重大突破 | 国内首款全自研中小容量19nm 2D NAND研制成功
日前，国内存储行业迎来重大喜讯，由至讯创新完全自主研发的国内首款中小容量高可靠性19nm 2D NAND闪存芯片研制成功，预计将于明年年初全面投放市场。这是国内存储行业的跨越式突破，技术水平已赶超国际一流。
这是国内首款全自研、运用先进工艺的中小容量高可靠性19nm 2D NAND闪存芯片。产品将覆盖512Mb、1Gb和2Gb容量，提供1.8V和3.3V电压，并采用业界主流串行接口SPI和WSON封装。
其即可满足消费级产品对可靠性的需求，还可达到工规和车规等高可靠性应用场景对擦写次数和数据保留的要求。通过技术的创新实现了芯片面积缩小40%，I/O速度提升25%，擦写周期提升70%，芯片性能超越国内同类竞品。
至讯创新联合创始人、董事长汤强博士：在过去的几个月里，我们的研发团队面对疫情、技术等重重考验，用最短的时间攻克了道道难关。
此次19nm芯片的成功研制是至讯创新破茧成蝶的第一步，未来我们将持续加大研发投入，与更多合作伙伴展开更深度协作，保持每年两到三个先进工艺项目的开展，使更具有创新力、竞争力的产品陆续登陆市场。
至讯创新联合创始人、CEO龚翊女士：这款核心产品性能卓越又极具性价比，应用领域非常丰富。目前，我们已顺利与几大重要合作伙伴签署战略合作协议，明年将从核心大客户端发力，确保在全球存储市场低迷的情况下实现逆势上扬，一举提升我们的市场占有率。
至讯创新联合创始人、COO王超先生：目前公司正进行A轮融资，我们将抓住这个资本市场的战略窗口期，充分发挥资本的强力支撑作用，为公司的研发、运营和业务推广注入更多动力，不断提升工艺的先进性、产品的竞争性和服务的全面性，为实现我国存储芯片的国产替代提供更多助力。
未来，至讯创新将抓住中国芯片产业突围的历史性发展机遇，坚持“以人为本，开拓创新”，立争早日跻身全球一流存储芯片公司行列。
公司简介
至讯创新科技（无锡）有限公司旨在领导存储技术创新，成为全球存储行业的领军者。公司成立于2021年10月，总部位于江苏无锡，在上海、深圳、香港等地均已设立分支机构，完备的营销及服务网络为客户提供快捷、优质的支持。
公司汇聚海内外存储业界翘楚，凝聚了一支拥有工程院院士、国家重大人才计划专家、省级海外高层次青年人才等顶尖人才的一流研发团队。核心骨干均拥有15年以上的国际大厂研发和管理经验。公司专注于中小容量存储芯片的研发，团队可全面覆盖设计、测试、工艺提升等关键环节，且具备完全自主可控的知识产权。
在质量管理方面，公司有严格的标准与要求，已获得ISO 9001等国际质量体系认证，同时积极推进产业整合，与全球多家领先晶圆厂、封装厂达成战略合作伙伴关系。
封面图片来源：拍信网