资讯
安建半导体获1.8亿元B轮融资，用于MOS和IGBT全系列产品开发等(2022-03-25)
列产品开发、第三代半导体SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。
据悉，安建半导体成立于2016年，目前产品线已经涵盖大部分MOS管和IGBT产品，其中低电压的SGT-MOS管、高电压的SJ-MOS管......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
整个产品的寿命。
IGBT的诞生
IGBT诞生了，如前面所讲，IGBT是由MOS管和三极管结合组成的，既然要结合，那么肯定要继承两者的优良基因。所以IGBT相较于三极管和MOS管的......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
半桥电路的控制要求。
2、IGBT驱动
IGBT常被用于中大功率数字电源开发，其驱动电压范围为-15~15V。IGBT驱动电路分为正压驱动和负压驱动，两者的区别在于关断时的门极电位。采用......
PLC控制步进电机的速度和角度 PLC控制柜由哪些元件组成(2023-09-11)
与相序保护继电器如何使用
23.三极管MOS管IGBT的区别
24.电动机综合保护器线路接线方法
25.道闸杆控制接线图
26.电机的四种启动方式：变频启动、软启动器启动、星三角降压启动、全压......
硬件工程师入门基础元器件与电路原理(2024-12-03 11:23:44)
硬件工程师入门基础元器件与电路原理;
本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件，包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性，探讨......
功率IC设计厂商“天狼芯”获数千万人民币A轮融资(2021-01-07)
1200V的SiC平面式MOS管的研发。
在基于硅基类第一代半导体的功率器件产品上，天狼芯生产的MOS管和IGBT模组已经与晶圆厂合作落地量产：针对消费电子场景，公司主要生产20V~150V的MOS管......
两个MOS管背靠背串联，就会组成双向开关(2024-10-07 11:01:50)
两个MOS管背靠背串联，就会组成双向开关;
两个MOS管背靠背串联，就会组成双向开关。
双向开关
一种由MOSFET或者IGBT构建......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是，当GPIO......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
IGBT 和 SiC MOS 封装在一起，形成混合并联模块的解决方案。未来，功率芯片和模块的创新应用场景会更加丰富。
晶能微电子是科技集团孵化的功率半导体公司，聚焦于 Si IGBT&SiC......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为晶体管。
MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由管......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
硅面的正面制作元胞并用钝化层保护好，在硅片减薄之后，首先在硅片的背面注入磷，形成N+截止层，最后注入硼，形成P+collector。
三极管，MOSFET，IGBT的区别?为什么说IGBT是由......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
率均大幅的下降。
由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别，在应用上驱动电路也比晶体三极管复杂，致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难，此文即针对这一问题，把MOS管及其应用电路作简单介绍，以满......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
电压和其他参数可以看具体器件的SPEC。
对PMOS来说，Vs-Vg>Vgs(th)，即S极和G极的压差大于一定值，MOS管会导通，同样的，具体参数看器件的SPEC。
▉ 与三极管的区别
三极管是电流控制，MOS管是......
初学者，这样认识电阻，电容，二极管，三极管？(2024-12-05 18:40:15)
不是特别的多。
IGBT,TO-247的封装和模块封装，
用在大功率的电源上，是三极管和MOS管的组合体，在变频器中都是用的模块IGBT......
反激开关电压和正激开关电源的区别(2024-12-21 11:24:24)
反激开关电压和正激开关电源的区别;
在市面常见的电源有反激开关电源和正激开关电源，又分有单管和双管结构。
它们之间各有优缺点，都有一定的占有量，它们最大的区别是功率不同，反激......
STM32的GPIO工作原理详解(2023-05-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32的GPIO介绍及电路图讲解(2023-07-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32 GPIO工作原理详解(2023-03-20)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO......
STM32的GPIO详细介绍(2023-06-25)
-MOS 管和 N-MOS 管：由 P-MOS 管和 N-MOS 管组成的单元电路使得 GPIO 具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL 肖特基触发器：信号......
为什么PWM驱动芯片用图腾柱(2024-10-12 12:40:02)
MOS管的开通和关断时间都非常短，平台电压也非常窄，可有效降低开关损耗。
图8：电机调速电路
关于三极管和MOS管的特性，前面......
