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昕感科技6-8吋功率半导体厂房项目封顶(2024-01-31)
生产无尘室面积达1万平,包括主FAB厂房(分二期建设完成),以及CUB动力站、甲/乙类库、供氢站等配套设施。届时将引进I-line光刻机、刻蚀机台、UV贴膜机、氧化炉、高温注入机等各类生产设备,将全......
ab类功放有什么特点(2024-09-03)
ab类功放有什么特点; ab类功放详解
A(甲)类功放对于B(乙)类功放而言,声音上有明显优点是无庸置疑的,我就从它们的工作原理来谈谈。
晶体管功率放大器是由三极管组成的,而三......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04)
定值通常为100 µA的竞争器件。
欲了解关于安森美的EliteSiC方案的更多信息,请访问onsemi.cn或于美国时间1月5日至8日在美国内华达州拉斯维加斯举行的消费电子展览会(CES)莅临安森美展台。......
美国正在审查中国使用RISC-V芯片技术对国家安全的影响(2024-04-24)
开发可能会违反直觉,让中国芯片设计者比美国同行更具优势。
2019年5月29日,RISC-V X AIOT/5G新嵌入式智能解决方案论坛上,中国RISC-V产业联盟理事长、上海......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04 15:25)
问onsemi.cn或于美国时间1月5日至8日在美国内华达州拉斯维加斯举行的消费电子展览会(CES)莅临安森美展台。关于安森美(onsemi)安森美(onsemi, 纳斯达克股票代号:ON)正推动颠覆性创新,帮助......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04)
命名为“EliteSiC”。在本周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上,安森美将展示EliteSiC 系列的3款新成员:一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩......
Vishay推出的新款10 MBd低功耗光耦,供电电流低至5 mA,电压范围2.7 V至5.5 V;Vishay推出的新款10 MBd低功耗光耦,供电电流低至5 mA,电压范围2.7 V至5.5 V......
联手英伟达,美国初创公司推出首款商用电动可自动驾驶拖拉机(2022-12-05)
联手英伟达,美国初创公司推出首款商用电动可自动驾驶拖拉机;
IT之家 12 月 5 日消息,近日,英伟达公司和美国加州一家初创公司 Monarch Tractor 合作,推出......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04)
的更多信息,请访问onsemi.cn或于美国时间1月5日至8日在美国内华达州拉斯维加斯举行的消费电子展览会(CES)莅临安森美展台。
......
Bourns 推出第二代符合 AEC-Q200 标准的高爬电/间隙距离 汽车级隔离电源变压器(2024-06-13)
-232 隔离设计中的隔离应用。
Bourns 最新的高压隔离变压器具有 3.3 V 或 5 V 输入至多种输出电压配置 (在不同匝数比配置中高达 350 mA......
RISC-V 在欧洲展现出雄心勃勃的前景(2024-07-19)
必须看到其中的潜力并加以利用,”她说。这种责任分工确保研究保持前沿,而行业推动实际应用。
比较生态系统:欧洲与美国
欧洲 RISC-V 生态系统与美国形成鲜明对比。美国......
Vishay推出业内先进的标准整流器与TVS二合一解决方案(2023-08-17)
Vishay推出业内先进的标准整流器与TVS二合一解决方案;节省空间型器件采用小型FlatPAK 5 x 6封装,内置3 A,600 V标准整流器和200 W TRANSZORB® TVS......
大幅提高48 V至12 V调节第一级的效率(2024-07-18)
kW的功率范围,可以考虑四相并联。然而,高效率通常是一个优先考虑因素,与12 V甚至5 V输入的较低电压应用相比,48 V转换器为了保持低开关损耗,开关频率通常相对较低。这会在“伏特×秒”方面......
三星推出第8代V-NAND(512Gb),设想到2030年堆叠超过1000层(2022-10-08)
三星推出第8代V-NAND(512Gb),设想到2030年堆叠超过1000层;近日,三星电子在美国加州硅谷举办2022年三星科技日,会上三星首次推出了其第8代V-NAND(512Gb),位密......
英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS™ 7(2024-04-17)
其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款......
