不缺钱!三星壕砸10亿美元投资芯片厂:首发量产10nm

发布时间:2016-11-02  

据CNBC报道,三星计划在美国德克萨斯州的芯片工厂投资10亿美元,扩大三星自有品牌的芯片业务。

三星公司昨日表示,这笔投资将用于扩大电子半导体制造,将于明年年初投产,三星的自有品牌Exynos芯片也将因此得到产能提升。除了三星的智能手机外,目前Exynos芯片被广泛用于存储、内存和电池等方面。

外媒预测,三星提高芯片生产线产能目的,可能是希望扩展对外芯片业务。目前除了自用外,三星也为很多手机厂商提供芯片制造技术,包括三星手机最大的竞争对手苹果。

今年10月三星宣布量产10nm制程工艺的芯片,成为第一个量产这一制程的芯片制造商。三星预测明年3月面世的Galaxy S8,很可能将成为这枚10nm制程芯片的首发机型。

三星的10nmFinFET采用3D晶体管结构及设计,相比于14nmFinFET面积效率提升30%,性能提升27%,功耗降低40%。在“亲儿子”S8首发搭载后,三星的10nm制程芯片将逐渐配置到三星其他新机型,甚至向外部厂商开放,这可能是三星这次大手笔投资增加芯片产能的原因。

从今年三星的支出分配来看,也足见其对半导体业务的重视。三星电子上周表示,2016年至目前为止的投资支出创下公司新高,达到240亿美元,其中约50%用于扩展半导体业务。

责任编辑:mooreelite
文章来源于:半导体行业观察    原文链接
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