闻泰科技IGBT加速研发，汽车市场布局全面展开(2022-09-28)
安世原有产品线收入规模较大，IGBT预计未来上量的前期不会立刻体现在对营收上，公司看好400V左右的中低压车市场，会用IGBT和GaN覆盖该领域。另外，安世的双极性晶体管和二极管市场占有率全球第一，Mos产品......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件，预计今年内实现量产(2022-08-12)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide......
一文读懂功率半导体(2022-12-14)
率器件的许多应用领域。
在汽车应用中，IGBT主要用在高电压环境的电力驱动系统，电源系统和充电桩。应用范围一般都在耐压600V 以上，电流 10A 以上，频率 1KHz 以上的区域。
电力驱动系统：主要......
理清推挽、开漏、OC、OD的特点与应用(2024-11-03 23:04:17)
输出
常说的与推挽输出相对的就是开漏输出（Open Drain Output），对于开漏输出和推挽输出的区别最普遍的说法就是开漏输出无法真正输出高电平，即高电平时没有驱动能力，需要......
开漏输出和推挽输出(2024-02-23)
开漏输出和推挽输出;概述
在STM32或者GD32中，普通的输出GPIO输出方式主要是开漏输出和推挽输出，下面我们开始讲解这2种模式的区别。
下图是GPIO内部的结构示意图。
在上图中，P......
STM32 GPIO工作原理及LED电路原理(2024-08-15)
出控制电路输出0时：P-MOS管截止N-MOS管导通，被下拉到低电平，IO口输出为低电平0同时IO口输出的电平可以通过输入电路读取8，GPIO输出工作模式4-复用推挽输出模式
与推挽输出模式唯一的区别......
半导体周期调整IGBT走强，头部公司订单饱满纷纷扩产(2022-12-06)
，公司将加快与汽车、新能源等相关的产品产出，努力提升第四季度营收规模。公司对今后几年营收继续保持较快增长充满信心。
在IGBT市场，士兰微的IGBT单管和模块在工业领域已经大量应用，并拓......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
高速风筒IPM方案推荐(2024-03-19)
） 无须采取防静电措施。
10） 大大减少了元件数目。体积相应小。
三：采用IPM模块设计的高速风筒，相较于采用MOS管方案，分立IGBT及FRD对于表面散热更均匀，不容易导致热堆积。利用与各种PCB基板......
半导体周期调整IGBT走强，头部公司订单饱满纷纷扩产(2022-12-07)
市场，士兰微的IGBT单管和模块在工业领域已经大量应用，并拓展到了新能源和汽车。据介绍，公司12寸IGBT月产能为1.5万片，但受衬底短缺的影响，实际尚未达标，目前正在解决，加上公司8寸线和6寸线......
半导体周期调整IGBT走强，头部公司订单饱满纷纷扩产(2022-12-06)
源等相关的产品产出，努力提升第四季度营收规模。公司对今后几年营收继续保持较快增长充满信心。
在IGBT市场，士兰微的IGBT单管和模块在工业领域已经大量应用，并拓......
车规功率器件千亿赛道，国产占比不到一成，如何突破？(2023-06-15)
场景较为广泛；
而IGBT 的出现大大拓宽了硅基功率半导体的工作电压范围，其最高工作电压达到 6500V，同时具备功率 MOS 相对合适的工作频率，在电动车、轨道交通、电网、光伏......
gd32和stm32的区别(2024-07-18)
gd32和stm32的区别;gd32和stm32的区别现在的市场上有很多种不同类型的微控制器，其中比较常见的有两种，即gd32和stm32。两种微控制器都是中国和欧洲的两个公司分别推出的，但是它们之间有很多区别......
GPIO输入输出各种模式（推挽、开漏、准双向端口(2024-12-19 14:43:04)
模式主要有开漏（Open Drain）模式和推挽（Push-Pull）模式，这一部分涉及的知识点比较多；对于输入输出IO，容易产生疑惑的地方是准双向和双向端口的区别。
下面......
