资讯
基础知识之IGBT(2024-03-22)
率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。 尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。
MOSFET 是指半导体元件的结构为Metal（金属）- Oxide......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
一般用不到，暂时不用考虑，重点考虑动态特性（开关特性）。动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取：
的开通过程
IGBT 在开通过程中，分为几段时间1.与MOSFET类似的开通过程，也是......
门极驱动正压对功率半导体性能的影响(2024-01-30)
门极驱动正压对功率半导体性能的影响;引言本文引用地址：
对于半导体功率器件来说，门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响，而今......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
参数就显得尤为重要啦。
重要的动态参数包括：栅极电阻（内部+外部）、栅极电容、寄生电容、充电电荷、开关时间等，其中，开关时间是开关特性......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
它更适合电机驱动应用？
首先，从开关特性角度看，功率器件开关损耗分为开通损耗和关断损耗。
关断损耗
IGBT是双极性器件，导通时电子和空穴共同参与导电，但关断时由于空穴，只能通过复合逐渐消失，从而......
强势扩张第4代SiC，罗姆2023年量产8英寸碳化硅衬底(2023-02-27)
的导通阻抗情况下，芯片的尺寸会降低，带来的好处是寄生的电容都会被降低，开关特性会比较容易能够实现高速的开关特性。
等同ON阻抗情况下效率的对比，罗姆第4代会比第3代高出不到一个百分点，是很明显的提高。从损......
英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT(2023-05-18)
提高了逆变器系统的性能和可靠性。
续流二极管是快恢复的发射极可控制的二极管，具有高效和软开关特性。
产品......
东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计(2022-08-31)
阈值输入电流（L／H）IFLH最大值（mA）
6.0
DESAT阈值电压VDESAT典型值（V）
6.6
开关特性
传输......
东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计(2022-08-31)
阈值输入电流（L／H）IFLH最大值（mA）
6.0
DESAT阈值电压VDESAT典型值（V）
6.6
开关特性
传输......
低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求(2022-12-23)
表明该性能优势与采用MPT理念和技术直接相关。
接下来，我们重点比较L7、S7和T7。图2显示了L7、S7和T7的关断和开通波形。关断时，S7的开关特性最硬，即开关斜率（dv/dt）最大且峰值电压VCE,peak最高......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
的限制
(1)电子开关的电压和电流方向有限制：
(2)电子开关的稳态开关特性有限制：
-- 导通时有电压降;(正向压降，通态......
碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究(2023-05-04)
电压均达到1200V,满足800V高压平台使用要求｡器件基本参数如表1所示｡
由于功率器件的工作特性和外部电路是强相关的,所以在使用器件时器件手册只具备参考价值,需要进行双脉冲测试获得器件准确的开关特性......
电动压缩机设计-SiC模块篇(2024-09-25)
： SiC 和IGBT 开通特性对比
开关损耗方面，SiC MOSEFT优势明显，虽然规格书的测试条件有一些差异，但可以看出SiC MOSEFT的开关损耗远小于IGBT......
电动压缩机设计-SiC模块,压缩机(2024-09-25)
的热阻和更快的电子传输速度
2倍多的电子饱和速度：更快的开关速度
更好的热特性：更高的温度范围
2.更小损耗及更高效率
以安森美适用于800V平台电动压缩机应用的最新一代IGBT......
如何使用万用表测试 IGBT(2024-03-21)
万用表上的电阻读数。
低电阻值（通常为几欧姆）表明 IGBT 正常工作，而非常高的电阻或开路则表明 IGBT 有故障。
通过目视检查、测量电气参数、评估栅极驱动和开关特性以及在应力条件下进行测试，可以识别潜在故障。然而......
能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块(2023-10-20)
损耗和值 Etot 分别降低了9%，4%，3%，23%，极大地降低 IGBT 在高开关频率下的功率损耗。
图 5 IGBT模块在 150°C 的 开关特性（Eon+Eoff）
IGBT的折......
ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT(2024-11-07)
改进包括外围结构在内的器件结构，不仅实现了高达1200V的耐压能力和符合车载电子产品标准的可靠性，还实现了10µsec.（Tj＝25℃时）的业界超高短路耐受能力以及业界超低的开关损耗和导通损耗特性......
基于PMSM模型的电动汽车动力系统仿真方案简介(2024-01-02)
国产的电动车都是基本上使用永磁同步电机提供动力，使用SaberRD软件可以完美实现电动汽车动力系统的仿真。本文从4个层次抽象了电动汽车动力系统。
仿真目标包括全局效率、长时间驱动的热分析、纳秒级的逆变器开关特性......
用于 EV 充电系统栅极驱动的隔离式 DC／DC 转换器(2022-12-05)
电压的直流快速充电 (DCFC) 系统迁移。像碳化硅这样的宽带隙功率器件非常适合这些应用，与硅 IGBT 相比具有更低的传导和开关损耗。然而，SiC 更快的开关......
Ameya360：平面MOSFET与超级结MOSFET区别(2023-03-13)
层会增厚，存在导通电阻增加的课题。而超级结结构是排列多个垂直PN结的结构，可保持耐压的同时降低导通电阻RDS(ON)与栅极电荷量Qg。
另外，内部二极管的反向电流irr和反向恢复时间trr是作为晶体管的关断开关特性......
