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用该技术制造出既坚韧又能在高温下运行的透明柔性电路。 研究人员将金属氧化物打印到聚合物上,从而制造柔韧灵活的电路。图片来源:美国科学促进会网站 金属氧化物薄膜是一种重要材料,几乎......
盐化合物具有的特性使其成为许多高性能电子元件的首选材料。 LBNL)。 科学家们发现,新型聚硫酸盐可用于制造聚合物薄膜电容器,这种电容器可以储存和释放高密度电能,同时还能承受超出现有聚合物薄膜电容器极限的热和电场。 “我们......
突破性方法将“顽固”金属转化为薄膜; 研究人员开发出一种突破性的方法来制造高质量的金属氧化物薄膜。图片来源:明尼苏达大学 美国明尼苏达大学双城分校领导的一个团队开发出了一种首创的突破性方法,可以......
柔性32比特微处理器问世;据英国《自然》杂志21日发表的一项电子学最新进展,英国一个科研团队报告称,他们结合金属氧化物薄膜晶体管和柔性聚酰亚胺,制成了一种柔性32比特微处理器,这一......
循环流程。我们将测量隔离区的材料厚度,并在隔离氧化物薄膜耗尽、即厚度为0时 (MEA_ISO_FT==0) 停止该工艺。在这个循环中,每个循环我们每隔 1nm 对氧化物材料进行1秒的刻蚀,并同时测量此时隔离区氧化物薄膜......
光刻胶中显影的四个鳍片(紫色) SEMulator3D 刻蚀终点探测循环 SEMulator3D 的工艺流程使用 Until Loop 循环流程。我们将测量隔离区的材料厚度,并在隔离氧化物薄膜耗尽、即厚度为0时......
艺流程使用 Until Loop 循环流程。我们将测量隔离区的材料厚度,并在隔离氧化物薄膜耗尽、即厚度为0时  (MEA_ISO_FT==0) 停止该工艺。在这个循环中,每个循环我们每隔 1nm 对氧化物......
镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展。 上海微系统所研究团队创新发展XOI晶圆转印技术,在国际上率先实现阵列化氧化镓单晶薄膜与1英寸金刚石衬底的异质集成。转移处理后氧化镓单晶薄膜材料摇摆曲线半高宽为78......
近发表在Advanced Electronic Materials上的一项研究中,来自日本的研究人员已经开发出一种直接的方法来制造用于高级电路的高质量软半导体。 现代集成电路技术依赖于称为互补金属氧化物......
结作为高透明、轻量化薄膜太阳能电池的活性层具有巨大潜力。 用氧化物半导体制造透明电子器件 阿卜杜拉国王科技大学从事新材料和新工艺开发的科学工程教授Husam N......
结果表明,较厚的聚合物薄膜能够增强和扩大微通道的滞留能力。此外,汉森溶解度参数(Hansen solubility parameters)被提出作为一种合适的工具,用于分析和确定聚合物-分析......
倒置) 数据保留:10年(最高摄氏85度) 封装:209mil 8-pin SOP 词汇与备注 1.可变电阻式内存(ReRAM): 为非易失性内存,藉由电压脉冲于金属氧化物薄膜,产生......
大限度地减少被测接点中的物理变化和电气变化。这种低开路电压不会穿透薄膜,因此提供的电阻测量会包括氧化物薄膜的电阻。干电路电阻只能用于4W功能的1Ω、10Ω、100Ω、1kΩ和10kΩ量程中(最大电阻2.4kΩ)。 ......
液的选择 印制板镀铜在我国已有三十余年的历史,镀铜技术也在日益成熟和完善。镀铜溶液有 多种类型如:硫酸盐型,焦磷酸盐型,氟硼酸盐型以及氰化物型。由于印制板基材是覆铜箔层压板,作为强碱性的氰化物......
~4:1)。 生产正极材料的主要原材料包括硫酸镍、硫酸锰、硫酸钴、金属镍、电池级碳酸锂、电池级氢氧化锂,主要辅料包括烧碱、氨水、硫酸等,该等原辅材料主要为大宗化学制品,市场......