C51单片机的IO口介绍(下)(2024-03-15)
信号通过一个非门取反后送入一个MOS管，MOS管负责控制这个IO的高低电平，配合内部上拉电阻完成高低电平的输出
为了方便我们分析，我们把这个MOS管看成一只NPN三极管。区别是三极管靠电流导通，MOS管靠电压导通
结合......
STM32端口复用和端口重映射？什么是端口复用重映射？(2024-06-04)
开漏输出（alternate function open-drain）、复用推挽输出（alternate function push-pull）等8种模式。
先说明一下开漏输出和推挽输出的区别。
STM32Fxx系列......
闻泰科技IGBT系列产品已流片成功 近年许多新品进入收货期(2022-03-10)
闻泰科技IGBT系列产品已流片成功 近年许多新品进入收货期;3月9日晚间，闻泰科技发布公告称，全资子公司NexperiaB.V.（“安世半导体”）于2021年设立了中国研究院，专注高压功率器件、模拟......
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新(2023-03-06)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有（Metal-Oxide......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
各种项目需求。Littelfuse是一家多元化的工业技术制造公司，为可持续、互联和更安全的世界赋能。
e络盟供应的产品包括保险丝、断路器、浪涌保护器、瞬态抑制二极管、二极管、晶闸管、二极管、MOS晶体......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
各种项目需求。Littelfuse是一家多元化的工业技术制造公司，为可持续、互联和更安全的世界赋能。
e络盟供应的产品包括、、、瞬态抑制二极管、二极管、晶闸管、二极管、MOS晶体管（MOSFET......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
家多元化的工业技术制造公司，为可持续、互联和更安全的世界赋能。本文引用地址：e络盟供应的产品包括保险丝、断路器、浪涌保护器、瞬态抑制二极管、二极管、晶闸管、二极管、MOS晶体管（MOSFET）、绝缘......
变频器和电动机的区别(2023-07-20)
变频器和电动机的区别;变频器的概念和工作原理
变频器又称为变频调速器，是一种用于控制交流电机转速的电子设备。它通过改变电机的供电频率来调整电机转速，从而实现对电机的精确控制。它广......
如何用单片机控制220V交流电的通断(2024-01-17)
容性负载上电瞬间的波形与过流、短路波形的区别，防止误保护。使用三极管的原理也是类似的，由于篇幅的原因，就不为大家详细说明了，真正要详细分析几千字估计都不够。
......
相关企业
House）。公司的核心业务为功率管理产品的设计、开发和销售，包括功率Trench MOS，VDMOS，IGBT、肖特基二极管和功率集成电
;菱威有限公司;;我司代理台湾富鼎的MOS管和亿光的LED.有代理证.
;梅安茶庄;;清香型安溪铁观音和浓香型安溪铁观音最主要的区别就在于:浓香型在精制工艺上多了一道烘焙工序，因而冲泡时汤色较浓。 浓香型产品精制工艺:毛茶→验收→归堆→投放→筛分→风选→拣剔→号茶
;晶顺昌科技有限公司;;销售半导体器件.如:三极管,可控硅,MOS管,三端稳压管和部分IC
Design House）。公司的核心业务为功率管理产品的设计、开发和销售，包括功率Trench MOS，VDMOS，IGBT、肖特基二极管和功率集成电路等，其产品主要应用于功率管理领域。当前
;深圳富邦科技有限公司;;我司代理电源管理IC，现在有很多内置三极管和MOS管的电源IC方案，100W以内的都有方案，主要品牌有：亚成微，微盟，芯联，芯龙，信安，BYD。各种性IC和MOS管的性价比非常高。
;深圳上通电子科技有限公司;;NEC的MCU,MOS管和光藕，代理JAE连接器，OPTREX的LCD，ELPIDA的存储器，均为日本产品
;创辉电子有限公司;;电子元器件类，单片机，IGBT ，桥堆，三三极管，MOS 经营。
;闪亮科技香港发展有限公司;;我们公司主要经营英飞凌IKW IGBT 场效应管和microchip PIC 单片机，提供现货供应和订货服务
;深圳电洋科技有限公司;;我公司为仙童一级经销商，专业销售仙童电源IC、MOS管和1300系列,公司操作灵活，价格实在，现货供应。是中小型电源企业的仙童首选供应商。