资讯
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
工作栅极电压
推荐的工作栅极驱动电压，是通过考虑性能（如 RDS（ON）、开关损耗（EON、EOFF）、体二极管的正向压降（VF）及其反向恢复损耗（EREC））和可靠性，特别是栅极氧化层质量来确定的。
如表2所示......
三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线(2020-12-03)
间内便完成了碳化硅器件产品线布局。在保证器件性能的前提下，提供高质量高可靠性的碳化硅产品。首款工业级碳化硅MOSFET采用平面型设计，具备优异的体二极管能力，高温直流特性，以及......
PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路(2024-12-04 14:45:57)
mΩ，在几A的电流下压降仅仅0.0x ~ 0.xV，比肖特基二极管的0.3V更为高效。（并且二极管的压降并不是固定的，根据二极管的特性曲线得知，电流越大压降也会变得越大，所以现在的高效率电路都在用MOS......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
个痛点是SiC体二极管存在参数一致性差的问题，参数一致性不好导致电流不均，最后会在栅极上造成严重的谐振，带来可靠性问题。
围绕SiC体二极管的痛点，蓉矽半导体提出了一个创新——M-MOSTM技术，这是......
解析LLC谐振半桥变换器的失效模式(2024-04-26)
路状态更糟糕，因为流经开关体二极管的反向恢复
电流更大。
图14. 短路时功率MOSFET的测量波形
图15. 短路时功率MOSFET的仿真波形
图14和图15给出了短路时功率MOSFET的开关波形。短路......
基础知识之二极管(2024-03-20)
电压变为反向后，直到电流变为零的时间。
trr快速，则可以实现低损耗、高速开关。
五、肖特基势垒二极管
一般的二极管是利用PN接合来发挥二极管特性，而肖特基势垒二极管是利用了金属和半导体......
国星光电 NS62m 碳化硅功率模块上线：可用于传统工控、储能逆变、充电桩等(2022-12-13)
会以 2 个或 3 个 NS62m 功率模块并联的形式构成单相全桥拓扑或三相桥拓扑，将直流电变成频率、幅值可调的交流电，实现逆变功能。基于 NS62m 功率模块内 SiC 的体二极管具有出色的开关特性......
碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究(2023-05-04)
双脉冲测试电路｡上管外接空心电感作为感性负载｡上管给关断电压,使用其体二极管,可以测得器件体二极管特性;下管给两个连续脉冲,第1个宽脉冲测试器件的关断特性,第2个窄脉冲测试器件的开通特性｡因为第1个脉冲结束时电感电流通过上管的体二极管......
专业与性能并行：顾邦半导体 GBS60020，为高功率应用量身定制！(2024-11-13)
优化的基础上，实现了超快开关速度和体二极管特性，专为高频大功率应用场景设计，适合硬开关（如PFC）和软开关（如LLC、移相全桥）等高效电源拓扑结构。
顾邦半导体......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
不加控制)
(2)说明：
即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体二极管，多数情况下，因其特性很差，要避......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
流
等许多应用中都是一个重要特性。在一个MOS关断和第二个MOS导通之间的“死区时间”内，体二极管会导通。虽然死区时间通常很短暂，但与这部分开关周期相关的损耗可能非常大。与体二极管......
国星光电NS62m功率模块上线(2022-12-13)
流电变成频率、幅值可调的交流电，实现逆变功能。基于NS62m功率模块内SiC MOSFET的体二极管具有出色的开关特性和反向恢复性能，因此在无需额外搭配二极管器件，更可......
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法(2022-12-05)
负栅极电压的最佳方法是通过开尔文源极概念使用单独的电源和驱动器电路，并集成二极管钳位。位于开关的栅极和源极之间的二极管钳位限制栅极出现负电压。
反向恢复电荷 Qrr
特别针对使用导通体二极管进行连续硬换向的谐振拓扑或设计，还必......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
它更适合电机驱动应用？
首先，从开关特性角度看，功率器件开关损耗分为开通损耗和关断损耗。
关断损耗
IGBT是双极性器件，导通时电子和空穴共同参与导电，但关断时由于空穴，只能通过复合逐渐消失，从而......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
，此时存在电流的通路，同时会给GS之间的结电容充电。当充电到Vgs_th的阈值电压，MOS管打开。此时电流经过MOS管从S流向D，由于Rdson很小，此时SD两端电压很小，低于体二极管的开启电压，体二极管......
超共源共栅简史(2023-03-29)
来阻止电流流向 MOSFET 体二极管，但这会进一步增加成本，提高导电损耗。并联 MOSFET 可解决导电损耗问题，但这会使动态损耗更高，让电流监测变复杂，且额定电压仍会受限。
SiC 半导体固有的高电压特性......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
(ms)
结或肖特基势垒。这提供了低传导压降、高开关速度和低噪声。肖特基二极管用于控制电路内电流的方向，使其仅从阳极流向阴极。当肖特基二极管处于无偏置状态时，自由电子将从
n 型半导体......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
器件dVds/dt能力，寄生BJT导通条件约为dVds/dt > VBE(BJT)/(Rp+ * Cdb)，硬开关场景需要考虑该因素；
2.寄生体二极管 : 限制MOSEFT器件dI/dt反向......