℃,使得Cu箔表面的氧化物薄层与AlN 基板表面氧化产生的Al2O3反应生成CuAlO2 化合物,并产生冶金结合。 AMB 金属化: 在AlN 表面涂布一层AgCuTi 焊膏,并覆上Cu 箔,之后......
) · 封装:11-pin WL-CSP与8-pin SOP 注: 可变电阻式随机存取内存 (ReRAM):为非挥发性内存,藉由电压脉冲于金属氧化物薄膜,产生的大幅度电阻变化以记录1和0。其制......
助力行业发挥碳化硅和氮化镓金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的全部优势。我们很高兴与SABIC携手合作,将我们领先的工程技术能力与SABIC优异的材料创新能力整合起来。” 相较于传统的薄膜......
固态电解质路线方面的研究积累较深,2015年被英国戴森以9000万美金全资收购,其采用气相沉积方式制备氧化物薄膜。固态电池制造商Prologium公司攻克了陶瓷氧化物电解质电导率低、界面接触差、易脆......
尼兹新材料研究院团队的成果已经相当接近上限值,并高于液态硫酸钠材质的超级电容。而研究团队也表示该材料可经过 1 万次充放电循环仍然维持稳定,认为在未来的能源储存市场中将有一席之地。 研究团队表示铁氰化钾氧化还原材料提供更高的能量密度,以及......
尼兹新材料研究院团队的成果已经相当接近上限值,并高于液态硫酸钠材质的超级电容。而研究团队也表示该材料可经过 1 万次充放电循环仍然维持稳定,认为在未来的能源储存市场中将有一席之地。 研究团队表示铁氰化钾氧化......
通过AEC-Q200认证的新系列高功率薄膜环绕式贴片电阻---PHPA 系列。Vishay Dale薄膜PHPA 系列电阻有1206和2512两种外形尺寸,额定功率分别为1.0 W和2.5 W,采用耐湿性能优异的自钝化钽氮化物......
能提供更好的电池性能。其中氯化铁的晶体结构更适合储存和运输锂离子。 目前,电动汽车中最常用的阴极是氧化物,需要大量昂贵的镍和钴,这些重元素可能有毒,对环境构成挑战。相比之下,新开发的阴极只含有铁和......
与整合工程师在寻求隔离方案时可以考虑已经被证实可行的方法:沉积可调的平面介电层或共形二氧化硅或氮化物。但现在的介电层既需要可调性和共形性,也需要能够沉积含有硅碳键的薄膜如SiCO,从而获得更高的刻蚀选择性,因为......
子电池的制造和锂离子电池的制造基本兼容,可以沿用锂离子电池设备。钠离子电池的创新差异主要体现在正极等电池材料上。目前,钠离子电池正极材料体系主要分为层状过渡金属氧化物、普鲁士类化合物及聚阴离子类化合物三种技术路线。 据了......
射设备开展微电子工艺开发,ULVAC SME-200设备是一款多功能溅射设备,最多可以搭载八个腔室,可针对研究开发和少量生产用途,在8inch Si基板上进行沉积金属,氧化物,氮化物薄膜等先进材料,设备可实现全自动搬送、数据......
约能源和保护生态环境的角度来看,燃料电池是最有发展前途的发电技术。 铅酸电池 铅酸电池(VRLA),是一种电极主要由铅及其氧化物制成,电解液是硫酸溶液的蓄电池。铅酸电池放电状态下,正极主要成分为二氧化铅,负极主要成分为铅;充电......
森新材料瞄准材料技术前沿,用先进技术推动产品创新,保积极加大技术研发投入,结合自身优势开拓创新,以技术来武装产品,提高产品品质。目前主要产品有聚氯化铁、聚合硫酸铁、聚氯化铝、硫酸铝、磷酸铁、磷酸锌、氧化......
我国科学家研发出新型高性能聚合物热电材料;高性能聚合物热电材料研究取得新进展。记者25日从中国科学院化学研究所获悉,来自该所等单位的科研人员研发出新型高性能聚合物热电材料——PMHJ薄膜。相对于普通聚合物薄膜......
