大限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用意法半导体的绝缘体上硅 (SOI......
助于高质量晶圆的循环再利用。 据了解，Soitec的专利技术Smart CutTM已广泛应用于SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘体上硅）产品生产，保障芯片制造商的材料供应，加上......
方英寸增长了10%。 国际电子商情了解到，半导体硅晶圆是制造芯片的不可或缺的材料，主要由抛光片、退火片、外延片、节隔离片和绝缘体上硅片五大类产品构成，其中抛光片是用量最大的产品，其他......
阵容，推出1200 V三相栅极驱动器。该器件基于英飞凌独具特色的绝缘体上硅（SOI）技术，具备领先的负瞬态电压抗扰性、出色的闩锁抗扰性、快速过电流保护特性，并实现了真正的自举二极管的单片集成。这些......
阵容，推出1200 V三相栅极驱动器。该器件基于英飞凌独具特色的绝缘体上硅（SOI）技术，具备领先的负瞬态电压抗扰性、出色的闩锁抗扰性、快速过电流保护特性，并实现了真正的自举二极管的单片集成。这些......
ADMV1139数据手册和产品信息;ADMV1139是一款绝缘体上硅(SOI)、微波、上变频器和下变频器，它针对在37 GHz至48.2 GHz频率范围内运行的5G无线电设计进行了优化。 上变......
公司计划联合制定行业的下一代 FD-SOI(全耗尽型绝缘体上硅)技术发展规划。半导体器件和 FD-SOI技术创新对法国和欧盟以及全球客户具有战略价值。FD-SOI 能够......
通电阻和低失真以及低串扰确保信号完整性出色。内部过热关断和欠压锁保护(UVLO)功能确保开关安全工作。 这款先进产品采用意法半导体专有的BCD6s-SOI(绝缘体上硅)和BCD8s SOI制造......
160 V的绝缘体上硅片（SOI）栅极驱动器均为功能强大且性价比高的小型栅极驱动器解决方案，具有出色的抗闩锁能力，并且专门用于电池供电应用，如无绳电动工具、多旋翼飞行器、无人机和电池电压高达120 V......
2ED2738S01G。这些160 V的绝缘体上硅片（SOI）栅极驱动器均为功能强大且性价比高的小型栅极驱动器解决方案，具有出色的抗闩锁能力，并且专门用于电池供电应用，如无绳电动工具、多旋翼飞行器、无人......
pSemi的UltraCMOS®工艺（获得专利的SOI绝缘体上硅技术）制造，专为高性能ISM频段、WLAN 802.11 a/b/g/n/ac/ax、低功耗蓝牙（BLE）和高达10.6 GHz的超......
免税情形包括： （一）集成电路线宽小于65纳米（含,下同）的逻辑电路、存储器生产企业,以及线宽小于0.25微米的特色工艺（即模拟、数模混合、高压、射频、功率、光电集成、图像传感、微机电系统、绝缘体上硅工艺）集成......
到±40mT，可实现行业领先的磁性精度。 采用Melexis的绝缘体上硅（SOI）技术，该系列磁性锁存器和开关芯片具备出色的性能：15kV HBM ESD、8kV......
通过输出X、Y和Z磁轴（代表速度、脉冲或方向）中任意两项的组合，实现更高的灵活性。磁性阈值范围从±0.5mT到±40mT，可实现行业领先的磁性精度。 采用Melexis的绝缘体上硅（SOI）技术......
、Y和Z磁轴（代表速度、脉冲或方向）中任意两项的组合，实现更高的灵活性。磁性阈值范围从±0.5mT到±40mT，可实现行业领先的磁性精度。  采用的绝缘体上硅（SOI）技术，该系......
能数模转换芯片等车规级芯片和工业控制领域芯片。建设先进SOI（绝缘体上硅）工艺生产线，力争引进张江国家实验室，重点开展12英寸先进SOI工艺研发，推动与现有制造产线整合，建设FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）工艺研发线、RF......
意法半导体为MCU开启FD-SOI时代;2024年3月26日，(STMicroelectronics,简称ST)宣布了基于 18 纳米全耗尽绝缘体上硅() 技术并整合嵌入式相变存储器 (ePCM......
料并不是辐射硬化的唯一前沿；研究人员也在探索设计硅晶体管的新方法。两种CMOS生产方法已经具有抗辐射形式：绝缘体上硅（SOI，https://spectrum.ieee.org/transistor-wars）和鳍......
