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讲透三极管(2024-06-13)
暗电流)，此时相当于光敏二极管截止； 当有光照射时，PN结附近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子—空穴对，这些载流子的数目，对于多数载流子影响不大，但对P区和N区的少数载流......
三极管知识讲解，补课(2024-11-09 18:33:37)
近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子—空穴对，这些载流子的数目，对于多数载流子影响不大，但对P区和N区的少数载流子来说，则会使少数载流子的浓度大大提高，在反向电压作用下，反向......
子为 电子—空穴对 。 15、N型半导体中的多数载流子是 电子......
。 2、载流子：导电介质，分为多子和少子，概念很重要，后边会引用 3、空穴”带正电，电子带负电，但掺杂后的半导体......
期间转移为反向偏压状态，从而产生很大的损耗。 这是因为正向通电时积聚在漂移层内的少数载流子不断地进行电传导直到消亡（该时间也称为积聚时间）。 正向电流越大，或者温度越高，恢复时间和恢复电流就越大，从而损耗也越大。 与此......
电位，J1 导通。P + 区的少子（空穴）开始进入 N - 区，使得该区的少数载流子浓度超过多数载流子几个数量级（假设集电极电压足够高）。为了保持电荷中性，大量的自由电子从 N + 区吸引到 N......
，电子饱和漂移速率是硅的2倍，临界击穿场强更是硅的10倍。在硅基半导体器件性能已经进入瓶颈期时，碳化硅材料的优异特性让它成为了下一代功率半导体器件的理想原材料。 图1  4H型碳......
）：在 CCD 中，电荷注入的方式可分为光注入和电注入两类。当光照射到 CCD 硅片上时，在栅极附近的半导体体内产生电子-空穴对，多数载流子被栅极电压排斥，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。 背照......
电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。 4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流......
极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。 4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流......
场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。 4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流......
意图 在 P 型和 N 型半导体的交界面附近，由于 N 区的自由电子浓度大，于是带负电荷的自由电子会由 N 区向电子浓度低的 P 区扩散；扩散的结果使 PN 结中靠 P 区一侧带负电，靠 N......
足维修人员需求。 01 什么是MOS管 MOS管即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管，在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。 1......
模块的单面热阻抗测试方法，并成功实现X模块的双面与单面热阻测试，最后对比单面与双面热阻值、实测值与仿真值之间的差异，并讨论差异的产生原因与修正手段。 在论文中提出一种适用于双面散热汽车IGBT模块......
，在交流电流过的电导体中，电流将集中在导体表面流过，这种现象叫 集肤效应 。两种效应的原因简单来说就是 电流位移现象 。 图1 说明了上述电流位移效应（趋肤效应和邻近效应）的发生： 导体中......
线照射 PN 结时，可以使 PN 结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。 利用这个电流变化，我们......
IGBT 的结构类似，以轻掺杂衬底作为漂移区，两侧重掺杂区作为发射极，具有基于发射极（E1 和 E2）和少数载流子注入器（B1）的三种模式和 B2)。 图 1：B-Tran 的不同模式（：Ideal......
管是双极性器件（既有多数载流子，也要少数载流子导电）。 3、有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅极也可正可负，灵活性比三极管好。 4、MOS管应用普遍，可以在很小电流和很低电压下工作。 5、MOS管输......
转子电路短路，电流在转子导体中流动。 3.这些载流转子导体放置在定子产生的磁场中。机械力作用在导体上。作用在所有转子传导上的机械力的总和会产生一个转矩，该转......
要额外的二极管实现。 图 6. 体二极管正向电压 与大多数载流子器件如碳化硅肖特基势垒二极管不同，碳化硅MOSFET的体二极管通过PIN二极管结构中的少数载流子注入而具有反向恢复电荷（QRR），注入到轻掺杂漂移区的少数载流......
可在这两种状态之间瞬间切换。从定量角度来看，由于基于MOSFET的功率器件是单极性器件，因此与这一定义最为接近。功率MOSFET结构中的导通状态电流通过单极传输，这意味着N沟道器件中只有电子。由于没有少数载流......
示波器实验系统出现误差，原因哪有哪几种;示波器是用来测量交流电或脉冲电流波的形状的仪器，由电子管放大器、扫描振荡器、阴极射线管等组成。那么示波器实验系统误差产生原因哪有哪几种? 示波......
电驱系统的组成 1)电机控制器 又叫逆变器，将动力电池组输入的直流电变化交流电。核心部件： ◎ IGBT: 电力电子开关，原理：通过控制器，控制IGBT桥臂一定频率和顺序开关闭合，产生三相交流电......
以上的电压中主要采用IGBT等少数载流子器件(双极型器件)｡SiIGBT通过电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比SiMOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn......
焊点气泡（空洞）的危害及其产生原因分析; 电子制造工艺技术大全（海量......
电压或电动势。电感有两种类型。1) 自感，2) 互感。 "互感 "是指当载流导体靠近另一导体时，该导体会产生电压的现象。这是因为电流在导体中流动时，会在导体中感应出磁通。这种感应磁通与另一个导体......
子器件（双极型器件）。Si IGBT 通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比Si MOSFET 还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而......
