特性
- 芯片中集成了上变频器（变送器）、下变频器（接收器）和带有 4× 乘法器的 LO 链
- 射频频率范围：37 GHz 至 48.2 GHz
- LO 输入频率范围：7.25 GHz 至 12.05 GHz
- 使用5G NR、WiFi 5、WiFi 6和CPE UL波形实现完整的特性
- 具有可选片内混合功能的复杂 IF 操作（IF 模式）
- 差分基带 I/Q 直接转换（基带模式）
- 可编程基带 I/Q 共模电压
- 用于跟踪所需共模的共模输入引脚，电压范围为 0 V 至 1.5 V
- 变送器和接收器之间具有可选的片内射频开关端口
- 匹配的 50 Ω 阻抗、单端射频输入和输出以及射频开关端口
- 匹配的 50 Ω 阻抗、单端 LO 输入
- 低相位变化与增益控制
ADMV1139是一款绝缘体上硅(SOI)、微波、上变频器和下变频器，它针对在37 GHz至48.2 GHz频率范围内运行的5G无线电设计进行了优化。
上变频器和下变频器均提供两种频率转换模式。一种模式是从和/或向复杂的中频(IF)信号进行转换，然后通过片内90°IF混合，称为IF模式。
另一种模式是从和/或向单端或差分基带同相/正交(I/Q)输入和输出的直接转换，称为基带模式。I/Q基带输出共模电压可在0 V和1.5 V之间进行编程。SPI提供正交相位的微调，以优化I/Q解调性能。
当该器件用作镜像抑制下变频器时，不需要的镜像项通常会在校准之前被抑制到26 dBc。ADMV1139提供平方律功率检波器，可监控下变频器混频器输入端的功率电平。
RF接收输入、RF发射输出和本振(LO)接口均为单端，并且匹配至50 Ω。片内RF开关提供将发射和接收RF端口组合在一起的选项，以支持时分双工(TDD)应用。
串行端口接口(SPI)可调整正交相位，以实现优化边带抑制。此外，SPI在不需要载波馈通优化时可关断输出包络检波器，以降低功耗。
ADMV1139上变频器和下变频器采用紧凑的散热增强型6 mm ×6.5 mm球栅阵列(BGA)封装。这种BGA封装能够让ADMV1139从封装顶部进行散热，以实现高效散热。ADMV1139的工作温度范围为−40°C至+95°C(T C )。
应用
- 毫米波5G应用
- 点对点微波无线电
- 雷达和电子战系统
- 仪器仪表和自动测试设备(ATE)
数据手册 1
应用笔记 1
解决方案设计及宣传手册 1
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的 质量和可靠性计划和认证 以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADMV1139BBCZ | CHIP SCALE BGA |
|
根据型号筛选
重置过滤器
产品型号
产品生命周期
PCN
1月 23, 2023
- 23_0004
Discontinuance of Model Number ADMV1139BBCZ
ADMV1139BBCZ
最后购买期限
根据型号筛选
重置过滤器
产品型号
产品生命周期
PCN
1月 23, 2023
- 23_0004
Discontinuance of Model Number ADMV1139BBCZ