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碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何受到资本青睐？未来氧化镓是否能取代碳化硅？
第四代半导体材料氧化镓......
巨光东来第三代砷化镓太阳能电池项目签约天津(2024-10-31 14:17)
冀产业链供应链重点项目签约仪式上，咸水沽镇人民政府与巨光东来新能源有限公司就第三代（砷化镓）光伏发电系统及钠离子电池产业化项目进行签约。
砷化镓是光电及通信领域不可或缺的原材料，广泛应用于制造高频、高速、大功率、低噪......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
式天线系统和一些微波链路：砷化镓MMIC在这些市场的优势是射频功率低，TriQuint 半导体T2G4005528-FS(图1)是GaN竞争的典型代表，这种碳化硅衬底的氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管)工作......
“半导体口粮”出口管制影响多大？上市公司回应来了(2023-07-05)
大概率会引起下游产品价格变动。
以金属镓为例，目前我国金属镓的消费领域包括半导体和光电材料、太阳能电池、合金、医疗器械、磁性材料等。在半导体材料领域，金属镓是砷化镓、氮化镓的重要原料之一。
国金......
什么是晶体管呢？ 世界需要更好的晶体管吗？(2022-12-15)
管同时荣获诺贝尔物理学奖。肖克利也被誉为晶体管之父。
芯片有如此强大的功能，为什么晶体管可以胜任呢?
我们知道，对于数字电路来讲，逻辑是其精髓所在，所有的功能归根结底，都可以说是逻辑功能。而逻......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
。
氧化镓的禁带宽公开报道是4.9eV，砷化镓的禁带宽为1.6eV，氮化镓是3.36eV。另据报道，硅的禁带宽为1.1eV，如果干瘪的数字不好比较，那我们就打一个比方：假如4.9eV与3.36eV......
又贵又强的砷化镓电池 未来能便宜点吗(2024-04-10)
山区的雷达站和微波通讯站也部分使用这种电池提供电源。
何为单结和多结
前文提到了，砷化镓电池分为单结和多结，那么，单结和多结到底是什么意思呢？
三棱镜将白光色散成各种颜色的光，图片来自维基百科。
众所周知，牛顿......
8月1日起！中国正式限制镓、锗等芯片关键材料出口(2023-08-01)
中指出，镓相关物项包含氮化镓、砷化镓、铟镓砷等;锗相关物项包含磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗等。
此举也引发了海外厂商囤货，因为没有这些是生产的关键材料，没有将没办法生产。
与铜......
重点研发“卡脖子”项目，同济大学氧化镓材料项目签约江苏无锡(2023-06-21)
共服务平台，建立院士工作站，挂牌“同济大学人工晶体研究院”等项目内容。
氧化镓是提升集成电路产业市场竞争力、实现产业跨越式技术进步的重要材料，正在逐渐成为半导体材料界一颗冉冉升起的新星，市场......
射频从业者必看，全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读(2017-02-08)
)、手机及无线区域网路用功率放大器 ( PA )与雷达系统上。
砷化镓电晶体制程技术分为三类：
A.异质接面双极性电晶体(HBT)
B.应变式异质接面高迁移率电晶体(pHEMT)
C.金属半导体场效电晶体......
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动(2024-09-29)
用于制作LED；半绝缘砷化镓则应用到微电子领域，单晶生长方法有VGF、VB、液封直拉法（LEC），单晶尺寸有Φ4”和Φ6”，主要用于制作射频(RF)功率器件。此外，砷化镓还有另一种模拟生长工艺方法，是通过计算机来实现砷化镓的晶体......
“白菜化”的有源相控阵雷达(2024-01-12)
曾经高大上的有源相控阵雷达可以在我国遍地开花呢？这个问题可以从两个方面回答，第一是原材料、第二是技术水平。
有源相控阵的所使用的材料一般为砷化镓、，让我们回到本篇开头的那则新闻：我国是世界上最大的镓出口国，而且镓产量以绝对的优势稳居世界第一。而中国的镓产量为什么......
