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我国首台高品质因数1.3GHz超导加速模组研制成功;6日，记者从中科院高能物理所获悉，该所研制的高品质因数1.3GHz超导加速模组日前成功通过成果鉴定。鉴定专家组认为，项目组经过技术攻关，在高品质因数......
低频段调谐 ●   U4 支持低-中-高频段调谐 开关 RON 和 COFF 回顾 孔径调谐主要采用调谐器开关和可调谐电容。这些开关的主要品质因数是导通状态电阻 (RON) 和断开状态电容 (COFF)，如下......
假设谐振频率与负载或任何器件的寄生电阻无关，即滤波器-负载组合电路的谐振频率就是，即不包含电阻项。由于品质因数确定了响应曲线在谐振频率时的峰值大小，在临界阻尼时，我们取品质因数Q值为0.707。 其中......
发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新肖特基金属系统。打造的系列产品具有同类产品中极其优秀的的品质因数 (Qc x VF)，在各......
Nexperia位于曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品为行业领先的Qrr品质因数80 V/100 V MOSFET;奈梅亨，2021年6月24日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日......
NFC 天线磁性片: TDK 推出用于NFC应用的全新 IFQ06 高导磁率超薄磁性片; 用于13.56㎒近场通讯（NFC）应用的高导磁率低磁损耗材料 高柔韧性使片材易于成型为所需形状 高品质因数......
x A 品质因数，能够最大限度减少小尺寸裸片中的传导损失。 中国北京 – 2022 年 8 月 4 日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc......
汽车和工业电力系统设计，提供优异的品质因数（FOM），显著降低 RDS(ON) 和电容。这确保了最低的导通和开关损耗，从而提升了整体性能。本文引用地址： 新系列  提供多种封装，包括DFN3333-8L......
列通过先进的沟槽技术设计达到优异性能和效率。此系列 MOSFET 专为汽车和工业电力系统设计，提供优异的品质因数（FOM），显著降低 RDS(ON) 和电容。这确保了最低的导通和开关损耗，从而提升了整体性能。 新系列 MOSFET 提供......
的高导磁率低磁损耗材料 高柔韧性使片材易于成型为所需形状 高品质因数（Q......
导通电阻）等级，有助于设计师为每项设计选择合适的 SiC 器件。” 以下 SiC FET 出色的品质因数展现了全新 UF4C/SC 系列的性能优势：  中国北京 - 2022 年 5 月 17 日......
LFPAK88封装设计。这些器件具备高效率和低尖峰特性，适用于通信、服务器、工业、开关电源、快充、USB-PD和电机控制应用。   长期以来，品质因数Qg*RDSon一直是半导体制造商提高MOSFET......
(FOM)，即RDS(ON) ×芯片面积（品质因数越低越好）。在1200V阻断电压下，意法半导体的SiC MOSFET的FOM值很小，约为市面上最好的高压硅MOSFET（900V超结......
是利用转移并结合在载体衬底上的单晶压电薄膜来限制和归导声波在单晶薄膜内的传播。通过这样的方式，GSAW技术可以在更广泛的范围内达到更卓越的品质因数，同时实现高机电耦合（k²）和更低的温漂系数（TCF......
NFC 天线磁性片: TDK 推出用于NFC应用的全新 IFQ06 高导磁率超薄磁性片;• 用于13.56㎒近场通讯（NFC）应用的高导磁率低磁损耗材料• 高柔韧性使片材易于成型为所需形状• 高品质因数......
NFC 天线磁性片: TDK 推出用于NFC应用的全新 IFQ06 高导磁率超薄磁性片;• 用于13.56㎒近场通讯（NFC）应用的高导磁率低磁损耗材料• 高柔韧性使片材易于成型为所需形状• 高品质因数......
益本质上相关。为获得最佳稳定性，增益应低于3。 2.品质因数Q对于Sallen-Key滤波器可能很重要。在此设计中，Q保持√2⁄2，这是巴特沃兹二阶滤波器的标准值。可以调整Q以改变滤波器响应。Q越高（切比......
