据日本时事通讯社报道，日本芯片制造商东芝公司和罗姆半导体正计划联合生产用于电动汽车等产品的功率半导体。

根据报道，项目总成本预计将达到约3800亿日元，其中约1200亿日元将由经济产业省提供补贴。

目前，罗姆在日本拥有四个基于碳化硅的功率半导体生产基地，分别位于京都总部、福冈县筑后工厂和长滨工厂以及宫崎第一工厂。罗姆的目标是到2025财年碳化硅功率半导体收入达到1000亿日元，同时将产能提高到2021财年的6倍。

此前罗姆株式会社社长松本功在2023年11月财报电话会议上宣布，将在位于日本宫崎县的第二家工厂生产8英寸（200mm）碳化硅晶圆，主要供罗姆公司内部使用，预计将于2024年开始运营。

罗姆宫崎第二工厂原本是出光兴产子公司Solar Frontier的原国富工厂，据悉，罗姆拟通过一项交易收购这家工厂，若交易成功，该工厂将成为罗姆在宫崎的第二工厂，并将成为罗姆最大的碳化硅功率半导体工厂，生产8英寸晶圆。

另据路透社引述知情人士透露，东芝计划投资罗姆半导体位于日本九州宫崎县的新工厂。该厂将主要生产碳化硅功率芯片。东芝将于本月晚些时候公布投资计划，尚不清楚东芝的投资规模。东芝发言人表示，目前尚未做出任何决定。

此外，东芝正在日本中部石川县能美市的一家工厂内建造一座新设施，用于生产功率半导体。

碳化硅高速增长，多家厂商加强布局

除了东芝、罗姆布局碳化硅之外，包括Wolfspeed、芯动半导体等企业也在加强部署碳化硅。此前Wolfspeed宣布向MACOM出售其射频业务，剥离该业务，转型为一家纯碳化硅半导体制造商。目前Wolfspeed是唯一能规模量产8英寸SiC衬底的厂商，业界表示，Wolfspeed剥离射频业务之举进一步展现了其想在SiC衬底赛道持续领跑的决心。

芯动半导体与博世汽车电子就SiC业务签署了长期订单合作协议，此次合作代表着功率模组公司和OEM对上游芯片资源提前锁定的产业趋势，将有助于芯动半导体SiC业务稳步发展。

日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）于11月宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。双方将联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。

据塔斯社报道，俄罗斯RusKlimat贸易和生产控股集团新闻处发布消息称，一家中国公司计划投资25亿卢布（约合人民币2亿元）在俄罗斯弗拉基米尔州启动第三代功率半导体的批量生产，该项目最早将于2024年开始，分两个阶段实施。

该项目计划使用碳化硅（SiC）技术生产功率半导体，未来将使用氮化镓（GaN）技术。该项目将生产单一功率元件（晶体管和二极管），以及面向俄罗斯和其他国家市场的专用功率组件（模块）。

近年来，作为第三代半导体代表材料之一的碳化硅备受业界重视，受益于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等等下游市场推升，碳化硅正高速增长，市场规模也正在迅速扩大。

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。

TrendForce集邦咨询还表示，SiC衬底材料的供应问题仍然限制着产业发展，可用于汽车main inverter的高质量SiC衬底制造能力仍掌控在Wolfspeed等极少数厂商手中。

此外，据TrendForce集邦咨询数据显示，2022年SiC功率半导体主要厂商的市场份额占比TOP5分别是意法半导体（36.5%）、英飞凌（17.9%）、Wolfspeed（16.3%）、安森美（11.6%）、罗姆（8.1%），剩余厂商仅占9.6%。

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