资讯
以s3c2440为例讲解arm芯片的启动过程(2023-01-03)
与联系，参考文章：各种主流半导体存储器的区别与联系。还需要了解程序是如何编译链接和执行的。
本文将以s3c2440为例详细讲述 arm 芯片的启动过程。s3c2440支持两种启动模式：NAND......
以s3c2440为例的arm芯片的启动过程(2023-01-09)
与联系，参考文章：各种主流半导体存储器的区别与联系。还需要了解程序是如何编译链接和执行的。
本文将以s3c2440为例详细讲述 arm 芯片的启动过程。s3c2440支持两种启动模式：NAND......
u-boot之NAND启动与NOR启动的区别(2024-08-29)
u-boot之NAND启动与NOR启动的区别;nand启动与nor启动的区别主要分为以下几部分说明：
1、nand flash与nor flash的最主要区别
2、s3c2440的nand启动......
nand write.jffs2 & nand write(2024-08-02)
write.jffs2 xxxxx.." jffs 是一个文件系统，这是为什么呢？
nand write：向Nand Flash写入数据，如果NandFlash相应的区域有坏块，则直接报错。
nand......
最高调升20%，群联NAND控制芯片近八年来首度涨价(2020-12-17)
。
群联表示，为应对晶圆代工及封测等报价成本提升，2020年第四季报价就开始调高NAND Flash控制IC价格，涨价幅度依照产品别不同而有所区别，价格调升最高达20％。
控制IC产能......
u-boot-1.3.4移植到s3c2440之nand驱动(2024-07-25)
S3C2410_NFCONF_TWRPH1(x) ((x)<<4)
修改完成后的代码如上。这里主要是由于2440与2410的nand控制器寄存器有一定的区别。
2.2、修改s3c2410_hwcontrol函数......
闪存颗粒到底是何物？浅析闪存及制程(2017-02-13)
颗粒有着功耗更低、价格更低和性能更佳等诸多优点，成为了存储行业最为重要的存储原料。
根据NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）以及TLC(三层存储单元)，此三种存储单元在寿命以及造价上有着明显的区别......
arm920t中S3C2440、S3C2450和S3C6410的区别(2023-02-02)
arm920t中S3C2440、S3C2450和S3C6410的区别; 三星目前推出了S3C6400和S3C6410，都是基于ARM架构的，而且硬件管脚兼容，应该说大致的功能基本相同，比较明显的区别......
美光公布DRAM、NAND技术路线图，还将放大招稳定存储器价格(2022-05-13)
美光公布DRAM、NAND技术路线图，还将放大招稳定存储器价格;美国当地时间5月12日，存储器大厂美光科技举办Investor Day（投资者日）活动，展示了DRAM与NAND未来技术路线图，并宣......
NAND市场2023年表现或强于DRAM，未来市场规模将并驾齐驱(2023-01-06)
市场。
根据Omdia数据，今年全球NAND闪存市场规模约为585.13亿美元，与DRAM市场（595.82亿美元）相近，预计到2025年，NAND市场......
威刚董事长：DRAM与NAND Flash价格可望维持一整年多头格局(2024-01-06)
威刚董事长：DRAM与NAND Flash价格可望维持一整年多头格局;
【导读】存储品牌暨模组厂商威刚董事长陈立白在谈及市况时表示，看好存储原厂减产与产能排挤效应发酵，且AI应用......
三家存储大厂业绩复苏(2024-02-01)
厂商普遍看好后续存储市况，尤其是DDR5与HBM等高附加值DRAM市场。
三星电子：存储业务复苏
2023年第四季度，三星电子营收为67.78万亿韩元，环比增长0.6%，同比下降3.8%。其中，存储......
存储大厂下调业界前景，最新技术进展曝光(2022-07-01)
存储大厂下调业界前景，最新技术进展曝光;6月30日，存储大厂美光科技公布2022财年第三财季财报。
DRAM与NAND同步成长
该季度美光实现营收约86.4亿美元，同比增长16.4......