电路是一种单位增益的Sallen-Key滤波器。可将电阻网络添加到运算放大器的反馈回路中，以给电路增加增益（参见附录1）。品质因数Q（衡量稳定性方面的性能）与增益本质上相关。为获得最佳稳定性，增益应低于3。 2.品质因数Q......
，电动机的功率因数越高。此外，当负载变化时，电动机的功率因数也会发生变化。 效率特性：三相感应电动机的效率特性是指效率和负载之间的关系。在负载不变的情况下，随着电源电压的变化，电动......
得最佳稳定性，增益应低于3。 2.品质因数Q对于Sallen-Key滤波器可能很重要。在此设计中，Q保持√2⁄2，这是巴特沃兹二阶滤波器的标准值。可以调整Q以改变滤波器响应。Q越高（切比雪夫滤波器），滚降......
点频率自动检测功能 ●涵盖各式测量参数：Z（阻抗）、L（电感）、C（电容）、Rac（交流电阻）、Phase（相位）、Q（品质因数）、D（损耗因数）、Rdc（直流电阻） 、圈数比、漏电感和层间电容 ●可透......
器件具备高效率和低尖峰特性，适用于通信、服务器、工业、开关电源、快充、USB-PD和电机控制应用。 长期以来，品质因数Qg*RDSon一直是半导体制造商提高MOSFET开关效率的重点。然而，一味地降低该品质因数......
内的任何频率。具有–236 dBcHz 品质因数和高相位检测器频率的高性能PLL 可以实现极低的带内噪声和集成抖动。高速N分频器没有预分频器，从而显着降低了杂散的幅度和数量。还有......
款模块中的 MOSFET采用意法半导体的第二代 SiC 技术，RDS(on) x 芯片面积品质因数非常出色，确保开关可以处理高电流，把功率损耗降至很低。每款芯片的典型导通电阻RDS(on)都是13mΩ，全桥拓扑和T型拓......
启动、或用变频器调速，可全面更换异步电机； 3、稀土永磁高效节能电机本身可比普通电机节约电能15℅以上； 4、电机功率因数接近1，提高电网品质因数，无需加功率因数补偿器； 5、电机电流小，节约......
器件具备高效率和低尖峰特性，适用于通信、服务器、工业、开关电源、快充、USB-PD和电机控制应用。 长期以来，品质因数Qg......
放分别去推前场，后场和低音，不过要注意加个电容，线材也要选用好点的，防止烧坏汽车电源 主要有哪些不同呢？ 汽车扬声器一般采用高Qts（总品质因数）值、低阻抗、高灵敏度设计。由于......
技术平台推出四款首批器件。作为目前市场上首批也是唯一的750V SiC FET，这四款第四代器件基于领先的品质因数（FoM）实现了新的性能水平，从而使汽车、工业充电、电信整流器、数据中心功率因数校正（PFC）和 DC......
新发展之路，进一步巩固了英飞凌在高端功率转换领域的领导地位。”英飞凌高压功率转换产品负责人Jan-Willem Reynaerts指出，“凭借CoolMOS C7一流的品质因数（RDS(on)*EOSS），我们......
很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通......
先进沟槽技术设计，与传统标准沟槽设计相比，为60V MOSFET的品质因数（FOM）减少68%、100V减少41%、150V则减少了53%，且显著降低电容，确保了最低的导通和开关损耗，从而提升了整体性能。 新系......
， INN100W032A 的硬开关品质因数仅为其 16%，软开关品质因数也仅为其 39%，可大大降低在 Buck/Boost 应用中开关器件的损耗，提升......
统的硅功率器件相比，CoolSiC MOSFET G2在硬开关和软开关操作中展现出了显著的优势。其关键品质因数相比上一代G1提高了20%以上，使得在相同的条件下，它能够以更高的效率进行电力转换。此外......
