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时，部分能量会不可避免地转换为热。这部分被浪费的能源称为功率损耗，因此尽可能地降低功率损耗有助于提高能源使用效率。轨道车辆中的电力电子设备具体是指用来控制电机的逆变器和其他设备。逆变器中的功率......
变频调速装置有哪些特点;变频技术是将电信号须率按照控制的要求：通过具体的电路实现电信号项率变换的应用型技术。 变须技术是应交流电机无级调速的需要而产生的，它的发展建立在电力电子技术的创新、电力电子器件......
常用的功率元器件大全;常用的功率元器件有哪些？本文引用地址：电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常......
、温度下的损耗数据，那么在实时仿真时，可以直接同Look up table查表得到。 可以实时仿真的电力电子器件的特性如下： 1.开通延时，通过delay模块实现 2.关断延时，通过delay模块......
于提高设备效率； 低的功率损耗有助于减少热量的产生，从而允许使用更小、重量......
米的无尘车间。 据介绍，博世自2021年底起就在罗伊特林根工厂大规模量产碳化硅芯片，以应用于电动和混动汽车的电力电子器件中。碳化硅芯片可帮助电动汽车延长6%的续航里程。 此外，为了让电力电子器件......
、IAM1、TJ 和 RG 等参数）计算功率损耗和开/关能量。PLECS 还可以将这些仿真的功率损耗插入带有其他一些参数（如 RTH 和 TFLUID）的 Cauer 模型中，对半......
模块的开关特性进行仿真有助于预测开关电压波形并确定纹波。可以使用 2D 和 3D 查找表（使用 VDC、IAM1、TJ 和 RG 等参数）计算功率损耗和开/关能量。PLECS 还可以将这些仿真的功率损耗插入带有其他一些参数（如 RTH 和......
OBC 和DC/DC 转换器，以实现更高的效率、功率密度和可靠性，降低功率损耗，从而实现更好的电气性能。另一方面，它关注客户的需求。从这个意义上讲，领先的电力电子制造商会定期发布几代设备，下一......
英飞凌推出第二代CoolSiC MOSFET，为电力电子领域设定新标准;在当今高度依赖电力的社会中，功率损耗已成为电力电子领域不可忽视的关键因素。为满足行业对更高效、更可靠的电力处理方案的需求，英飞......
英飞凌推出第二代CoolSiC MOSFET，为电力电子领域设定新标准;在当今高度依赖电力的社会中，功率损耗已成为电力电子领域不可忽视的关键因素。为满足行业对更高效、更可靠的电力处理方案的需求，英飞......
只需要断断续续的打开大水管上的阀门就能保证桶内的水既不会干涸也不会溢出，这就是MOSFET与IGBT等可以快速开关的功率半导体的工作原理，由于晶体管不会处于常开状态，其损耗相对较小，发热较低，可靠性更高。 功率半导体器件又称为电力电子器件......
用涉及到领域广泛，包括电动汽车、航空航天、新能源、电力电子等，是下一代功率器件的主要方向之一。随着技术的不断进步和应用场景的不断拓展，SiC驱动器模块的性能将进一步提高，应用范围也将更加广泛。 SiC驱动......
的研发投入和产业链布局，不断提升自主创新能力和市场竞争力。随着国内市场的不断扩大和政策的支持，国内IGBT产业有望迎来更加广阔的发展前景。 综上所述，IGBT作为一种高性能的功率半导体器件，在电力电子......
应用中实现高频、高效、高能量密度、低成本的目标，从而推动电力电子系统的发展。 图1: 碳化硅器件应用范围示意图1 图2: 典型应用场景对应的功率等级2 从技术上讲，随着近些年来电力电子系统功率密度和电力电子......
装置中。为了让电力电子器件价格更低、效率更高，博世正在探索使用其他类型的芯片，例如博世正在开发可应用于电动汽车的氮化镓芯片。不过，博世集团表示，在应用于汽车前，氮化......
在整个温度范围内相对平稳。另一个性能因素是 RDSon 极低，大约为 15 mΩ 或更小；即使在很高的工作电压下，它也能达到该规格水平。这使得功率损耗大大降低，从而提升了效率。 以下几个重要技巧能够帮助您在设计新的电力电子......
