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了约88%[3]（测量条件：-dIDR/dt＝100 A/μs）。DTMOSVI（HSD）工艺通过高速二极管（DTMOSIV（HSD））改进了东芝现有DTMOSIV系列产品的反向恢复[2]特性，它在......
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率;中国上海，2024年2月22日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices &......
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管......
东芝推出适用于高压电路的400 V耐压小型开关二极管; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近期发布了400 V耐压开关二极管新产品“HN1D05FE”。 “HN1D05FE......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET; 东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage......
东芝推出400 V耐压小型开关二极管HN1D05FE; 【导读】东芝深耕于电子元器件领域多年，其耐压小型开关二极管产品一直备受市场关注。近期推出的400 V耐压开关二极管......
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率; 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管......
东芝推出400 V耐压小型开关二极管HN1D05FE; 电子技术的飞速进步伴随着集成电路和微型化技术的日新月异，小型开关二极管作为电子元件中的关键一环，尤其在高压、恶劣环境下，其性......
东芝推出20款适用于汽车设备的浪涌保护齐纳二极管产品; 【导读】东芝电子元件与存储株式公司(“东芝”)推出了浪涌保护齐纳二极管“XCUZ系列”，该二极管通过了AEC-Q101认证，适用......
入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ（典型值）[3]的低开关损耗（关断损耗），与东芝当前产品GT50JR22相比降低了大约42%[4]。此外，新款IGBT还包含一个内置的二极管，其正......
当前产品GT50JR22相比降低了大约42%[4]。此外，新款IGBT还包含一个内置的二极管，其正向电压为1.2V（典型值）[5]，比GT50JR22降低了大约43%[5]。这些改进有助于显著提高设备效率。 对于使用东芝......
（典型值）[3]的低开关损耗（关断损耗），与东芝当前产品GT50JR22相比降低了大约42%[4]。此外，新款IGBT还包含一个内置的二极管，其正向电压为1.2V（典型值）[5]，比GT50JR22......
的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ（典型值）[3]的低开关损耗（关断损耗），与东芝当前产品GT50JR22相比降低了大约42%[4]。此外，新款IGBT还包含一个内置的二极管，其正......
为追求高功率密度、高可靠性的客户提供功率单元参考设计。 东芝碳化硅模块 2014年东芝推出搭载SiC二极管的混合型模块。这类产品独特的构造可以大幅度减小在电源开关时的损耗，二极管反向恢复损耗减少97%（3.3kV......
与金属触点等构成，在驱动其工作时会出现自感应电动势，如果不用续流二极管加以保护，很容易损坏控制电路，造成不可挽回的损失。东芝在此方案的驱动继电器与电路保护方面可谓是做足了功课。在驱动方面推荐采用小信号N......
英寸具有昂贵蓝宝石衬底的芯片上完成。东芝和普瑞公司（Bridgelux, Inc.）已开发出一个在200 mm硅芯片上制造氮化镓发光二极管的工艺，东芝也已经将该工艺投入了其日本加贺（Kaga......
MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管......
品于今天开始批量生产。 TB67S112PG产品图 TB67S112PG包含双通道，每个通道都由一个低边MOSFET和一个共COM续流二极管组成，能独立驱动螺线管或继电器，这类在游乐设备（投币自动售货机）、家用电器（空调......
东芝推出第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品......
在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题，但如若将SBD布置......
东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率;中国上海，2024年9月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳......
东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率; 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管......
损耗大幅降低的SiC MOSFET，与第二代SiC MOSFET相比，新型产品的开关损耗约降低了20%。 东芝通过在第二代产品的SiC MOSFET 内部与PN二极管并联内置了一个肖特基势垒二极管（SBD......
又不卖芯片部门了？ 路透社今日援引知情人士的消息称，深陷财务危机的东芝公司已提议将旗下芯片业务部门股份抵押给债券银行，以获得更多贷款。此举距离东芝二次延迟发布季度财报仅一天时间。东芝昨日称，原计划于3月14日发......
模块 值得注意的是，东芝也展出了其SiC混合模块，该混合模块是介于硅和碳化硅之间的产品，可称之为混合型的IGBT。该器件采用PMI封装方式，内部的IGBT（IEGT芯片）采用硅材料，但是二极管......
低开关损耗 -    第3代碳化硅MOSFET -    低漏源导通电阻×栅漏电荷 -    低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS......
新型功率场效应管可用于高性能开关电源，例如通信基站及其他工业应用的。在使用同步整流的高性能电源解决方案中，反向恢复性能非常重要。全新TPH9R00CQ5包括一个高速体二极管，与TPH9R00CQH等现......
场效应管：基于U-MOS X-H沟槽工艺，这种新型功率场效应管可用于高性能开关电源，例如通信基站及其他工业应用的开关电源。在使用同步整流的高性能电源解决方案中，反向恢复性能非常重要。全新TPH9R00CQ5包括一个高速体二极管......
