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加一个比较大的散热片,干簧管和探针成本高(人工及本身成本),如果需要其他功能则需要再加对应IO型或者触摸型单片机。 实孔雾化器新方案 12V-2.4M香薰机方案控制及相关检测部分说明: (1)、MOS驱动采用图腾柱电路驱动......
多见于PWM芯片驱动,用于直接驱动功率MOS;互补推挽多见于搭建的电路以及MCU(单片机)、运放等芯片; ④PWM控制时,图腾柱输入电压可小于驱动电压,而互补推挽必须是输入电压与驱动......
驱动能力不足时 如果选择MOS管寄生电容比较大,电源IC内部的驱动能力又不足时,需要在驱动电路上增强驱动能力,常使用图腾柱电路增加电源IC驱动能力,其电路如图2虚线框所示。 图2 图腾柱驱动MOS......
推挽电路驱动mos管工作原理及应用; 看了该文章可以知道什么? 1.推挽电路 2.为什么要用推挽电路驱动mos ......
。直接接地驱动电路中功率器件的接地端电位恒定,常用的有推挽驱动以及图腾柱驱动等。浮动接地驱动的功率器件接地端电位会随电路状态变化而浮动。典型的浮动接地驱动电路为自举驱动电路......
2是图腾柱PFC的电路结构和波形图,图腾柱是一个4开关的Boost解决方案,减少了当前路径中的功率器件数量,其中PWMH和PWML为快速臂,流过高频开关频率,相当于传统PFC的MOS和续流管;SRH和......
器)组成(参见下图 )。12V的输出电压多半使用中心抽头变压器,而48V系统则应考虑全桥整流。 图腾柱PFC+LLC拓扑 图腾柱PFC+LLC拓扑:第一级PFC电路电路启动时,冲击电流较大,要求......
,以助力高效率和小尺寸电源设计。  图示2-基于onsemi产品的3KW高密度电源方案的场景应用图   为减少损耗,本方案取消输入整流二极管,使用图腾柱PFC电路和650V SiC MOSFET......
的功率密度如此之高的第二个原因。 功率因子校正 — NCP1680 图腾柱 PFC 控制器 图7 显示了 300 W 超高密度电源的主要电路。上一节中描述的图腾柱电路位于图的左侧,由 NCP1680 驱动......
案取消输入整流二极管,使用图腾柱PFC电路和650V SiC MOSFET,次级侧采用带同步整流功能的控制LLC转换器设计。其中,在PFC级方案采用onsemi NCP1681图腾柱PFC控制器,该控......
力高效率和小尺寸电源设计。      图示2-大联大友尚基于onsemi产品的3KW高密度电源方案的场景应用图   为减少损耗,本方案取消输入整流二极管,使用图腾柱PFC电路......
为例,示意了SiC MOSFET在图腾柱和交错并联图腾柱电路中的用法。 Figure 3. 图腾柱PFC SiC MOSFET快管应用场景 Figure 4. 交错并联图腾柱PFC SiC......
案取消输入整流二极管,使用图腾柱PFC电路和650V SiC MOSFET,次级侧采用带同步整流功能的控制LLC转换器设计。其中,在PFC级方案采用onsemi NCP1681图腾柱PFC控制器,该控......
度电源方案的场景应用图 为减少损耗,本方案取消输入整流二极管,使用图腾柱PFC电路和650V SiCMOSFET,次级侧采用带同步整流功能的控制LLC转换器设计。其中,在PFC级方案采用onsemi......
器,专为满足 EIA 标准 RS-422 规范而设计。它旨在为双绞线或平行线传输线提供单极差分驱动。输入是 TTL 兼容的。输出类似于图腾柱 TTL 输出,具有主动上拉和下拉功能。该器......
驱动器和VIPer系列辅助电源。 使用STM32G474RBT6 MCU 控制的前级无桥 实现原理如下图: 图腾柱PFC的架构模型如下图,四颗MOS在MCU的控制下,交替导通,实现......