使用隔离式栅极驱动器的设计指南（三）：设计要点和PCB布局指南;本设计指南分为三部分，将讲解如何为电力电子应用中的功率开关器件选用合适的隔离器，并介绍实战经验。上两......
变器设计电压高达 800 V。 虽然硅仍然在电力电子领域占据主导地位，但 SiC 提高了牵引逆变器核心功率 MOSFET 的标准，牵引逆变器将高压电池组的电力转换为电动汽车电机的电力。其中，高效、可靠和安全地驱动这些功率器件比驱动硅器件......
和宽频带通信等领域有着巨大的应用前景。 公司的电力电子器件产品具有高效率、高速度、高结温的特点，在工业控制、电源、电动汽车以及太阳能逆变器领域应用广泛，能够有效降低电能转换系统损耗50%以上，同时成倍地减小设备体积，减少......
来源：罗姆 碳化硅具有特殊的导电性能，可用于生产开关速度快、损耗低的电力电子芯片。同时，碳化硅芯片具有更强的耐热性，因此可以提高电子器件的功率密度。得益于这些特点，碳化硅电子元器件的转换损耗比传统硅（Si......
硅(SiC)是一种非常适合电力应用的半导体，这主要归功于它能够承受高电压，比硅可使用的电压高十倍。基于碳化硅的半导体具有更高的热导率、更高的电子迁移率和更低的功率损耗；从而碳化硅(SiC)二极......
新型100V氮化镓功率级挑战功率密度极限;在硅统治了数十年之后，氮化镓在电力电子领域风靡一时。 近年来，该材料因其许多优异的特性而受到青睐，即减少栅极电荷 (Qg)、输出电容 (COSS) 和反向恢复损耗......
使得碳化硅材料可以很好地适用于高性能(高频、高温、高功率、抗辐射)电子器件。高的热导率有利于大的热耗散和高密度集成，高的载流子饱和迁移速率可以使之应用于高速开关器件；高的临界位移能使碳化硅器件的抗辐射性能优于Si器件。 主要......
界上最早开发、制造和销售功率半导体用氧化镓晶圆的公司之一，拥有三菱电机制造氧化镓功率半导体产品所需的晶圆制造技术，是氧化镓晶圆领域的领军企业。三菱电机通过生产硅（Si）和碳化硅(SiC)半导体，持续为电力电子......
温度的升高，电流增益减小，驱动损耗增加。对于10 kV及更高电压，SiC IGBT非常合适。 结语 SiC功率器件所展示的卓越动态特性为以前不切实际的电路铺平了道路。与传统的硅功率半导体器件相比，SiC电力电子器件......
。东芝开发出全球首个集成于半桥（HB）模块的分流式MOS 电流传感器。当其用于GaN 功率器件等器件时，该传感器可使电力电子系统具有很高的电流监测精度，但功率损耗不会增加，并有助于减小此类系统和电子......
主要应用于新能源车的电驱电控系统，相较于传统硅基 功率半导体器件，碳化硅功率器件在耐压等级、开关损耗和耐高温性方面具备许多明显的优势，有助于实现新能源车电力电子驱动系统轻量化、高 效化，它广泛应用于新能源车的主驱逆变器、OBC......
。 　　这些损耗虽然在空载时很小，但在大型电机中仍然会产生相当的功率损耗。因此，为了提高电机的效率，减少电能损耗，应尽量减少电机的空载运行时间。 　　异步电机空载损耗有......
系统中采用，但现在，越来越多的应用正在被解锁。在使用电力电子器件的设备和系统设计中都必须评估在系统中可能的潜力，以及利用这一潜力的最佳策略是什么。那么，你从哪里开始呢？本文引用地址： 工程......
用好氮化镓不止需要功率器件，驱动一样值得注意;GaN FET 在高频 DC-DC 转换器等电源系统中越来越受到青睐。因此，电力电子领域的大多数主要厂商都推出了氮化镓 (GaN) 功率 FET，这些器件......
用好氮化镓不止需要功率器件，驱动一样值得注意;GaN FET 在高频 DC-DC 转换器等电源系统中越来越受到青睐。 因此，电力电子领域的大多数主要厂商都推出了氮化镓 (GaN) 功率 FET......