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效(2023-10-24)
不能满足车载充电机日益增长的性能需求，而高耐压、低损耗且具有高速开关特性的SiC器件，正逐步取代Si器件，成为车载充电机的主流应用。
下面我们以6.6kW车载充电机为例，介绍基本半导体的SiC肖特基二极管......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
的压降（体二极管的压降是比MOS的导通压降大很多的），同时也要关注体二极管的过电流能力。
当满足MOS管的导通条件时，MOS管的D极和S极会导通，这个时候体二极管是截止状态，因为MOS管的导通内阻极小，一般......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
安全地引导回电源轨道。
当 mos 管用作开关器件时，工程师可以简单获得 mos 管固有体二极管形式的续流二极管，这解决了一个问题，但创造了一个全新的问题......
六、mos 管体二极管的......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-28)
性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。
此外，新产品还提高了体二极管......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
晶体二极管(crystaldiode)固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制......
是时候从Si切换到SiC了吗？(2023-03-20)
功率流方向如何，功率耗散将始终在同一个芯片中，从而大大减少与功率循环有关的温度波动。
图1：体二极管的同步整流
有时，更高的温度运行被宣称为SiC的一个好处。在需要在高温环境下散热的应用中，这将是一个重要的特性......
氮化镓在采用图腾柱 PFC 的电源设计中达到高效率(2023-10-08)
组件，因此，在考虑整体组件数量、效率和系统成本时，这是有吸引力的拓朴。 在图腾柱 PFC 中展现效益 传统的硅金属氧化物半导体 FET（MOSFET）不适合图腾柱PFC，因为MOSFET的本体二极管......
基础回顾：电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管(2024-06-03)
箍位。这里利用的是这种二极管是采用金属与半导体接触形成具有整流作用，这种二极管的开关速度很快。
三级管的开关应用非常多，常见的有控制继电器、控制LED、控制LCD背光、控制光耦等，一切开关电路几乎都可以使用三极管或者需要三极管......
GaN如何在基于图腾柱PFC的电源设计中实现高效率(2023-08-01)
FET (MOSFET) 不适合图腾柱 PFC，原因在于 MOSFET 的体二极管具有非常高的反向恢复电荷，会导致高功率损耗和击穿损坏的风险。SiC 功率 MOSFET 与硅相比有了微小改进，固有体二极管的......
GaN 如何在基于图腾柱 PFC 的电源设计中实现高效率(2023-08-28)
断状态时使用两个低频 FET 和一个 SiC 二极管导电。
相比之下， PFC 在导通和关断状态下都只用一个高频 FET 和一个低频硅 FET 导电，在三种拓扑中的功率损耗最低。此外，图腾柱 PFC 所需的功率半导体......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二极管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。
晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示......
DC-DC BUCK电路详解(2024-10-25 08:05:21)
整流死区时间
同步整流是采用极低导通电阻的的MOSFET来取代二极管以降低损耗的技术，大大提高了DCDC的效率。
物理特性的极限使二极管的......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-29)
反向恢复性能，所采用新的优化工艺提高了 MOSFET 的整体鲁棒性。体二极管的低反向恢复电荷 (Qrr) 和快速恢复时间 (trr) 使MDmesh DM9 AG系列非常适对能效要求很高的相移零压开关......
【干货】BCUK电路讲解，工作原理+图文结合(2024-06-25)
区时间内，需要完成对已导通晶体管的关断和另一晶体管的导通。
控制电路在开关动作引入死区特性。
死区时间：
• 设置必要的死区时间以防止短路；
• 死区时间越小，体二极管传导越少；
• 死区时间越小，损耗......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-29 14:35)
一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。此外，新产品还提高了体二极管反向恢复性能，所采......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-30)
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效;
【导读】这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的，需要具体看数据手册。
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下......
入门级Buck电路原理—简洁而不简单(2024-12-08 17:54:05)
整流死区时间
同步整流是采用极低导通电阻的的MOSFET来取代二极管以降低损耗的技术，大大提高了DCDC的效率。
物理特性的极限使二极管的......
低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求(2022-12-23)
选用经优化的功率模块设计和更低RG值，IGBT和二极管的开关损耗大幅降低。对于子系统（即IGBT和二极管的组合）来说，损耗可降低多达28%。
图10.在TJ=25°C和150°C条件下，经优化功率模块设计（Lσ,total......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13)
式MOSFET的侧电流特性的评估证实，使用方格设计将嵌入式SBD固定在体二极管附近能够有效限制寄生二极管的双极传导，而反向传导的单极电流限制是由相同SBD面积消耗的电流条状SBD图案......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13 11:33)
Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)（统称“东芝”）已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管将嵌入式肖特基势垒二极管......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
必需有基极电压Vb，再产生基极电流Ib，才能驱动集电极电流的产生。晶体三极管的驱动是需要功率的（Vb×Ib）。
2.开关速度快
MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系，由于输入容性特性......