采用了SiNx,但是只对电池正面进行了钝化;PERC电池则同时对电池背面进行了钝化,使用了氧化铝和SiNx,但是为了金属化连接,烧穿工艺和背面打孔也导致了其钝化并非是全面积钝化;TOPCon电池目前量产采用了背面钝化......
极作为材料变化最大的组件之一,不像负极硬碳产业化一样有着较为明朗的前景,而是有着三条路线的优劣之争。 目前来看,层状氧化物、普鲁士蓝和聚阴离子三种应用于钠离子电池的正极材料都已进入产业化视野,处于批量生产前夕。 其中......
Microsemi扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体MOSFET产品系列;Microsemi宣布扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS) MOSFET产品系列,两款更大功率、更高电压(V......
TechXplore。“这篇论文介绍了一种独立的单晶钙钛矿薄膜的智能方法,这些薄膜通常被视为易碎的陶瓷,但具有丰富的功能。这种方法提供了将这些材料转移到任意基板上并将它们与各种材料集成的机会。” 作为最有前途的钙钛矿氧化物......
助力行业发挥碳化硅和氮化镓金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的全部优势。我们很高兴与SABIC携手合作,将我们领先的工程技术能力与SABIC优异的材料创新能力整合起来。” 相较于传统的薄膜......
助力行业发挥碳化硅和氮化镓金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的全部优势。我们很高兴与SABIC携手合作,将我们领先的工程技术能力与SABIC优异的材料创新能力整合起来。”相较于传统的薄膜......
在话筒外壳上)。 薄膜是有弹性的,一般既起到振动的作用,也起到把线圈拉回初始位置的作用。薄膜一头固定在话筒外壳上,一头连着线圈。   当薄膜振动时,带动线圈振动,线圈和永磁铁的相对位置改变,这使......
电流、1.31×107的光暗电流比、1.31×1015 Jones的比检测率和 53 A/W的光响应度,表现出相当优异的对日盲紫外光的探测性能。 同时针对外延薄膜光电探测器暗电流大的不足,研究团队在金半界面处引入了钝化......
子设备发生故障。爬行腐蚀发生在裸漏的铜面上,受外部环境介质(气态或液态)的作用(化学的或电化学的)在其表面所起的扩散、堆集而形成的异相反应,进而变成氧化物、硫化物、氯化物等化合物的现象。 2.2 失效......
透明电接触是先决条件。这是通过使用透明导电氧化物(TCO)替代传统(即单面)钼制太阳能电池中的不透明背接触来实现的。 有害的氧化物形成 高效CIGS太阳能电池一般采用550℃以上......
国德累斯顿工业大学研究人员为首的一个国际科学家团队利用叶片的准分形木质纤维素结构——实质上是叶片的叶脉结构——制造出可生物降解的聚合物薄膜。换句话说,他们制造出以叶片为基础的电子设备(研究人员称之为leaftronics,即叶电子设备)。这一过程的细节11......
论文已于 7 月 26 日发表在《科学》上(IT之家附 DOI:10.1126/science.adn9453)。 这一研究成果提供了一种面向大面积太阳能模组的气相氟化处理方法,为获得均匀且稳定的大面积钙钛矿薄膜......
开发出可以长时间使用的电池。 日本科学技术振兴机构(JST)也在开展使用氧化物电解质的全固体蓄电池的开发。总体负责相关项目的日本物质与材料研究机构的负责人高田和典谨慎地指出,「尽管薄膜......
铝。 ▲ 三水铝石是铝的氢氧化物矿物,在铝......
室温附近具有可逆的绝缘-金属相变,是制备高开关比突触器件的理想材料。 研究人员利用氧化物分子束外延设备克服了高纯相结构的单晶二氧化钒薄膜的制备瓶颈,生长了高质量二氧化钒外延薄膜,并通......