2024年DRAM、NAND Flash季度合约价预测｜TrendForce集邦咨询(2024-01-19)
咨询维持先前预测，DRAM合约价季涨幅约13~18%；NAND Flash则是18~23%。虽然目前市场对第二季整体需求看法仍属保守，但DRAM与NAND Flash供应商已分别在2023年第四季下旬，以及......
u-boot-1.3.4 移植到S3C2440 （带有某些解析）(2024-07-26)
. 2440和2410的区别：
2440和2410的区别主要是2440的主频更高，增加了摄像头接口和AC‘97音频接口；寄存器方面，除了新增模块的寄存器外，移植所要注意的是NAND......
ch32v103与stm32f103的区别(2024-09-06)
ch32v103与stm32f103的区别;Ch32v103与STM32f103是两种不同的芯片，虽然它们都是基于ARM Cortex-M3内核的32位微控制器，但它们在硬件配置、功能、性能......
S3C2440,S3C2450和S3C6410的区别(2023-02-02)
S3C2440,S3C2450和S3C6410的区别;作为GPS、PDA、数字电视等手持设备的主要方案处理器提供方韩国Sumsung公司，最近又新推出ARM处理器S3C2450、S3C6410芯片......
存储需求动能强劲，第四季 DRAM 合约价有望再涨逾一成(2016-10-18)
器、面板等关键零部件皆终止长期价格颓势。TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 表示，内存在笔电需求回温、智能手机延续强劲成长态势与服务器需求增温带动下，DRAM 与 NAND......
存储器市场NAND、DRAM此消彼长？(2023-08-04)
相反，NAND市场需求持续萎缩。
这一背景下，已经有存储厂商将减产重点落在NAND领域。
SK海力士在最新财报中表示，与DRAM库存去化速度相比，NAND闪存的去库存速度相较缓慢，因此......
存储芯片迈入下行周期，大厂的“保守”与“激进”(2022-11-08)
第四季度DRAM价格跌幅将扩大至13~18%，NAND Flash在第四季度同样维持下跌趋势，价格跌幅则将扩大至15~20%。
存储芯片市场迎来下行周期，产业变得愈发保守起来，比如缩减产能、灵活......
C语言常见问题(2024-08-02)
用指针之前要判断指针是否为NULL，引用不需要判断；
18、malloc（）与colloc（）的区别
1、malloc（）与colloc（）都是在堆上申请动态内存空间；
2、malloc（）只有一个参数，即要......
内闪存价格趋势预测；海威华芯超100亿投资第三代半导体(2021-09-25)
~8%...详情请点击>>《下半年DRAM价格预测：第四季将转跌3~8%》
NAND Flash方面，根据TrendForce集邦咨询调查，由于智能手机、Chromebook与电......
2023年DRAM需求位元成长仅8.3%为历年最低，NAND Flash有望以跌价带动搭载容量增长｜TrendForce集邦咨询;TrendForce集邦咨询：2023年DRAM需求位元成长仅8.3......
涨价前兆！PC、手机DRAM内存将出现供应短缺(2024-06-26)
)这类DRAM的大力投资，通用型DRAM的产能利用率相对较低，三星和SK海力士的产能利用率仅在80%到90%之间，与NAND闪存的全速生产形成鲜明对比。
伴随着企业级固态硬盘(eSSD......
机构：看好存储全年上行趋势，今年有望连四个季度涨价(2024-02-25)
%。
2024Q2虽然目前市场对整体需求看法仍属保守，但DRAM与NAND Flash供应商已分别在2023Q4下旬，以及2024Q1调升......
供过于求持续 明年DRAM价格恐再跌(2022-08-29)
供过于求持续 明年DRAM价格恐再跌;TrendForce在新一份预测评估了2023年DRAM市况，结论是“至少2023年的DRAM市况在供过于求的情势下仍相当严峻，价格恐将持续下滑”。
NAND......
明年DRAM需求位元成长幅度恐创历年最低，仅为8.3%(2022-08-03)
%，预计至少2023年的DRAM市况在供过于求的情势下仍相当严峻，价格恐将持续下滑。
NAND Flash方面，仍处于供过于求状态，但该产品与DRAM相较更具价格弹性，尽管......
预估2022年DRAM产值达915亿美元，下半年起可望扭转跌价态势｜TrendForce集邦咨询(2021-11-04)
单季价格持平的可能性。
整体而言，DRAM与NAND Flash历年的总产值变化，由于两者竞争型态的不同，DRAM基本上在产能扩张上较有规律，故长期均价的波动性较小，同时20nm以下制程微缩已经逐渐达到物理极限，使得......
