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氮化镓取代碳化硅？PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样;“为氮化镓技术树立新标杆（New Benchmark）”，一向保守的Power Integrations（PI）罕见......
续推进湖南与重庆工厂量产进程。 碳化硅MOSFET方面，该公司推出650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET产品，具有高性能、高一致性和高可靠性等优点。其中，1700V/1000mΩ MOSFET主要......
9月即将量产，东芝纯碳化硅产品提上日程;2021年9月9日-11日，PCIM Asia 2021在深圳国际会展中心举办。作为德国顶尖专业电力电子展会PCIM Europe的姐妹展，自2002年在......
或三个供电电压的应用中实现90%以上的效率。每路输出的调整精度都控制在1%以内，无需后级稳压器，并将系统效率进一步提高了约10%。在汽车充电器、太阳能逆变器、三相电表和各种工业电源系统等电源应用中，这种新型器件可取代昂贵的碳化硅......
MOSFET，并将于明年初量产。Power Cube Semi称，2300V碳化硅MOSFET继承了现有1700V碳化硅MOSFET的开发和量产经验。 随后在6月5日，韩国贸易、工业......
， 为全球客户提供功率半导体整体解决方案。公司产品涵盖SiC碳化硅MOS、SiC碳化硅二极管、硅基平面MOS、超结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD&TVS静电......
、1200V、1700V、3300V等不同电压等级的碳化硅MOSFET（51款）和功率模块（66款），以及基于碳化硅（SiC）功率器件的整机应用系统解决方案，产品性能达到国际先进水平，服务......
PI推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器; 【导读】PI近日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅......
耐压的氮化镓（GaN）开关IC，该产品在业内独树一帜，以其1700V的耐压能力刷新了氮化镓器件的新高度，进一步巩固了PI在高压功率半导体市场的领先地位。据了解，这款新产品不仅在性能和效率上具有优势，同时在价格方面也优于现有的碳化硅......
/1700V 碳化硅MOSFETs。值得一提的是，1200V和1700V 碳化硅 MOSFETs具有业内领先的FOM（RDS(on)*QG）指数，安全的开启电压以及可靠的栅极氧化层设计，同时......
系列为汽车应用提供了多种方案选择，包括750V硅、900V硅、900V PowiGaN或1700V碳化硅开关。只需对电路板设计进行极少的改动，工程师就能选择最合适的符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3......
瀚天天成宣布开始量产8英寸SiC外延晶片，已签订2.19亿美元长约;近期，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司（以下简称“瀚天天成”）宣布完成了具有自主知识产权的8英寸碳化硅外延工艺的技术开发，瀚天......
又一碳化硅芯片公司完成近亿元产投融资;近日，中瑞宏芯半导体完成近亿元人民币的产投融资，由光伏微逆公司禾迈股份和汽车电子供应商纳芯微联合投资。本轮融资将继续用于碳化硅器件的技术研发创新、生产......
贸泽即日起备货安森美EliteSiC碳化硅解决方案;2023年4月12日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日......
瞻芯电子-车规级碳化硅(SiC)MOSFET; 申请奖项丨汽车芯片50强 申请产品丨车规级碳化硅(SiC)MOSFET 产品描述： 瞻芯电子车规级SiC MOSFET产品，电压......
贸泽即日起备货安森美EliteSiC碳化硅解决方案;专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货安森美 (onsemi......
贸泽即日起备货安森美EliteSiC碳化硅解决方案; 【导读】2023年4月12日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics......
贸泽即日起备货安森美EliteSiC碳化硅解决方案;2023年4月12日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日......
碳化硅功率器件企业森国科完成亿元级C轮融资;12月14日，碳化硅功率器件厂商深圳市森国科科技股份有限公司（以下简称“森国科”）宣布完成C轮亿元级融资。 本轮融资领投方为中金资本，跟投......
集成表示，“良性竞争有助于产业链上下游协同发展，我们会加快新产品的推出速度和产能建设，以便保持先发优势。”据悉，三安集成碳化硅肖特基二极管于2018年上市后，已完成了从650V到1700V的产......
器件公司是我们的行为标杆与使命。”未来，公司将继续加大研发投入，继续研发1700V、3300V 车规级碳化硅二极管、MOSFET和碳化硅模块，以便满足市场对高性能、高可......
东芝扩展1700V碳化硅MOSFET模块的产品线，有助于工业设备的高效化和小型化; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）扩大其产品线，开始量产第3代碳化硅（SiC......