碳化硅的材料特性比较 ．高电压肖特基二极体达成低漏电流的原因，是金属半导体阻障比硅肖特基二极体高两倍。 ．相较于硅，单极晶体显得极有吸引力，其具有特定导通电阻，原因是崩溃场强度超出约10倍。 图4显示不同半导体......
，电机产生的转矩变为T2或T3，为此原因是电机可以在 Ns 的恒定转速下运行。 2.1.4 有刷直流电机特点 有刷直流电动机的特点如下所示。 优点 有 2 根导线，施加直流电压即可旋转。 反转......
逆变器动力系统对电动汽车的续航里程、性能和成本的影响最大：动力系统的效率越高，续航里程、性能和成本就越好。动力传动系效率是逆变器和电机效率的结合。提高逆变器和电机效率可以显著降低电机损耗。电机能量损失的最大原因是涡流，或由不断变化的磁场在导体中......
旋转磁场以n1转速旋转，转子导体开始时是静止的，故转子导体将切割定子旋转磁场而产生感应电动势(感应电动势的方向用右手定则判定)。由于转子导体两端被短路环短接，在感应电动势的作用下，转子导体中将产生......
探测器能够在单一材料层中实现中子俘获、能量沉积、载流子产生和收集，具有接近100%的理论本征探测效率和器件结构简单的特点。然而，在设计和开发具有适用于直接中子探测的材料时仍然面临诸多困难。适合于直接探测中子的半导体......
线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。本文引用地址：下面是常见的模块： 2. 光二......
香港特区拨款超28亿港元，设立半导体中心！;近日，香港特区立法会财务委员会批准了一笔28.4亿港元的拨款，设立一个专注于开发半导体的研究中心 —— 香港微电子研发院。 据悉，香港微电子......
旋转磁场，该旋转磁场切割转子绕组，在转子回路中产生感应电动势和电流，转子导体的电流在旋转磁场的作用下，受到力的作用而使转子旋转。 　　三相异步电动机是一种常用的交流电机，它的......
，并以1平方厘米875兆瓦的电力运行。本文引用地址：在半导体中，输出功率值为全球最高，在所有半导体中也仅次于氮化镓产品的约2090兆瓦。与作为新一代功率半导体的碳化硅（SiC）产品和氮化镓（GaN......
应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7～10^12Ω）、噪声小、功耗......
成为人造卫星等所必需的构件。 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代半导体材料。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流......
材料与器件的研究取得了丰硕的成果。随着有机半导体材料与器件研究和开发的深入, 研究人员越发清楚地认识到, 有机半导体中载流子的传输能力是影响有机半导体......
与感应电动势方向基本一致的感生电流。载流的转子导体在定子产生的磁场磁场中受到电磁力作用(力的方向用左手定则判定)，电磁力对电机转子轴形成电磁转矩，驱动电机转子沿着旋转磁场方向旋转，当电......
转换技术能够可逆地将废热转换成电能，在提高能源利用效率和回收废弃能源方面具有重要的意义。与此同时，热电器件在太空等极端环境下具有重要的应用，热电发电机是旅行者2号的唯一能量来源，目前已经连续工作40余年。然而，传统的窄禁带半导体材料存在高温下少数载流......
向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。 反向特性：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流......
革命远未结束。确实，它即将跃升至更高的层次。改变了照明行业的半导体技术氮化镓 (GaN) 也是电力电子革命的一部分，这场革命正在蓄势待发。因为化合物半导体中的一种——碳化硅 (SiC)——已经开始在巨大而重要的电力电子领域取代硅基电子产......
纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管，布局SiC生态系统; 【导读】碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，相较于硅（Si），具有更大的介电击穿强度、更快的饱和电子......
量表选择导线截面积的大小。实用中没有用电阻的定义式推导线径，因为导线中的电流还有趋肤效应；另外R=ρl/s表示电阻的关系式。这里的R只是直流电流在导体中......
机优良可控性的同时，用电子元器件代替了电刷和换向器。 2.2.1 无刷电机结构 转子包含永磁体，定子包含绕组，这意味着该结构将图 2.1 所示的直流电机中定子和转子的位置颠倒(上一篇)。对于有刷直流电机，一旦......
能。 当转子上的导体通过旋转产生交变磁通时，这个磁通将穿过定子上的导体，从而在导体中诱导出电动势。这个电动势的大小和方向取决于导体在磁场中运动的速度和方向。 在交流发电机中，一般采用三相交流电流来产生......
强调了公司在ESG方面的努力对组织内部、供应商和客户以及全球电子生态系统的影响。 应用材料公司总裁兼首席执行官盖瑞·狄克森表示：“半导体技术在我们生活中的重要性日益凸显，而应用材料公司居于半导体......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
，多数载流子是空穴；源，漏极是N型掺杂，多数载流子是电子，熟悉PN节的读者可以很快看出来，源极和漏极之间有两个背靠背的PN节，即使源，漏极加上电压，总有一个PN节处于反偏状态，源漏......
。洛伦兹力定律指出，当载流导体置于磁场中时，它就会受到力的作用。作为反作用力的结果，磁铁将受到相等且相反的力。在无刷直流电机中，载流导体是静止的，而永磁体在运动。 当定子线圈从源头获得电源时，它变成电磁体并开始在气隙中产生......

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