集邦咨询：2022年DRAM产值將达915亿美元，下半年起或扭转跌价(2021-11-08)
跌幅较为收敛，或有单季价格持平的可能性。
整体而言，DRAM与NAND Flash历年的总产值变化，由于两者竞争型态的不同，DRAM基本上在产能扩张上较有规律，故长期均价的波动性较小，同时20nm以下......
ch32f103和stm32的区别(2024-07-24)
ch32f103和stm32的区别;STM32 系列是意法半导体公司旗下的 ARM Cortex-M3 和 Cortex-M4 微控制器，系列产品将 MCU 和专用模块集成到单一芯片中，广泛......
威刚5月营收同比增逾30%，看好DRAM价格增长(2024-06-07)
威刚5月营收同比增逾30%，看好DRAM价格增长;
【导读】受惠于本季度DRAM与NAND Flash芯片合约价格持续增长，存储模组大厂威刚5月合并营收达32.27亿元新台币，同比......
存储器大厂交出强劲财报，DRAM、NAND Flash表现如何？(2022-03-31)
增长25%；非GAAP准则下，净利润约24.4亿美元，同比增长116.67%。
美光交出强劲财报，DRAM与NAND业务表现如何？
77.9亿美元营收中，美光DRAM业务贡献了73%的营......
又一巨头闪存技术路线图曝光，未来将发力500层以上NAND技术！(2022-05-17)
缩小芯片尺寸。
△Source：西数
西数与铠侠计划2022年底前开始量产162层NAND，未来两家公司还将推出200层以上（BiCS+）的闪存产品，与BiCS6相比，200层以上BiCS+每个......
2025年存储产业进入上升循环？(2024-07-11)
元，环比增长32%。DRAM与NAND ASP环比增长均超过20%。美光表示，该季公司营收、毛利率和每股收益均高于指导范围上限。展望下一季度，美光预计公司营收将可达到74亿—78亿美......
大规模物联网连接数量增加三倍，物联网设备系统设计应考虑哪些因素？(2020-11-26)
板电脑或智能手表等。Wi-Fi/BT 和移动网络模块负责通信。传感器（如触摸面板）专用于收集外部信息，并将信息转发给应用处理器。NOR/NAND 负责存储程序代码/数据，而 DRAM 则用于暂时性的处理。
目前，许多......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-04)
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续;
【导读】尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响，存储产业身处下行周期，但存......
存储大厂技术之争愈演愈烈(2024-04-16)
则计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。
内存方面，存储大厂瞄准先进制程节点以及3D DRAM。
今年3月美光在财报中透露，目前绝大多数DRAM颗粒处于1α与......
2021年第一季NAND Flash仍供过于求，估季跌幅约10~15%(2020-12-14)
TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处指出，2021年NAND Flash各类产品总需求位元数包含Client SSD（31%）、Enterprise SSD（20%）、UFS与eMMC（41%）与NAND......
原厂库存低水位，支撑第三季存储器价格续涨｜TrendForce集邦咨询(2021-06-08)
而言，TrendForce集邦咨询预期，下半年中国智能手机品牌厂将放缓mobile DRAM与NAND Flash的采购，但其他终端应用需求依旧强劲，故整体存储器合约价格仍不易下跌。而在PC与NB领域，后续......
中国存储器厂均正常运作，武汉疫情未造成供给问题(2020-02-03)
中国存储器厂均正常运作，武汉疫情未造成供给问题;针对武汉疫情对全球内存产业的影响，DRAMeXchange调查指出，位于中国境内的DRAM与NAND Flash工厂，目前......
存储器厂商减产，或带动价格提前落底？(2022-11-19)
年推出样本，然客户端因需求展望保守，导入意愿可能并不积极，预计2024年才能明显贡献产出。
威刚指出，目前仍维持先前对存储器市况的看法，虽然本季DRAM与NAND芯片合约价仍持续下探，但DRAM现货......
内存销售额创纪录背后的喜与忧(2017-07-19)
始就已经初现端倪。资料显示，2016年4月DRAM ASP为2.41美元，然而2017年1月ASP已迅速扬升至3.60美元，涨幅达49%。IC Insights预估2017年DRAM与NAND Flash......
三星NAND或涨价10%！最快本月生效 ？(2023-10-07)
存储类厂商也看好存储芯片未来走势。
威刚董事长陈立白日前表示，存储产业历经一线大厂陆续减产后，开始嗅到回春迹象，估计DRAM与NAND Flash最新合约价格将上涨10%-15%，接下来这两者不论是现货价或合约价，将会......