资深工程师分享7种常见二极管应用电路解析(2024-11-30 17:23:02)
说明
开关二极管同普通的二极管一样，也是一个PN结的结构，不同之处是要求这种二极管的开关特性要好。
当给开关二极管......
LED基础知识及万用表测试LED方法(2023-04-03)
LED基础知识及万用表测试LED方法; LED（发光二极管）是一种半导体二极管（一种p-n结），可在正电流从LED阳极流向阴极时发光。阳极表示为“+”，即二极管的正极。阴极表示为“-”，即二极管的......
满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块(2022-12-09)
能系统的重要性也愈加凸显。
尽管IGBT和二极管等硅基器件得到广泛应用，但它们并未针对光伏应用进行优化。特别是在快速开关能力和抗宇宙射线性能方面，SiC T-MOSFET等宽带隙功率半导体技术优于现有的1200-V Si......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
;12V时通态损耗加大，>20V时难以实现过流及短路保护。关断偏压-5到-15V目的是出现噪声仍可有效关断，并可减小关断损耗最佳值约为-8～10V。
栅极参数对电路的影响
IGBT内部的续流二极管的开关特性......
了解RET的开关特性(2023-02-03)
了解RET的开关特性;可通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)。但是，由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度，因而在许多应用中，需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平，从而......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
场效应管：基于U-MOS X-H沟槽工艺，这种新型功率场效应管可用于高性能开关电源，例如通信基站及其他工业应用的开关电源。在使用同步整流的高性能电源解决方案中，反向恢复性能非常重要。全新TPH9R00CQ5包括一个高速体二极管......
用万用表测试LED有哪些注意事项(2023-04-03)
用万用表测试LED有哪些注意事项;用万用表测试LED，有哪些注意事项？
【导读】LED（发光二极管）是一种半导体二极管（一种p-n结），可在正电流从LED阳极流向阴极时发光。阳极表示为“+”，即二极管的......
功耗低。
B1D10065F封装TO-263-2
基本半导体碳化硅肖特基二极管的低开关损耗和高开关频率可达MHz特性，可无限的将PFC效率提升至99%以上。B1D10065F可替代罗姆的SCS210AJ......
泰克携手芯聚能共推SiC功率模块， 协同打造新能源车产业新生态(2024-07-02)
出了符合 JEDEC、IEC60747-8 和 IEC60747-9 标准的专业宽禁带双脉冲测试方案（WBG-DPT软件选件）。该应用软件能够对功率器件的开关特性和二极管反向恢复特性进行自动化测量，大大......
PNP与NPN两种三极管使用方法(2024-10-06 11:59:22)
教科书，来看下三极管的应用电路
。
放大状态主要应用于模拟电路中，且用法和计算方法也比较复杂，我们暂时用不到。
而数字电路主要使用的是三极管的开关特性......
相关企业
;无锡旭茂电子有限公司;;公司成立于2005年7月,专注于半导体二极管:肖特基/快恢复二极管生产销售,以及场效应管销售
;台湾强茂电子有限公司;;台湾强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
;强茂电子;;台湾强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
;龙鑫电子有限公司;;我公司主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
解调器及其它电子设备作过电压保护用，开关放电器可供点火用，半导体二极管(肖特基、TVS、FR、整流管、HER、SF、UF、STPA)用在军工、航空、船舶、铁路、计算机、家用电器、仪器仪表等领域。放电管产品严格执行ITU-TK12
解调器及其它电子设备作过电压保护用，开关放电器可供点火用，半导体二极管(肖特基、TVS、FR、整流管、HER、SF、UF、STPA)用在军工、航空、船舶、铁路、计算机、家用电器、仪器仪表等领域。放电管产品严格执行ITU
新的结构设计、制程技术及材料，完全抛弃以往二极管的制造方法，自成立以来，已成功获取25件世界专利权，包括台湾、美国、大陆、英国及日本。 独立研发能力，掌握重要生产阶段，并建立自有品牌形象 本公司之「全切面玻璃护封半导体二极管
;深圳威铨电子（台湾强茂）电子有限公司;;台湾强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
;佛山市南海康恒盛进出口有限公司;;我公司经营进口外国牌子的半导体集成电路、晶体三极管、晶体二极管等半导体电子元器件贸易,主要品牌有Sanyo,TOSHIBA,Philips,NEC,VISHAY
;深圳市美科达实业发展有限公司;;美隆电子有限公司在香港成立于一九九零十月,是一家港台合资企业,生产电阻系列产品及半导体二极管元器件,主要针对,