Bourns 推出业界首款表面采用贴装封装 240 V/1 kA 双向功率 TVS 二极管(2024-09-23)
Bourns 推出业界首款表面采用贴装封装 240 V/1 kA 双向功率 TVS 二极管;
【导读】美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商,推出......
CC2530 芯片介绍(2024-03-05)
用外部电路供应。
DVDD1 39 电源(数字) 2-V–5-V 数字电源连接
DVDD2 10 电源(数字) 2-V–5-V 数字电源连接
GND - 接地 接地......
基于AT89C51单片机和放大器实现音频信号均幅控制放大电路的设计(2023-04-06)
制电压或输入信号为0~5mV时,A VD≥70倍;输入信号为6~70 mV时,AVD为70~1倍
◇直流输出电压:5~7 V(电源为12V时);
◇输出电压:≥5 V(电源电压12 V时);
◇输入......
对华打压无效后,美议员又盯上了RISC-V(2023-10-08)
对华打压无效后,美议员又盯上了RISC-V;
——近日,国家安全部发布了一篇文章,指出一年前美国政府以出台“临时规则”形式更新《出口管理条例》,妄图阻断中国科技发展进程,但这一招并没有奏效;而今......
高压变频器在电厂循环水泵上的应用(2024-07-08)
电厂的二次蒸汽又是氧化铝厂需要大量使用,所以铝电基地一般都有自己的自备电厂。
公司电厂有3台155MW发电机组(汽机),4台520t/h 锅炉(3用1备)。每一台汽机都具有2台循环水泵(甲、乙循环泵),整个......
RISC-V成为新战场?美国商务部正评估RISC-V技术潜在风险(2024-04-25)
RISC-V成为新战场?美国商务部正评估RISC-V技术潜在风险;据路透社报道,美国商务部正在审查中国在开源 RISC-V 芯片技术方面的工作对国家安全的影响。
但美国商务部回应,正在“努力......
安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅M3S器件(2023-05-10)
安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅M3S器件;
【导读】2023 年 5 月 10日—智能电源和智能感知技术的领导者安森美(onsemi,美国......
Altera Stratix V FPGA采用业界的第一款单芯片双路100G转发器突破性能瓶颈(2012-03-02)
5号美国洛杉矶举办的光纤通信大会暨展览/美国光纤工程师大会2012 (OFC/NFOEC)展位上进行双路100G转发器解决方案的现场硬件演示。
目前......
Diodes 公司推出符合车用规格电流分流检测器,可实现电动车辆上高精度电压感测功能(2023-07-05)
Diodes 公司推出符合车用规格电流分流检测器,可实现电动车辆上高精度电压感测功能;【2023 年 7 月 5 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) 推出......
Vishay推出业内先进的标准整流器与TVS二合一解决方案(2023-08-17)
Vishay推出业内先进的标准整流器与TVS二合一解决方案;
【导读】美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年8月17日 — 日前,威世科技Vishay......
Vishay推出含Immersion许可的新款多尺寸、多力度级别IHPT触控反馈执行器(2024-09-13)
N,采用小型两件式结构,带安装孔,便于安装和直接操作。执行器快速响应时间为5 ms,结合高机械力,可产生高分辨触觉效果,工作电压8 V至16 V。IHPT执行......
英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS 7(2024-04-15)
—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款OptiMOS™ 7 80 V......
Bourns 推出第二代符合 AEC-Q200 标准的高爬电/间隙距离(2024-06-17 15:14)
强绝缘和高达 1000 V 的基本绝缘。美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商,推出第二代高间隙/爬电距离隔离电源变压器 HCT8xxxxEAL 系列。这些符合 AEC-Q200......
用SG270/LM4884和AT89C51设计的音频信号均幅控制放大器(2023-03-28)
制电压或输入信号为0~5mV时,A VD≥70倍;输入信号为6~70 mV时,AVD为70~1倍◇直流输出电压:5~7 V(电源为12V时);◇输出电压:≥5 V(电源电压12 V时);◇输入偏置电流I10......
以随便用,甚至祖宗辈的C语言也不一定安全。就像Arm新技术被禁止华为使用,不代表华为就能自由使用所谓开源的RISC-V,开源技术的主导者仍然是美国,而且RISC-V从加州大学伯克利分校孵化成商业项目的第一个金主就是美国......