金光的发展历程与企业荣誉） 据悉，“世纪金光”碳化硅6英寸单晶已量产；功率器件和模块制备已覆盖额定电压650-1700V、额定电流5-100A的碳化硅肖特基二极管（SBD），额定电压650-1200V、额定电流20......
贸泽即日起备货安森美EliteSiC碳化硅解决方案; 2023年4月12日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日......
国内8英寸碳化硅加速布局！;近期，三安半导体发布消息称，公司携碳化硅全产业链产品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET外，三安......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块; 【导读】近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特......
动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅() MOSFET模块和硅，具有增强的保护功能，可确保安全可靠的工作。SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道可在不到2微秒的时间内部署功能，保护......
瞻芯电子第二代SiC MOSFET首款产品通过车规认证，开启量产交付;8月22日消息，自瞻芯电子官微获悉，其依托自建的碳化硅(SiC)晶圆产线，开发了第二代碳化硅(SiC)MOSFET产品，其中......
于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确......
需要高功率密度和高效率，则推荐使用碳化硅 MOS/SBD方案。 Vienna PFC+LLC电路和器件示例 PFC部分更适合使用碳化硅器件，理由......
国内8英寸碳化硅加速布局！;近期，三安半导体发布消息称，公司携全产业链产品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET外，三安......
前公告介绍，碳化硅功率器件的研发和产业化项目主要从事面向新型能源供给的600V-1700V碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等产品的设计研发和产业化，产品主要应用于光伏逆变、电源无功补偿、汽车......
瞻芯电子第二代SiC MOSFET首款产品通过车规级认证，正式开启量产交付;8月20日，瞻芯电子官微表示，其依托自建的碳化硅(SiC)晶圆产线，开发了第二代碳化硅(SiC)MOSFET产品，其中......
我们将陆续提供1200V、1700V碳化硅系列MOS。随着国产汽车的进步和产销量的进一步提高，为我们这些半导体器件厂家提供了更广阔的前景。 ......
生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：W2馆2D03）。届时，将聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时，罗姆......
生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：W2馆2D03）。届时，将聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时，罗姆......
简称PCIM Asia）（展位号：W2馆2D03）。届时，将聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时，工程师还将在现场举办的“第三......
的通用型可扩展门极驱动器深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC......
的通用型可扩展门极驱动器深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC......
CISES上，Markus Mosen先生发表了《新一代碳化硅MOSFET，正在打造更加绿色的未来》的主题演讲，聚焦在“双碳”背景的驱动下，碳化硅产业充满的机遇和前景，重点结合了最新推出的1700V......
Integrations的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。它具有同步整流和FluxLink™安全隔离反馈功能，并且提供丰富的开关选项，包括725V硅开关、1700V碳化硅......
总投资超200亿，IGBT、第三代半导体等产线纷纷投产;近年来，以IGBT为主的功率半导体和以碳化硅、氮化镓为主第三代半导体均受到市场的高度关注。 其中，IGBT，被视为电力领域的“CPU......
Integrations符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC产品系列包括额定耐压1700V的器件，其内部集成碳化硅(SiC)初级开关MOSFET，可使......
从事面向新型能源供给的600V-1700V碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等产品的设计研发和产业化，产品主要应用于光伏逆变、电源无功补偿、汽车电子等领域，形成6英寸碳化硅晶圆年产能3.6万片。 对于......
加速拓展海外市场，三安半导体亮相NEPCON JAPAN日本国际电子展;1月24-26日，第38届日本国际电子展NEPCON JAPAN 2024在东京有明国际展览中心举办。三安半导体携8吋碳化硅......
加速拓展海外市场，三安半导体亮相NEPCON JAPAN日本国际电子展;1月24-26日，第38届日本国际电子展NEPCON JAPAN 2024在东京有明国际展览中心举办。三安半导体携8吋碳化硅......
选用1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E0750作为逆变器中辅助电源的功率控制器件，由于Littelfuse 1700V Sic Mosfet性价比的优势，甚至......
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化;中国上海，2023年8月29日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1......
InnoSwitch3-AQ开关电源IC内部集成了一个碳化硅(SiC)的初级开关，能够提供高达80W的输出功率。这款高度集成IC可将电源的元件数量减少多达50%，从而节省空间、增强......
提供100W的输出功率，并且具备与800V电动汽车系统所用的广受欢迎的1700V碳化硅InnoSwitch3-AQ IC类似的性能和保护功能。900V 氮化镓器件扩展电压范围并将效率提升1.5%PI在初......

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