中国对镓和锗实行出口管制 全球芯片厂商慌了(2023-07-06)
白色的锗是锌生产的副产品。
镓和锗都是极为重要的稀缺战略资源。低熔点、高沸点的镓，有着“电子工业脊梁”的美誉。其高导电性、中等导热性、液态低毒等特点，使它成为半导体元件的关键材料。加工而成的砷化镓化合物，可以......
拟上科创板！砷化镓衬底厂商通美晶体已进行上市辅导(2021-06-07)
拟上科创板！砷化镓衬底厂商通美晶体已进行上市辅导;6月6日，据北京监管局披露，海通证券发布关于北京通美晶体技术股份有限公司（简称“通美晶体”）首次......
3家半导体厂商正式闯关科创板(2022-01-11)
半导体材料项目、以及补充流动资金。
据披露，砷化镓半导体材料项目分为砷化镓（晶体）半导体材料项目和砷化镓（晶片）半导体材料项目两个子项目，产品主要为2、3、4、5、6、8英寸砷化镓......
GaN将成PA主流技术，这家公司恐成最大赢家(2017-07-27)
回程网络等相关组件，同一时段CAGR各为12.5%、5.3%。 再者，鉴于效能较高、体积较小且稳定性较佳，砷化镓(GaAs)、GaN等固态技术将在国防应用上逐渐取代真空管，提供RF功率组件更多发展机会。 Yole预期......
SiC与GaN助力宽禁带半导体时代到来！(2021-01-04)
了她对宽禁带半导体市场发展的分析以及对特定新兴市场的预测。
Power Electronics News（PEN）: 您是YoleDéveloppement半导体和新兴材料部门的成员，研究范围涉及碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟以及新兴材料趋势。您认为，宽禁带半导体当前的发展趋势和市场机会是什么......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
性质各有千秋。目前研究比较多的是β相（热稳定性最佳，禁带宽度~4.8eV），而α相（高禁带宽度~5.3eV）和ε相（极化率十倍于氮化镓，适合于高电子迁移率晶体管）方面的研究也逐渐增加。所以从材料属性来说，氧化镓是......
英飞凌对英诺赛科提出专利侵权诉讼(2024-03-14)
美国进口各种产品侵犯了英飞凌的上述专利，这些产品包括应用于汽车、数据中心、太阳能、电机驱动、消费电子产品的氮化镓晶体管，以及在汽车、工业和商业应用中使用的相关产品。
英飞凌电源与传感系统事业部总裁Adam White表示......
华为哈勃持股23.91%，年产能15万片的化合物半导体项目投产(2022-04-25)
企业也已经正式向资本市场发起冲击，其中，华为哈勃持股3.74%的长光华芯已于今年4月1日正式登陆科创板，北京通美晶体的科创板申请则已完成首轮问询。此外，华灿光电、有研新材、以及三安光电等A股公司在砷化镓......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！(2022-12-09)
说不具备大尺寸主面（001）晶相氧化镓晶体的生长工艺，氧化镓市场应用端推动过程将极为困难。
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氧化镓是“何方神圣”？
氧化镓，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O3单晶......
摩尔定律还能延续？纳米碳管电晶体性能已超越矽电晶体(2016-10-18)
，并且首次在性能上同时超越了矽电晶体和砷化镓电晶体。
顾名思义，纳米碳管晶体是由纳米碳管做为沟道导电材料制作而成的电晶体，其管壁只有一个原子厚，这种材料不仅导电性能好，而且体积能做到比现在的矽电晶体......
性能比硅优越的半导体材料，立方砷化硼取得研究进展(2022-07-25)
理工学院研究人员首次取得重要科学进展，于实验中发现立方砷化硼晶体为电子、电洞提供高载流子迁移率，扩大该材料于商业领域的潜在用途，比如提高CPU速度。
硅、砷化镓等材料具有良好的电子迁移率，但电......
上海、山西、辽宁、湖南...国内再添一批第三代半导体项目(2021-08-12)
集团旗下控股子公司正威金控完成向海特高新旗下控股子公司海威华芯的12.88余亿元增资，本次增资扩股完成后，正威金控持有海威华芯34.01%股权，成为海威华芯第一大股东。
据悉，海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建，是国内6英吋砷化镓......