芯行情下，2021年硅晶圆的价格比前一年上涨了10%（），并认为涨势将持续到2024年。 简述硅晶圆市场现状 国际电子商情了解到，半导体硅晶圆是制造芯片的不可或缺的材料，主要由抛光片、退火片、外延片、节隔离片和绝缘体上硅......
进一步壮大产品阵容，英飞凌推出了MOTIX三相栅极驱动器IC 6ED2742S01Q。这款160V的绝缘体上硅（SOI）栅极驱动器集成了一个电源管理单元（PMU），并且采用了底部带有裸露焊盘的QFN-32封装......
持长约的前提下，已有硅晶圆厂商接到不少客户希望延迟部分产品提货要求。 截图自报道 国际电子商情了解到，半导体硅晶圆是制造芯片的不可或缺的材料，主要由抛光片、退火片、外延片、节隔离片和绝缘体上硅......
实现更高的电流密度和系统。IM523具有一个带自举功能的集成式绝缘体上硅栅极驱动器和一个可向控制器提供模拟反馈信号的温度监测器，从而最大限度地减少了对外部元件的需求。得益于这些特性，这个新的IPM系列......
提高额定输出功率。500kHz的最高开关频率允许使用小尺寸的电磁元件，当使用 GaN 晶体管时，还能最大限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用意法半导体的绝缘体上硅 (SOI)制造工艺，在保证优异的鲁棒性的同时，还可......
提高额定输出功率。500kHz的最高开关频率允许使用小尺寸的电磁元件，当使用 GaN 晶体管时，还能最大限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用意法半导体的绝缘体上硅 (SOI)制造工艺，在保证优异的鲁棒性的同时，还可......
Soitec 新加坡晶圆厂扩建项目破土动工，进一步提升全球产能; - 该扩建项目将助力 Soitec 巴西立(Pasir Ris)工厂实现年产能翻番，300mm SOI(绝缘体上硅)晶圆......
值得一提的是，Intel代工还在300毫米GaN(氮化镓)方面持续推进开拓性的研究。 Intel代工在300毫米GaN-on-TRSOI(富陷阱绝缘体上硅)衬底上，制造......
热、保温/隔热、防霜附加装置，应用于各种复杂工况。 　　6、应用范围广、形式多样，适合各种工况（如高温、高压、腐蚀）下的液位的测量。 　　三、磁翻板液位计的缺点 　　磁翻板液位计除了具有上述优点外，也具有如下缺点和不足......
行更为复杂的软件提供充足的内存空间，且可实现更多安全诊断功能，便于获取关键的校准数据。此外，MLX81334还支持OTA更新。 Melexis运用自身在高压绝缘体上硅（SOI）技术......
通道绝缘体上硅 (SOI) 驱动器 RCD2-600 V IGBT可实现最低EMI和损耗 14.系统解决方案可实现高度集成、灵活的设计和最低EMI......
，包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。这些160V的绝缘体上硅片（SOI）栅极驱动器均为功能强大且性价比高的小型栅极驱动器解决方案，具有......
。这款160V的绝缘体上硅（SOI）栅极驱动器集成了一个电源管理单元（PMU），并且采用了底部带有裸露焊盘的QFN-32封装，具有良好的导热性能。得益于此，该半导体器件易于集成，非常......
在某些方面比铌酸锂更具优势。”论文共同通讯作者、中国科学院上海微系统所研究员欧欣说，更重要的是，硅基钽酸锂异质晶圆的制备工艺与绝缘体上硅晶圆制备工艺更加接近，因此钽酸锂薄膜可实现低成本和规模化制造，具有......
三星与美国政府拟定的协议，韩国芯片巨头准备新建两座“世界领先的逻辑芯片厂”、一座研发中心和一个先进封装设施，同时扩建三星原有的奥斯汀晶圆厂。同时，奥斯汀工厂的扩建将支持全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）工艺......
实现更高的电流密度和系统能效。IM523智能功率模块具有一个带自举功能的集成式绝缘体上硅栅极驱动器和一个可向控制器提供模拟反馈信号的温度监测器，从而最大限度地减少了对外部元件的需求。得益于这些特性，这个......
提高额定输出功率。500kHz的最高开关频率允许使用小尺寸的电磁元件，当使用 GaN 晶体管时，还能最大限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用意法半导体的绝缘体上硅 (SOI)制造工艺，在保......

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