TO-247-4L(X)封装：栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，可降低开关损耗-    第3代碳化硅MOSFET-    低漏源导通电阻×栅漏电荷-    低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型......
当前的产品TLP3475S相比，TLP3476S运行速度更快、结构更紧凑。该产品通过提高红外LED的光输出并优化光电探测器件（光电二极管阵列）的设计，可实现高效的光耦合，也提高了运行速度，将导......
品通过提高红外LED的光输出并优化光电探测器件（光电二极管阵列）的设计，可实现高效的光耦合，也提高了运行速度，将导通时间最大值缩短至0.25ms，时间为TLP3475S的一半。此外，由于......
新型功率场效应管可用于高性能开关电源，例如通信基站及其他工业应用的开关电源。在使用同步整流的高性能电源解决方案中，反向恢复性能非常重要。全新TPH9R00CQ5包括一个高速体二极管，与TPH9R00CQH等现......
： 栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，可 -   第3代 -   低漏源导通电阻×栅漏电荷 -   低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V） ●   主要规格： （除非......
电荷 - 低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V）  主要规格： 注： [1] 截至2023年8月 [2] 截至2023年8月，东芝测量值（测量条件：VDD＝800V......
新型功率场效应管可用于高性能开关电源，例如通信基站及其他工业应用的开关电源。在使用同步整流的高性能电源解决方案中，反向恢复性能非常重要。全新TPH9R00CQ5包括一个高速体二极管，与TPH9R00CQH等现......
。 [4] 产品采用与TPH9R00CQ5相同的生产工艺，并具有相同的电压和导通电阻。 [5] MOSFET体二极管......
新三代MOSFET 内置了与SiC MOSFET 内部PN 结二极管并联的SiC 肖特基势垒二极管（SBD），其正向电压（VF）低至-1.35 V（典型值），以抑制RDS(on)波动，从而提高可靠性。此外......
仪器、安森美等国际IDM大厂的马来西亚，为全球半导体封测重镇之一。而欧美IDM厂商在自有工厂生产的MOSFET或二极管，多在马来西亚完成后段制程，包括瑞萨、英飞凌、东芝都在当地设有工厂。 推荐阅读： 7月9日......
采用与TPH9R00CQ5相同的生产工艺，并具有相同的电压和导通电阻。 [5] MOSFET体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作。 [6] 如果新产品用于不执行反向恢复操作的电路，则功耗相当于TPH9R00CQH......
输出并优化光电探测器件（光电二极管阵列）的设计，可实现高效的光耦合，也提高了运行速度，将导通时间最大值缩短至0.25ms，时间为TLP3475S的一半。此外，由于采用了尺寸更小、外形更纤薄的S-VSON4T封装......
接将自举信号接入功率器件基准端。 驱动电路按照电路结构分为隔离型驱动和非隔离型驱动。隔离型驱动电路是指包含光耦、变压器、电容等具有电气隔离功能器件的驱动电路。非隔离驱动电路不具有电气隔离结构，多采用电阻、二极管、三极管......
有相同的电压和导通电阻。 [5] MOSFET体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作。 [6] 如果新产品用于不执行反向恢复操作的电路，则功耗相当于TPH9R00CQH的水平。......
] 采用当前一代U-MOSVIII-H工艺的150V产品。[4] 产品采用与TPH9R00CQ5相同的生产工艺，并具有相同的电压和导通电阻。[5] MOSFET体二极管......
MOSFET的电机驱动电路 在数字信号与模拟信号传输交互与接口电路方面，东芝致力于将电路保护设计到极致。用户可以使用东芝的光耦，电子保险丝，TVS和肖特基二极管等元件实现整体电路的安全保护，为用......
较好的高频特性，主要用作控制电路的退耦电容和旁路电容，用于抗干扰和高频滤波。 ④瓷介电容 瓷介电容具有较高的耐压，主要用于三相输入侧的电压尖峰吸收。 二极管和稳压管 二极管也是变频器中的常用器件，具有......
目最早将于2024年开始，分两个阶段实施。 该项目计划使用碳化硅（SiC）技术生产功率半导体，未来将使用氮化镓（GaN）技术。该项目将生产单一功率元件（晶体管和二极管），以及......
增益模块和其他所有可用单电源供电的使用运算放大器的场合。 N76E003AT20：为新唐高速1T 8051微控制器系列产品。 AMS1117-3.3：是一个输出电流达到1A的三端输出低压差线性稳压器，适用于各种电器产品。 1N4007：二极管......
电路中，提供DF2B29FU／DF2S23P2FU／DF2S23P2CTC三颗典型的TVS二极管，这些与传统产品相比，具备低阻容特色，提高了静电吸收能力，保证了高信号保护性能和信号质量。而对于LDO的选......
元。 ▌我国厂商迎来新一轮发展契机 此前我国的功率半导体厂商以分立器件为主，在二极管、整流管等基本电子元器件上布局较为久远。受到市场强劲需求驱动以及企业自强因素，我国厂商发展势头强劲，产品形态从二极管......

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