单片机中晶振的工作原理是什么？(2024-10-16 16:19:20)
单片机中晶振的工作原理是什么？;
晶振在单片机中是必不可少的元器件，只要用到CPU的地方就必定有晶振的存在，那么晶......
激励核心技术团队 立昂微1元转让立昂东芯9%股权(2021-02-09)
昂东芯的核心技术力量，也是未来发展不可缺少的主要技术支柱。
截至目前，汪耀祖率领的技术团队已经为立昂东芯开发了6款高集成的铟镓磷异质结双极型晶体管（InGaP HBT），7款亚微米至深亚微米砷化镓赝高电子迁移率晶体......
HMC554A-DIE数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:11)
HMC554A-DIE数据手册和产品信息;HMC554ACHIPS 是一款通用型双平衡混频器，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体......
氮化镓激光芯片终于实现国产，氮化镓正在向快充以外的市场进军(2023-08-29)
众所周知，第一代半导体材料代表是硅，主要解决数据运算、存储的问题；第二代半导体材料以砷化镓为代表，它被应用到于光纤通讯，主要解决数据传输的问题；而第......
宜普电源转换公司起诉竞争对手英诺赛科，要求保护新兴氮化镓（GaN）技术专利(2023-05-25)
成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路，较使用硅基器件而言更高效，更轻巧且成本更低。
宜普公司位于美国加利福尼亚州的埃尔塞贡多（El Segundo），将氮化镓......
高通PA杀入供应链，大补贴抢市场吓慌Skyworks(2017-08-02)
供应商采用砷化镓（GaAs）工艺不同。但是由于CMOS的性能问题始终没能得到有效解决，于是在今年早期，高通开始转向GaAs工艺。
高通更宣布与日系零组件大厂TDK合资，拟在......
HMC424A-DIE数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:02)
HMC424A-DIE数据手册和产品信息;HMC424A芯片是一款宽带、6位、砷化镓(GaAs)、数字衰减器单芯片微波集成电路(MMIC)，以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰......
GaN激光雷达普及加速 | 氮化镓技术如何推动ToF激光雷达产业的加速发展？(2022-02-11)
) 基于氮化镓器件的激光雷达解决方案
是什么？
飞行时间(ToF)激光雷达的应用案例
驱动设计与控制
杂散电感的影响
使用氮化镓器件的优势
3) 激光雷达专用eToF GaN集成电路(EPC21601......
34亿！华芯珠海砷化镓晶圆生产基地项目竣工(2025-01-13)
34亿！华芯珠海砷化镓晶圆生产基地项目竣工;1月9日，据珠海建安消息，由珠海建安承建的格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目近日通过竣工验收。
据悉，由华芯微电子主导的格创·华芯砷化镓......
智能穿戴产品对晶振的要求(2024-05-13)
智能穿戴产品对晶振的要求;智能穿戴行业如火如荼,那么这些有着特殊功能的手表,它们用的是什么晶振呢？用于这些科技智能产品的晶振到底有哪些普通晶振没有的特性？今天小编就带与您一起了解一下：
材料......
北京中科芯电分子束外延片等项目签约江苏常熟(2022-11-25)
透明显示芯片、深圳氮化镓外延片等项目。其中，北京中科芯电分子束外延片项目，团队由中国科学院半导体研究所博导曾一平领衔，成员多为国内半导体材料行业尖端人才。项目总投资5亿元，其中设备投资约4.8亿元，将建设砷化镓......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
（极化率十倍于氮化镓，适合于高电子迁移率晶体管）方面的研究也逐渐增加。
所以从材料属性来说，氧化镓是一种很有希望的超宽禁带材料。氧化镓的优势不仅是材料性能高，更重要的是成本较低。2019年有......
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工(2024-02-29)
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工;菏泽市牡丹区吴店镇消息显示，2月26日，吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。
据悉，菏泽市牡丹区砷化镓......
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目完成竣工验收(2025-01-14)
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目完成竣工验收;据珠海建安消息，近日，格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目顺利通过竣工验收。
消息称，格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目总投资33.87亿元，被认......
功率半导体器件的设计与制造工艺的核心环节，且这些创新技术专利已成功将基于氮化镓的功率器件从一个研究项目，发展成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路，较使用硅基器件而言更高效，更轻巧且成本更低。
宜普......
