MPU

嵌入式市场需要性能更高、功耗更低的人工智能（AI）解决方案，以部署在功耗通常较高的边缘。人工智能解决方案往往需要先进的成像和音频功能，但这些功能通常只有高性能且高功耗的多核微处理器才具备。为了让开发人员在不牺牲功耗的情况下获得这些高性能外设功能，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）推出基于Arm Cortex A7的SAMA7G54微处理器（MPU），运行频率最高可达1GHz。SAMA7G54同时搭载MIPI CSI-2摄像头接口和一个传统的并行摄像头接口，能够帮助开发人员设计出具有更精确深度感知的低功耗立体视觉应用。

SAMA7G54可提供灵活的低功耗模式以及电压和频率调节，将低功耗趋势扩展到支持Linux的1GHz性能级别的MPU。如果搭配使用Microchip的新型MCP16502电源管理IC（PMIC），MPU可帮助嵌入式设计人员对终端应用进行精准调校，从而获得最佳的整体功耗与性能，同时还可以优化实现最低的整体系统成本。Microchip针对SAMA7G54的主流Linux版支持MCP16502，可轻松进入和退出可用的低功耗模式，并支持动态电压和频率调节。

MCU

安全威胁日益复杂，给物联网（IoT）、消费、工业、医疗和其他市场产品开发带来了挑战。这些产品必须具备强大的嵌入式安全性，同时还要求低功耗以延长电池寿命。Microchip推出业界首款在单一封装中集成了安全子系统和Arm TrustZone技术的PIC32CM LS60单片机（MCU）。新款单片机集成了Microchip的可信平台（Trust Platform）安全子系统，让使用单个单片机而不是两个或多个芯片来开发终端产品变得更加容易。现在，设计人员可使用这款值得信赖的32位单片机，来保护产品和终端用户的智能家居设备、智能手机或平板电脑配件、便携式医疗设备、可穿戴设备、互联电器和工业机器人免受远程或物理攻击。

随着物联网行业的持续快速发展，对于边缘设备而言，高标准的安全保护已变得不可或缺。PIC32CM LS60结合了易于使用的Arm TrustZone技术和通用标准联合解释库（JIL）中认定的“高”等级可信平台安全子系统，使开发人员能够实施业界公认的安全实践和对策，以防范各类已知的远程和物理攻击。相关设计得到了MPLAB 代码配置器（MCC）TrustZone Manager和可信平台设计套件等工具的支持，从而简化了安全子系统的配置。Microchip可信平台配置服务可用于安全地配置密钥和证书。

IGBT

5月30日，Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有内部续流二极管（FWD）、采用陶瓷平板封装的全新压接式IGBT（PPI），进一步壮大其高功率Prime Switch系列的产品阵容。该PPI专为输配电应用而设计，是大电流模块化多电平转换器（MMC）、中压驱动器、直流电网断路器、风电变流器和牵引系统的理想选择。

Prime Switch IGBT的阻断电压为4.5kV，不带有FWD的型号电流为3000A，带有FWD的型号为2000A。英飞凌为3000A PPI提供了具有4种不同封装直径的外部续流二极管，分别为：D1600U45X122、D2700U45X122、D3900U45X172和D4600U45X172。通过与高度可靠的压接式技术相结合，这种投入实际应用超过40年的领先的高压IGBT芯片沟槽技术，可为客户的超高功率应用提供卓越的高性能解决方案。此外，这些器件在降低高功率应用的损耗和成本、提高可靠性方面，开辟了新的机会。

这款Prime Switch系列新产品预计将于2022年中/年底进一步扩充产品阵容。

DC-DC控制器

LED照明不仅能够提升道路行车安全，还有利于实现灵活的造型设计，带来全新的设计趋势，在汽车领域正变得越来越重要。为了满足随之产生的市场需求，英飞凌科技推出了双通道独立式DC-DC控制器TLD6098-2ES，进一步壮大其LITIX Power系列的产品阵容。该控制器是首款无需额外配备微控制器就能自行驱动一个完整的汽车LED前大灯的产品。它可以实现LED前大灯的4种标准功能：远光灯（HB）、近光灯（LB）、日间行车灯（DRL）和转向信号灯（TURN）。此外，LITIX Power系列产品还可以充当一个灵活的电源，满足车外LED照明灯对日益增长的动画效果的需求。

TLD6098-2ES是一款采用多拓扑结构的控制器，可支持升压、降压、SEPIC和反激式拓扑结构。集成的PMOS栅极驱动器具备高边负载断开功能，可调低LED亮度，从而确保较高的系统可靠性。此外，集成的扩频调制器提升了EMC性能，便于在客户现场进行系统验证。TLD6098-2ES的每个通道都能提供模拟和PWM调光功能，可精确控制LED亮度。TLD6098-2ES具有较宽的输入电压范围，为4.5V-60V，甚至可以支持工作电压为24V的电池系统应用。

SiC FET

5月11日，Qorvo推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。

在电动车中，这种电压升高不可避免，而这些新器件有四个不同R_DS(on)等级，有助于设计师们为每个设计选择最适合的SiC产品。性能较高的第四代产品扩充了Qorvo的1200V产品系列，能更好地服务于将总线设计电压提高到800V的工程师。

电阻器

5月5日，Vishay针对日益增长的电动汽车（EV）市场，推出经过AEC-Q200认证的新系列底架固定绕线电阻器——RHA系列。

新系列电阻器直接安装在汽车底架上，以实现散热效果。这款高可靠性器件采用全焊接模压结构，全面实现环境保护，工作温度-55℃至+250℃。除尾灯分压器和车内照明调光电路限流器外，电阻器还可用作电动汽车预充放电电阻。

日前发布的器件有四种小型封装，额定功率最高可达50W。电阻精度和稳定性高，公差仅为±1%，TCR温度系数低至20ppm/℃、阻值范围0.1kW至39.2kW。RHA系列电阻器符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。RHA系列电阻现可提供样品。2022年4月量产，订货供周期为8至12周。

电容器

5月25日，Vishay为满足航空航天应用需求，推出新款高能液钽电容器——EP2，每款电压等级和外形尺寸的容量均为业界先进。EP2有B和C两种封装，提供径向插件端接，可选螺杆固定，可用来直接取代同类器件，或用作等效机械封装的高容量电容，减少元件数量、节省空间、降低设计成本。

日前发布的器件采用Vishay成熟的SuperTan技术，B封装和C封装器件超高容量分别达到2700µF~48000µF和3600µF~72000µF。电容器额定电压为25V_DC至125V_DC。EP2容值指标居业界先进水平，其中C封装器件80V条件下的容值达到9000µF，35V条件下达到58000µF，这些容值分别比紧随其后的竞品高50%和21%。电容器标准容值公差为±20%，同时提供公差为±10%的产品。

EP2采用全钽密封外壳提高可靠性，适于激光制导、雷达和航电系统脉冲电源和能量保持应用。电容器机械性能牢固，提高了抗振动（高频：20g；随机：19.64g）和抗机械冲击（50g）的能力。EP2现可提供样品并已实现量产，大宗订货供周期为16周。