统的硅功率器件相比，CoolSiC MOSFET G2在硬开关和软开关操作中展现出了显著的优势。其关键品质因数相比上一代G1提高了20%以上，使得在相同的条件下，它能够以更高的效率进行电力转换。此外，SiC......
-junction)技术。此项技术可生产单位硅面积导通电阻RDS(ON) 极低的高压器件，使芯片的封装尺寸变得更小。栅电荷(Qg)和输入电容也极低，因此，Qg x RDS(ON)品质因数 (FOM，figure......
永磁高效节能电机本身可比普通电机节约电能3℅以上； 3.电机功率因数一般高于0.90，提高电网品质因数，无需加功率因数补偿器； 4.电机电流小，节约输配电容量、延长系统整体运行寿命； 5.加驱......
是电机的有功功率与视在功率的比值，通常表示为cosφ，其中φ表示电机的功率因角，取值范围在0到1之间。功率因数越接近1，表示电机的运行效率越高。 　　对于直流电机，功率因数......
在成本上将比SiC和GaN等材料更具优势。 目前，氧化镓材料面临一个重要的难点：难以实现氧化镓的p型掺杂，这导致氧化镓场效应晶体管面临着增强型模式难以实现和功率品质因数难以提升等问题。氧化......
到TO-247-4的行业标准封装，专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用而设计。G3F产品系列针对高速开关性能进行了优化，与CCM TPPFC系统中的竞争对手相比，硬开关品质因数（FOMs）提高了40......
整个射频前端模块市场中最重要的组成部分。 滤波器技术简介 射频滤波器最主要的指标包括品质因数Q和插入损耗。在目前的通讯协议中，不同频带间的频率差越来越小，因此需要非常好选择性，让通......
查阅大量产品手册，比较各种规格和功能。产品推荐工具 PRT+ 旨在帮助设计工程师从安森美的产品组合中找到合适的产品。PRT+ 采用排名算法，可以根据半导体元器件的品质因数及用户选择的快速筛选条件来推荐产品，这也......
SRF(自谐振频率)的要求，进而有效提高品质因数并降低损耗和功耗。 CQ系列MLCC通常用于500MHz至20GHz的高频应用，包括射频模块、移动通信、电信网路等。当这......
款模块A2U12M12W2-F2采用三电平T型逆变拓扑，导通能效和开关能效均很出色，输出电压质量稳定。这两款模块中的 MOSFET采用意法半导体的第二代 SiC 技术，RDS(on) x 芯片面积品质因数非常出色，确保......
特点 ●   绕线结构，超小尺寸  ●   高品质因数  ●   高自谐频率  ●   DCR小，大电......
关系，二者的矢量和与实轴形成一个夹角，我们把这个夹角δ称为损耗角，这个角的正切值称为损耗角正切，它等于介电常数定义中虚部和实部的比值。损耗角正切还有一个常用的名称——损耗因数（Df），它等于品质因数......
系列针对高速开关性能进行了优化，与CCM TPPFC系统中的竞争对手相比，硬开关品质因数（FOMs）提高了40%。这将使下一代AI数据中心服务器电源（PSUs）的功率增加到10kW，每个......
%，漏源导通电阻×栅漏电荷（MOSFET性能的品质因数）降低了约52%。这有助于确保该系列产品实现导通损耗和开关损耗的双重降低，并最终实现了开关电源效率的提高。 该新产品采用TOLL封装，栅极......
将具有行业内极低的Qrr品质因数（RDS(on) x Qrr）。 Nexperia产品经理Mike Becker指出，鉴于全球半导体短缺的情况下，Nexperia积极投资全球制造工厂以提高产能，包括......
）。 注： [1]降低了漏源导通电阻（典型值）×输出电荷（典型值），即开关应用的品质因数......
专为高速开关应用而开发，具有领先同类产品的开关损耗品质因数。 ......

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