Bourns 推出第二代符合 AEC-Q200 标准的高爬电/间隙距离(2024-06-14)
强绝缘和高达 1000 V 的基本绝缘。
2024年6月14日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商,推出第二代高间隙/爬电距离隔离电源变压器 HCT8xxxxEAL......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性(2024-06-28)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计,额定电流5 A~ 40 A,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低
美国 宾夕......
Nexperia面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品(2022-12-19)
组合再添新产品,即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带,浪涌抗扰度出众,出众的IEC61000-4-5......
Nexperia宣布面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品(2022-12-19 10:15)
二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带,浪涌抗扰度出众,出众的IEC61000-4-5浪涌等级。
Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示......
中美科技战新战场!RISC-V开源芯片技术成焦点(2023-10-07)
中美科技战新战场!RISC-V开源芯片技术成焦点;中美科技竞争又有新动向。美国政府正面临国会压力,要求限制美国企业投入的技术发展,目前的开源性使得这项技术在中国大陆获得广泛的应用以及发展,但如......
RISC-V技术成为中美科技大战的又一新战场(2023-10-08)
RISC-V技术成为中美科技大战的又一新战场;在中美科技战争的新战线上,乔-拜登总统的政府正面临来自一些国会议员的压力,要求限制美国公司开发一种在中国广泛使用的免费芯片技术--此举......
Bourns推出第二代符合AEC-Q200标准的高爬电/间隙距离汽车级隔离电源变(2024-06-14)
的高压隔离变压器具有 3.3 V 或 5 V 输入至多种输出电压配置 (在不同匝数比配置中高达 350 mA)。HCT8xxxxEAL 系列在全自动化生产在线制造,以最大限度地提高设备质量和可靠性。该系......
Nexperia发布P沟道MOSFET,采用节省空间的坚固LFPAK56封装(2020-05-08)
Nexperia发布P沟道MOSFET,采用节省空间的坚固LFPAK56封装;
奈梅亨,2020年5月7日:半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空......
Bourns 推出高效平面变压器系列, 专为高频、小空间 DC-DC 转换设计而制造(2023-03-08 10:11)
电流下的 5 V 至 12 V 输出电压,以及多种匝比。这些特点和其紧凑的设计使 Bourns® PLN0xx-ED21 系列平面变压器成为高密度工业电源系统、低轮廓开关电源、LED 照明应用、电池......
Bourns推出高效平面变压器系列,专为高频、小空间DC-DC转换设计而制造(2023-03-08)
kHz。该系列具有 0.29μH 至 0.60μH 的低漏电感和 81.6 (V-µsec) 的伏秒容量,此外还提供 33 V 至 57 V 输入电压, 4 至 14 A 输出电流下的 5 V 至......
Bourns专为高频、小空间DC-DC转换设计推出高效平面变压器(2023-03-05)
kHz。该系列具有 0.29μH 至 0.60μH 的低漏电感和 81.6 (V-µsec) 的伏秒容量,此外还提供 33 V 至 57 V 输入电压, 4 至 14 A 输出电流下的 5 V 至 12......
纯电动汽车有一个传统方案无法解决的重量问题(2024-01-22)
创建虚拟电池,可取代传统的笨重12 V电池。
5 电源系统优化:重量减轻约 33%
用区域系统取代集中式系统,可将48 V 至12 V 电源转换从银盒移至负载点。改进后采用高密度电源模块提供48 V......
纯电动汽车有一个传统方案无法解决的重量问题(2024-07-11)
V铅酸电池更快的瞬态响应,从而创建虚拟电池,可取代传统的笨重12 V电池。
5 电源系统优化:重量减轻约 33%
用区域系统取代集中式系统,可将48 V 至12 V 电源转换从银盒移至负载点。改进......
为什么中国用220伏电,美国用110伏电?(2024-04-21 15:22:24)
还没有完:
为什么我国不和美国一样,使用110
V
的交......
基于单片机实现水力参数监测仪的设计(2023-05-24)
结构设计
该监测仪中CPU所选用的C8051F005内部程序存储器包含32 k+128字节的FLASH,可在线编程调试。三路变送器产生的4~20 mA的电流同时送人监测仪后。可经过I/V变换转换成0~5......
