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研发客服CES 2017大展前夕，高通公布了新一代旗舰处理器骁龙835的更多细节，基本规格方面包括：10nm工艺，采用新一代Kryo 280 CPU（四大四小Big.Little八核心设计），Adreno 540 GPU，并首次集成X16 LTE基带，支持Cat.16下行/Cat.13上行。
在CES正式开幕前两天，业内知名分析师孙昌旭提前打探到了骁龙835的详情和原型机：
从照片来看这款原型机还处于重度“伪装”状态，只是展示一下骁龙835的运行体验，自然也无设计可言；手机下方是骁龙835芯片和硬币大小对比。
在性能方面，四大核+四小核的设计并不罕见，但高通将其称之为“两个CPU丛集”：一个性能丛集、一个效率丛集。其中，前者主频提升到2.45GHz，二缓2MB，后者提升到1.9GHz，二缓1MB。
按照高通的说法，应用载入、网页浏览、VR等会调用性能丛集，另外80%的时间都是效率丛集在工作。
而在续航方面，全新的架构加上三星10nm Finfet工艺，骁龙835较骁龙820有了长足进步。同样在重度使用下，相比骁龙820，骁龙835能够提供额外的2.5小时的使用时间。
此外，骁龙835还带来了最新的快充技术Quick Charge 4，充电五分钟，智能手机将能续航五小时以上，并且同时也可以兼容业界type C的快充标准。
在首发终端方面，最大的可能是三星Galaxy S8和小米6。如果没有特别大的意外，小米6肯定是中国厂商中骁龙835的首发平台。
据说，小米6是一款被寄予厚望的旗舰机，高通还参与了小米一起研发，不论新的ID还是基于骁龙835上引入的各种新功能，都十分令人向往。
责任编辑：mooreelite
文章来源于:半导体行业观察 原文链接
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