推出了数字控制3KW通信电源方案,该方案包括前端无桥图腾柱PFC和后端LLC全桥架构,可以帮助开发者迅速完成高效率通信电源设计。 图示2-大联......
通过家用交流电源插头或公共交流充电站为电动汽车充电。 图示2-基于ST产品的7KW车载充电机方案的场景应用图 该方案嵌入单相带SiC的交错图腾柱PFC和双电气隔离全桥LLC DC-DC ZVS谐振转换器,在PFC电路部分,方案采用了TN3050H......
板推出7KW车载充电机方案,可以通过家用交流电源插头或公共交流充电站为电动汽车充电。 图示2-大联大友尚基于ST产品的7KW车载充电机方案的场景应用图 该方案嵌入单相带SiC的交错图腾柱PFC和双......
图腾柱/推挽电路作为栅极驱动电路来驱动单个 MOSFET,如图 2 所示。尽管此方法成本很低且易于实现,但 BJT 图腾柱电路所需的外部元件数量较多且占用的布板空间较大。此外,您必须复制此分立式电路......
种。 车规功率器件在单相图腾柱拓扑中的损耗分析与Tvj波动 如图8,基于PLECS软件,我们搭建了简单的单相图腾柱电路,结合英飞凌官网的车规器件PLECS模型,进行了器件损耗与Tvj波动的仿真。 以单......
案嵌入单相带SiC的交错图腾柱PFC和双电气隔离全桥LLC DC-DC ZVS谐振转换器,在PFC电路部分,方案采用了TN3050H-12GY-TR、STBR3012G2Y、SCTH35N65G2V-7AG和......
霍尔编码器驱动电路 1.三相逆变全桥电路 三相逆变桥电路采用IR2101S加MOS驱动方式。IR2101S本身是半桥驱动,采用上桥跟下桥驱动方式,也就是一路驱动需要1个IR2101S和2......
替换传统的光耦隔离器并提供更佳的性能。同样地,它采用高压电容隔离技术,可以实现5KVRMS的隔离耐压。 MPQ27800典型应用电路 在集成式控制器方面,MPS的 是一款用于 AC/DC 功率转换的 PFC 图腾柱......
大联大品佳集团推出基于Microchip产品的11KW三相图腾柱PFC电源方案;2023年9月21日,致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗......
大联大品佳集团推出基于Microchip产品的11KW三相图腾柱PFC电源方案;致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股近日宣布,其旗下品佳推出基于微芯科技(Microchip......
大联大品佳推出基于Microchip产品的11KW三相图腾柱PFC电源方案; 【导读】2023年9月21日,致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗......
:负升压电路图腾柱无桥 PFC 拓扑结构中,两个二极管(SR1 和 SR2)可以用 MOSFET 代替,以实现更高的效率。这是因为这些二极管在图腾柱工作期间导通,但切换频率只有 50/60 Hz......
GaN如何在基于图腾柱PFC的电源设计中实现高效率;几乎所有现代工业系统都会用到 AC/DC 电源,它从交流电网中获取电能,并将其转化为调节良好的直流电压传输到电气设备。随着......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
脚电压高于VDD时,上方的二极管导通;当引脚电压低于VSS时,下方的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止......
IGBT的工作频率又不能满足开关电源的高频需求。因此,各大新能源车厂逐渐将目光聚焦在SiC MOS上。 一般OBC前级PFC采用图腾PFC拓扑,图腾柱 PFC 包含两个以不同频率工作的半桥,高频......
大联大品佳集团推出基于Microchip产品的11KW三相图腾柱PFC电源方案;2023年9月21日,致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗......
部分,采用STB47N60DM6AG,STPSC20065GY-TR,A6387等元器件。在电路控制方面,PFC电路和LLC电路均采用SPC58NN84E7 MCU进行控制。STDES-7KWOBC交错图腾柱......
的二极管导通;当引脚电压低于VSS时,下方的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P-MOS......