RISC-V首席执行官:坚决反对美国控制开源标准(2023-10-12)
RISC-V首席执行官:坚决反对美国控制开源标准;RISC-V 的快速增长引起了美国的担忧,特别是对其在中国的使用。近日一些美国议员敦促拜登政府对中国采取与RISC-V技术相关的限制行动。
美国......
腾讯加入开源芯片设计社区RISC-V(2022-12-23)
International是全球最大的开源处理器架构组织。
开源RISC-V是Intel专有X86和英国ARM架构的替代品,随着美国在半导体领域的限制以及中国公司试图减少对受美国专有技术的依赖,RISC-V在中......
适用于电化学传感器的运算放大器(2023-10-25)
制器开始测量蒸气浓度,如蓝色曲线所示。红线显示AA电池电压约为1.5 V,黄线为CE电压。
为了观察乙醇传感器对蒸气浓度的响应度,将棉签移至离传感器更远的位置。捕获的结果如图5所示。正如预期的那样,蒸气浓度的幅度(蓝色......
Bourns 推出高效平面变压器系列, 专为高频、小空间 DC-DC 转换设计而制造(2023-03-07)
漏电感和 81.6 (V-µsec) 的伏秒容量,此外还提供 33 V 至 57 V 输入电压, 4 至 14 A 输出电流下的 5 V 至 12 V 输出电压,以及多种匝比。这些......
晶圆代工厂商牵手RISC-V企业,瞄准低功耗AI芯片(2024-05-17)
晶圆代工厂商牵手RISC-V企业,瞄准低功耗AI芯片;5月16日,日本晶圆代工初创企业Rapidus宣布与美国RISC-V架构芯片设计企业Esperanto签署了谅解备忘录,双方......
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HERO Power System for Low Voltage Applications Max. Output Power (W) Model Series Input DC Voltage (V
;石家庄市晨捷化工有限公司;;供应各种含量间接氧化锌;直接法氧化锌;氧化镁;碳酸镁;促进剂:M;促进剂:DM;防老剂:MB;防老剂:TNP,RD;防老剂:甲;防老剂:丁;高活性氧化锌;
;开化衢盛化工厂;;正硅酸乙酯si28.si32.si40.si50、聚甲基三乙氧基硅烷(防水剂3号)、甲基三乙氧基硅烷、二甲基二乙(甲)氧基硅烷、202含氢硅油、有机硅透明树脂的生产与销售。
;文安县众邦工业有限公司;;河北文安众邦工业有限公司主要产品为金属穿线管和高分子复合材料免漆装饰型材。0316-5313515www.5313515.com产品具有无辐射、0甲
;金华嘉鑫绝缘材料有限公司;;进口美国Dolph's(多尔富)公司凡立水BC-359、BC-346、AC-43;美国Ripley公司凡立水468-2FC;美国viking公司凡立水V-1380FC
;东莞市嘉鑫绝缘材料有限公司;;进口美国Dolphs(道氏化工)公司凡立水BC-359、BC-346;美国Ripley公司凡立水468-2FC;美国viking公司凡立水V-1380FC、V
;东莞市锦天金属材料有限公司;;东莞市锦天钢材有限公司经营的钢材品种规格齐全,主要经营日本、瑞典、奥国、德国、美国等进口模具钢材,实行24小时内送货制,方便快捷,档次多元化,适合
冷埋树脂,进口国产抛光粉,美国台湾抛光布,韩国美国抛光砂纸等等耗材设备如下:曝光机,冲片机,冲版机,压膜机,贴膜机,宗片显影机,烤板机,真空晒版机,板面清洁机,网版晒版机,本公司专业销售:5-7KW曝光灯,冲片
类型 ST SC 传输距离 20(m) 发射波长 850 1300 155(nm) 电压输入 5 220(V) 品牌FELINK 型号1100s 接口类型sc 传输距离80以上(m) 发货期限10 发射
、奥国、德国、美国等进口模具钢材,实行24小时内送货制,方便快捷,档次多元化,适合不同模具制造企业的需要。业务范围包括"冷作钢"、"热作钢"、"塑胶钢","粉末高速钢"、白钢车刀、易车铁、冷拉钢、热处