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研发客服高通今天在赌城举办的CES 2017展会上公布了骁龙835完整的规格信息，作为10nm的商用平台首发，这一点的确成为了宣讲主力。
一个有趣的环节是，高通拿出骁龙835真片和我国的一角硬币、美分以及骁龙820对比，对于内部空间寸土寸金的手机来说，封装面积缩小了35%（相较820）的骁龙835将帮助手机做的更薄或者集成更多功能。
大家最关心的CPU规格方面，骁龙835启用的Kryo 280核心，Big 4+Little 4总计八核心设计。前者主频提升到2.45GHz，二缓2MB，后者提升到1.9GHz，二缓1MB。按照高通的说法，应用载入、网页浏览、VR等会调用大核，另外80%的时间都是小核在工作。
内部设计方面，高通没有透露太多，只是表示内存控制器、互联架构都是自己设计，非公版。
10mn LPE有些失望啊……
对于主频，其实外界普遍有些失望，因为按照ARM的设计，A73在14/16nm下就可以跑上2.8GHz，Kryo本应更优秀。所以我们猜测终端上市后（10nm LPP）可能会有“鸡血超频款”，或者高通在为“骁龙836”埋伏笔？
GPU主频未公布，高通称3D渲染比530提升了25%。另外，对比G71，540每时钟处理纹理过滤的效率也提升1倍，达到16texels（三线）。
高通还介绍，骁龙835中的CPU、GPU、DSP和软件框架组合提供了一个高性能的异构计算平台，为下一代沉浸VR/AR和人工智能做了强力支撑。
责任编辑：mooreelite
文章来源于:半导体行业观察 原文链接
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