于太阳能和其他可再生能源发电系统。该模块采用第8代绝缘栅双极型晶体管（IGBT）芯片，有助于降低太阳能发电系统、储能电池等电源系统中逆变器的功率损耗，提高逆变器的输出功率......
电子负载仪的使用场合有哪些;电子负载仪的使用场合： 1、可应用于大功率开关电源、电源装置设备、动力电池组和电子元器件测试的负载模拟。本系列产品的多项功能为测试大功率电源及电子产品，提供......
)] + Tcmax 14、电感功率损耗推导 电感的功率损耗由两部分组成：直流损耗和交流损耗。在低开关频率和低功率下，AC 损耗很小，因此根本不包括在计算中。但是......
年看不到任何缓解的迹象。 硅基器件受限，SiC功率器件突围 长期以来，车规级功率半导体主要采用硅基材料，但受自身性能极限限制，硅基器件的功率密度难以进一步提高，硅基材料在高开关频率及高压下损耗......
切入电力电子器件，LED企业在GaN领域谋转型;随着氮化镓（GaN）功率器件市场份额逐渐增加，近年来GaN功率器件供应链参与者日益增多。从参与企业类型来看，除了英诺赛科、纳微半导体、聚能......
Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合，适用于可持续发展、电动出行和数据中心应用; 【导读】为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求，功率......
市场的领先工具。 PDW 已用于优化低至 4nm 的所有技术节点的设计，对于大型设计尤其有帮助。 一旦设计的初始布局可用，设计师就应用 PDW，无缝地伴随开发过程，直到设计完成核签。 当设计人员在寻找优化功率晶体管和电子器件的......
。Srivastava 表示：“通过将电压提高 4 倍，电流可以减少了 4 倍，传导损耗减少了 16 倍。机架中的每个转换器也经过重新设计，以提高效率。通过高效转换器，可以优化与芯片直接供电相关的功率损耗。例如将芯片的电源直接堆叠在顶部有助于减少这种功率损耗......
在高电压和高温环境下稳定驱动方面表现非常出色。 凭借这些特点，与传统的Si相比，使用SiC功率元器件的电力电子设备可进一步减少功率转换过程中的损耗。尤其是在800V这样的高电压条件下，SiC......
宽度是Si的3倍，而且拥有更优异的散热特性，因而在显著降低功率损耗、实现应用设备的小型化、以及在高电压和高温环境下稳定驱动方面表现非常出色。 凭借这些特点，与传统的Si相比，使用SiC功率元器件的电力电子设备可进一步减少功率转换过程中的损耗......
），进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比，新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器，可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99%的效率，并将电源磁性器件的......
功率电子清洗工艺如何选？;ZESTRON工艺工程师常常接到这样的问询：你们的清洗剂可以清洗铜基板吗？会不会腐蚀IGBT芯片？有哪些工艺可以清洗功率模块？ 功率电子组件的......
。根据栅极驱动级的特性，必须增加100-200纳秒（ns）的极短联锁死区时间。 2.2  SiC T-MOSFET的功率损耗分析 SiC T-MOSFET的瞬时导通损耗影响开通电阻RDS......
考虑驱动的对称性和动态均流问题; -- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保证漏源通态电阻很小; -- 器件的......
航天等领域。 　　一、IGBT应用在轨道交通中： 　　IGBT器件已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件。交流传动技术是现代轨道交通的核心技术之一，在交流传动系统中牵引变流器是关键部件，而......
并可实现高开关频率。在许多应用中，较高的开关频率可提高其他系统组件（如滤波器、变压器或电机）的功率密度。因此，电力电子转换器变得更加紧凑，节省了材料和相关成本。 最新的SiC器件......
产业界首批通过JEDEC和AEC-Q101认证的高压GaN半导体器件。该公司的垂直整合设备业务模式支持在每个开发阶段进行创新：设计、制造、设备和应用支持。Transphorm的创新使电力电子器件......
-MOSFET相比，功率损耗降低了约50%，从而提高了逆变器性能，延长了xEV的续航里程，并降低了电力成本。 特有制造技术助力提升xEV性能 三菱......

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