宜普电源转换公司（EPC）在美国国际贸易委员会起诉竞争对手英诺赛科，要求保护新兴氮化镓（GaN）技术专利(2023-05-25 14:28)
功率半导体器件的设计与制造工艺的核心环节，且这些创新技术专利已成功将基于氮化镓的功率器件从一个研究项目，发展成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路，较使用硅基器件而言更高效，更轻巧且成本更低。宜普......
总投资60亿元的先进化合物半导体项目落户江苏宜兴(2022-03-16)
科技先进化合物半导体材料及元器件项目总投资60亿元。
项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
HMC1132PM5E数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:42)
HMC1132PM5E数据手册和产品信息;HMC1132PM5E 是一款四级、砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)功率放大器。该器......
60亿元德融科技先进化合物半导体材料及元器件项目落户宜兴(2022-03-15)
正式落户宜兴经济技术开发区。
据悉，该项目总投资60亿元，项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
全新MASTERGAN1，让GaN晶体管更具说服力和直观性(2024-12-11 10:52)
为实尽管有这些理论知识，但要说服决策者可能依然困难重重。虽然GaN晶体管并不是什么新鲜事物，但是它们在大批量产品电源中的使用仍然是新颖的。要使GaN和MASTERGAN1的功能展示变得更加简单，必须......
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地设备进机(2024-08-06)
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地设备进机;据珠海高新区消息，8月3日上午，格创·华芯半导体园区落成暨设备进机仪式举行。
格创·华芯半导体园区总投资33.87亿元，是格......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺(2024-04-10 14:07)
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，暌违三年有余，作为......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺(2024-04-10)
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，暌违三年有余，作为......
世平基于安森美半导体 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN(2022-12-09)
世平基于安森美半导体 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN;GAN_Fet驱动方案()。 本文引用地址：数十年来，硅来料一直统治著电晶体世界。但这个状况在发现了砷化镓（GaAs......
盘点！2021年第一季度化合物半导体主要项目汇总(2021-04-12)
负责推进、实施微波射频集成电路芯片项目。
项目总投资约 43 亿元，建成后预计年产 36 万片 6 英寸砷化镓/氮化镓微波射频集成电路芯片。其中包括年产 18 万片砷化镓 HBT 和 pHEMT 芯片......
相关企业
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
;嘉盛电子商行;;深圳市嘉盛电子一直以信誉为主． 诚信经营，货真价实． 是什么货就是什么货．质量保证 以跟广大客户长期合作为基础． 价格可以谈，质量你放心．
;上海联单数码科技有限公司;;还是什么都没有
;香港忠芯国际电子有限公司;;本公司只做自己的现货,报价什么就是什么,欢迎来电. 查看全部>> 主营：只卖自己库存， 欢迎询价！
;隆兴家电维修部;;其实也不是什么公司，就是一个小小的家电维修部
;汕头市万达电子商行;;汕头市万达电子商行已有多年的电子销售经验！ 一直持以“诚信经营”“质量第一”坚决对假货说不，的经营 信念！是什么货就报什么货。在业界已积累不错的口碑！为了 快捷交易，我均
;北京展创世纪科技有限公司;;经销商一个，现货不多，承诺什么货就是什么货，不卖假货，不坑人。保证原装就是已知可靠来源。绝不做缺德事。可供一些冷偏门及部分军工，主营自己的终端客户，少有贸易。感谢
精密加工、光学镀膜和检验分析的设备和技术力量，拥有大批量生产应用于红外的砷化镓激光晶体材料、高功率激光镜片、F-θ扫描镜、扩束境、专业切割镜、高效反射镜的系列化生产线，可向
信的生产厂家及军工等领域的科研院所。公司主要同美国、欧洲、韩国、台湾的著名微波、毫米波、光电子零部件生产厂家合作，为国内广大生产企业及科研院所提供超优性价比及最稳定、快捷的供货保证。 公司主营：微波、毫米波（砷化镓场效应管、砷化镓
and passive components and unique in our ability to provide integrated solutions.;TriQuint 半导体公司采用砷化镓