东芯股份前三季度营收3.71亿元，存储产品周期反转将近(2023-11-03)
相继宣布了减少产出及调整资本开支计划，供给端产出逐步收缩，如果23Q4下游需求逐步恢复，供需关系不断改善，存储器价格23Q4有望继续反弹。国际存储大厂美光Q3业绩说明会表示预计23年DRAM与NAND供给均下降，24年供......
今年上半年DRAM及NAND Flash涨势明确，存储模组厂营运预期乐观(2024-02-21)
上半年DRAM与NAND Flash价格涨势明确，客户备货意愿持续升温，推动上半年营运维持成长，预期本季获利可望续站高档。
DRAM方面，陈立白表示，由于......
内存 Q4 需求旺，三星、SK 海力士有望受惠(2016-10-18)
已呈现缺货，让业界看好第四季 DRAM 与 NAND 闪存报价将大幅走扬，韩国三星与 SK 海力士有望受惠。
市调机构 DRAMeXchange 指出，个人电脑用 DRAM 合约价 9 月报 14.5 美元，上涨......
谁是存储器市场下一个“宠儿”？(2024-04-25)
领域HBM持续扩产，技术不断迭代，同时3D DRAM潜力备受关注；兼具DRAM与NAND Flash优势的新型存储技术再次被原厂提及；PCIe 5.0尚未全面普及，PCIe 7.0已经......
SD NAND 的 SDIO在STM32上的应用详解(上篇）(2024-03-22)
FLASH 和 NAND FLASH的区别FLASH 存储器又分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH
NOR 与 NAND 的共性是在数据写入前都需要有擦除操作，而擦除操作一般是以“扇区/块......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-07)
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续;尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响，存储产业身处下行周期，但存储大厂对于先进技术的竞赛仍在继续。
对DRAM芯片而言，先进......
MCS-51单片机指令系统（4）(2022-12-12)
MCS-51单片机指令系统（4）;某些指令说明
-“读引脚”和“读锁存器”指令的区别
关于并行I/O口的“读引脚”和“读锁存器”指令的区别
例如，当P1口的P1.0引脚外接一个发光二极管LED的阳......
相关企业
;深圳市十德盛科技有限公司;;深圳市十德盛科技有限公司成立于2006年，今年已走过十个年头。本公司十年来专注于MEMORY系列， 并且积累了大量NAND FLASH与DRAM库存，欢迎各位前来咨询与合作！
;香港德胜科技;;主营NAND FLASH;DRAM;MCP;TF卡
;金科亚洲有限公司;;镁光（Micron） SpecTek 原厂订货、标货、现货供应，DRAM、DDR1 DDR2 DDR3 SPECTEK NAND Flash、MCP \ SLC，MLC
+1Gb+64 NAND+MOBILE DRAM/DDR ◎三星MMC卡MMCmicro,MMCmobile,MMCplus,容量分别为 8G,4G.2G.1G.512M.256M.128M.64M.32M
+64 NAND+MOBILE DRAM/DDR ◎三星MMC卡MMCmicro,MMCmobile,MMCplus,容量分别为 8G,4G.2G.1G.512M.256M.128M.64M.32M
, DRAM,Nor flash and Nand flash。客户范围遍布DVD, 数码相机, DVB,网络等广阔的市场.
;香港语源电子科技有限公司;;我公司专业从事NAND FLASH,SDRAM,MCP ,DRAM,通信内存IC,手机内存IC,MP3/MP4内存芯片,U盘内存芯片,各种卡类内存IC ,数码
;梅安茶庄;;清香型安溪铁观音和浓香型安溪铁观音最主要的区别就在于:浓香型在精制工艺上多了一道烘焙工序，因而冲泡时汤色较浓。 浓香型产品精制工艺:毛茶→验收→归堆→投放→筛分→风选→拣剔→号茶
;深圳市语源电子商行;;香港语源电子 2019-5-9 14:51:27 我公司专业从事NAND FLASH,SDRAM,MCP ,DRAM,通信内存IC,手机内存IC,MP3/MP4内存芯片,U
;深圳市兆丰源科技有限公司;;深圳市兆丰源科技主营 EMMC DRAM NAND FLASH等memory器件,涉及品牌包括Samsung,HYNIX,MICRON ,TOSHIBA