安森美下一代1200 V EliteSiC M3S器件

发布时间:2023-05-10  

提高电动汽车和能源基础设施应用的能效


全新产品系列包括快速开关MOSFET和半桥功率集成模块,具备领先行业的每开关超低导通电阻Rds(on),采用行业标准封装


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2023 年 5 月 10日—智能电源和智能感知技术的领导者安森美(onsemi),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。全新产品系列包括有助于提高开关速度的EliteSiC MOSFET和模块,以适配越来越多的800 V电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和电动汽车直流快充、太阳能方案以及能源储存等能源基础设施应用。


该产品组合还包括采用半桥功率集成模块(PIMs)的新型EliteSiC M3S器件,具有领先业界的超低Rds(on),采用标准F2封装。这些模块非常适用于工业应用DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率转换阶段。它们提供更高的集成度,采用优化的直接键合铜设计,实现了并联开关之间的平衡电流共享和热分布。这些PIM旨在提供高功率密度,适用于能源基础设施、电动汽车直流快速充电和不间断电源(UPS)。


安森美高级副总裁兼先进电源分部总经理Asif Jakwani说:“安森美最新一代汽车和工业EliteSiC M3S产品将助力设计人员减小其应用占位和降低系统散热要求。这有助于设计人员开发出能效更高、功率密度更大的高功率转换器。”


车规级1200 V EliteSiC MOSFET专用于高达22 kW的大功率OBC和高压至低压的DC-DC转换器。M3S技术专为高速开关应用而开发,具有领先同类产品的开关损耗品质因数。


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