用予以介绍。 一、柔性PCB的类型 1、单面柔性 作为最简单的类型,单面柔性电路在介电层(聚酰亚胺或聚合物薄膜)的一......
锂对锂的吸附能力比以前使用的吸附剂高出5倍。 利用新研制的工艺从矿山、油田和旧电池渗出的废液提取锂,研究人员证实氢氧化铝可作为硫酸锂的吸附剂并保留它。 “与其他直接提锂方法相比,这种工艺的关键优势是适用的PH值范......
研究首创高迁移率稳定的非晶P型(空穴)半导体器件,突破该领域二十余年的研究瓶颈。这一突破将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展。 相比于多晶半导体,非晶体系具有诸多优势,如低......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破;近日,厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在(β-Ga2O3)外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展,为β-Ga2O3异质外延薄膜......
的机械性能等。    作为一家具有长期历史沉淀的电解液公司,昆仑新材自2020年就开始与国内外科研院所合作并开发固态电池所需的相关技术,公司在凝聚态电解质,氧化物固态电解质,硫化物......
氢冶金就是在还原冶炼过程中主要使用氢气作还原剂。氢是最活泼的还原剂,在铁氧化物的气-固还原反应过程中,提高气体还原剂中氢气的比例,可以明显提高其还原速率和还原效率。与一氧化碳的还原潜能相比,氢气的还原潜能大大高于一氧化碳。用氢气还原氧化......

相关企业

;泰兴市泰禾金属有限公司;;我公司主要生产氧化铜,氧化镍,硫酸铜,硫酸镍产品。已形成氧化铜年产1500吨,高纯氧化亚镍年产400吨,硫酸铜年产1000吨,精制硫酸镍年产400吨的规模。公司
;上海跃江钛白化工制品有限公司第一分公司;;※无机颜料系列产品 金红石型钛白粉(R1930/R218/R828) 锐钛型钛白粉(BA01- 01/ A101 / A102 /A100) 氧化
锂 | 氯化锂 | 高氯酸锂 | 硫酸锂 | 硝酸锂 铯盐系列 | 碳酸铯 | 硫酸铯 | 硝酸铯 | 氟化铯 | 氯化铯 | 氢氧化铯 | 碘化铯 铷盐系列 | 碳酸铷 | 硫酸铷 | 硝酸铷 | 氟化
;上海江沪钛白化工制品有限公司销售部;;钛白粉(锐钛型/金红石型);食用级白色素;化妆品级钛白粉;医药级白色素;超细硫酸钡系列;沉淀硫酸钡系列;氧化锌(直接法/间接法);三氧化二锑;高岭土(煅烧
;新乡市未来水化学有限公司.;;新乡市未来水化学有限公司始建于1988年,主要从事混合金属氧化物涂层钛电极的研究和生产,主要产品有:钛电极、镀铂钛阳极、钛涂钌电极、钛涂铱电极、电渗析电极(丝状、网状
;佛山市多米金属材料有限公司;;欢迎光临佛山市多米金属材料有限公司。 本公司位于佛山市禅城区,集科研、生产、经营于一体。公司的主要产品有:(一)电解铜粉、硫酸铜、氧化锌、氧化铋、锌粉、硒粉、碲等
;姜堰市顺发过氧化物有限公司;;
形磁铁、瓦形、圆台形、圆环形、梯形磁铁和一些不规格的异形磁铁生产厂家,是目前国内较大的一家从金属氧化物的提炼到 钕铁硼强磁 (成品)一条龙生产的大型 磁铁厂家 。并为
日本青木固株式会社制造的进口设备,是一个集科、工、贸为一体的大型纯净水桶、矿泉水桶、薄膜薄膜专用母料、工业硫酸、工业无水亚硫酸钠的专业生产厂家。
;姜堰海翔化工有限公司;;过氧化苯甲酰(BPO,过氧化二苯甲酰),叔丁基过氧化氢(过氧化叔丁基,TBHP),二叔丁基过氧化物/过氧化二叔丁基(引发剂A),过氧化苯甲酸叔丁酯(CP-02,引发剂C