脚电压低于VSS时,下方的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P-MOS管和N......
的二极管导通;当引脚电压低于VSS时,下方的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P......
控制器IC,用于驱动无桥图腾柱PFC拓扑结构。无桥图腾柱PFC是一种功率因数校正结构,包括一个以PWM开关频率驱动的快速开关桥臂和一个以AC线频率工作的第二桥臂。这种拓扑结构消除了传统PFC电路......
Rds_on 的MOSFET价格是Diode的数倍)。 3.仅需将几个元件换位及移除就可以改成图腾柱PFC 架构,一样可以达到降低损耗的效果,如下图。 4.无桥式整流器图腾柱 PFC 的电路......
的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P-MOS管和N-MOS:由P-MOS管和......
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P-MOS管和N-MOS:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路......
不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P-MOS管和N-MOS:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
TI GaN FET 内部的集成栅极驱动器,FET 能够达到高达 150V/ns 的开关速度,降低高开关频率下的总体损耗,使台达实现 80% 的功率密度提升,同时效率提高 1%。 GaN 技术在图腾柱......
氮化镓在采用图腾柱 PFC 的电源设计中达到高效率;几乎所有现代工业系统都涉及交流/直流电源,这些系统从交流电网获得能量,并将经过妥善调节的直流电压输送到电气设备。随着全球功耗增加,交流/直流......
应对超高密度设计的挑战这场直播介绍一个超高密度的300 W电源方案,它使用一个图腾柱PFC电路取代了输入二极管桥。它使用一个具有同步整流功能的LLC转换器和集成的驱动氮化镓(GaN)器件,以实现LLC的......
的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P-MOS管和N-MOS:由P-MOS管和N......
的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P-MOS管和N-MOS:由P-MOS管和N......
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P-MOS管和N-MOS:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO......
的二极管导通;当引脚电压低于 VSS 时,下方的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P......
情况可以通过最小化 mos 周围的杂散电感和电容来防止杂散振荡,还应使用低阻抗栅极驱动电路来防止杂散信号耦合到器件的栅极。 十一、“米勒”效应 mos 在其......

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;深圳市惠博宇科技有限公司;;电源管理IC,低压MOS,显示驱动IC与方案,常用集成电路....
,以先进的电路设备和低内阻大电流助于驱动高性能运算、减少电机的能源损耗,大大的提高产品的性能! IRF全系列功率MOS:IRF7811A IRF7832 IRF7314 IRF7341
包括转子位子检测器,温度补偿基准,据齿波振荡器,三个集电极开路的高速驱动器,和三个高电流的图腾柱低速驱动器,适用于驱动功率MOSFET。 此控制器还包含一些有保护特点的电路,如欠电压锁定,时间
;深圳市润京电子有限公司;;深圳市润京电子有限公司,专业INFINEON,ON,TOSHIBA,AVAGO,RENESAS,NEXPERIA进口品牌元器件,主营光耦,LED驱动芯片,二三级管,MOS
;合胜科技(深圳)有限公司;;公司是台湾BITEK代理商,主要经营LED驱动IC、视频解码IC、视频驱动IC、MOS
;深圳冠辰科技公司;;主要销售 矽恩微电子驱动芯片 亚成微电子驱动芯片 思美思MOS
;浙江丰源电子科技有限公司;;MOS 锂电池保护IC LED驱动IC
;鼎锋电子;;深圳鼎锋电子是一家专业销售:欧洲、美国、日本 等地的名牌模块,IOR(IRF)、Fairchild (FDS)、VISHAY (SI)、Aos等厂家SOP-8封装系列电源MOS,电源
;深圳勤力电子有限公司;;生产销售,代理品牌mos,稳压IC,驱动IC,电源管理IC
;委发电子;;LED驱动IC,MOS,一直致力于ALTERA,ST,XILINX,Lattice,Texas Instrument,NS, AD, IR 等国内外知名品牌IC,GR8210