低损耗、使用简便、高可靠性——罗姆半导体第四代碳化硅产品技术分享(2023-02-22)
把导通阻抗降低之后，同样的电流情况下，同样的导通阻抗情况下，芯片的尺寸会降低，带来的好处是寄生的电容都会被降低，开关特性会比较容易能够实现高速的开关特性。从损耗的角度来讲，当中的导通损耗的降低大约有53%，衍生......
测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项(2023-03-30)
测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项;SiCMOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
最高工作节温、扩展 SOA（安全工作区）特别是 RBSOA（反偏安全工作区）和 SCSOA（短路安全工作区）。
IGBT 制造商利用不同的技术都是为了达到相同的目标，即不断提高 IGBT 的性价比，实现理想的开关特性......
满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块(2022-12-09)
震荡的根本原因是由于存在寄生电感（比如，功率模块本身结构中的电感）以及源自器件和模块设计的电容（比如，SiC MOSFET的输出电容和衬底耦合电容）。关断过程中第一次电流跌落清楚地表明了器件电容对开关特性的显著影响。因此......
碳化硅模块助力更可靠更高效的换电站快充电路设计(2024-07-08)
带来的效率提升明显
安森美的SIC MOSFET模块，尤其是基于新一代M3S技术开发的NXH003P120和NXH004P120提供出色的内阻和开关特性，以及出色的体二极管开关特性，非常......
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您(2023-07-20)
低导通状态下的导通电阻（RDS）。SiC MOSFET工作在低VGS下可能会导致热应力或由于高RDS而可能导致故障。与低增益相关的其他影响会直接影响几个重要的动态开关特性，在设......
罗姆持续发力碳化硅 第4代产品优势突出(2023-02-22 10:15)
的尺寸会降低，带来的好处是寄生的电容会被降低，可实现高速的开关特性。从而抑制MOSFET器件的自开通、误开通。明显减少了寄生电容Cgd，同样能够保证芯片更高速的开启和关断，降低开关损耗，实现高驱动频率，为外......
东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦(2021-11-30)
电流ICCH，ICCL最大值（mA）
3.0
输入电流阈值（L/H）
IFLH最大值（mA）
5
开关特性
传播延迟时间
tpHL，tpLH最大值（ns......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
能在系统轻负载时提供更高的效率，并便于变压器和电感部分的设计。
图 4. EOSS，COSS 中的储存能量
外部碳化硅SBD的电感硬开关特性
导通和开关损耗（EON、EOFF）是系......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
再次开通，此时可以观测到QL的开通过程和QH的开通串扰和反向恢复。
开关波形包括栅源极电压VGS、漏源极电压VDS、漏源极电流IDS。基于得到的开通和关断波形，可以获得很多开关特性的参数，包括：开关延时、开关......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
通串扰和反向恢复。
开关波形包括栅源极电压VGS、漏源极电压VDS、漏源极电流IDS。基于得到的开通和关断波形，可以获得很多开关特性的参数，包括：开关延时、开关时间、开关能量、开关速度、开通......
SiC MOSFET栅-源电压测量方法(2023-03-20)
到的波形会与真正的原始波形完全不同。
・在观测波形时，需要时刻注意观察到的波形是否是真正的原始波形。
SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech......
测量栅极和源极之间电压时需要注意的事项(2023-03-30)
到的波形会与真正的原始波形完全不同。
・在观测波形时，需要时刻注意观察到的波形是否是真正的原始波形。
SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech......
OBC PFC车规功率器件结温波动与功率循环寿命分析(2023-11-01)
种常见拓扑组合，如图6所示。
在单相图腾柱PFC的快管位置：既有两路IGBT单管交错，也有单路SiC MOSFET单管，或是单路混合型SiC单管(Si/IGBT+SiC/SBD)等，基于不同的功率器件特性，常见的开关......
新增SiC和IGBT模型,罗姆官网可提供超过3,500种LTspice模型(2023-10-12)
物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）
同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性......
新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice®模型(2023-10-12)
常用的结构。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）
同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性......
SaberRD基于JMAG电机模型的电动汽车动力系统仿真（二）(2024-01-09)
SaberRD基于JMAG电机模型的电动汽车动力系统仿真（二）;本文介绍了在不同抽象层次上有效模拟电动汽车动力系统的技术，仿真目标从驾驶周期数小时内的全局效率和热分析，到逆变器开关特性......
PNP与NPN两种三极管使用方法(2024-10-06 11:59:22)
教科书，来看下三极管的应用电路
。
放大状态主要应用于模拟电路中，且用法和计算方法也比较复杂，我们暂时用不到。
而数字电路主要使用的是三极管的开关特性......
新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice®模型(2023-10-12)
体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）
同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性......
罗姆：先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能(2024-05-16)
相应的产品呈现小型化趋势。针对此类需求，建议采用GaN器件，这种器件在现有的集中式光伏逆变器中作为替代品已经开始普及，是非常适用于微型逆变器的器件。
GaN器件具有出色的开关特性和高频特性，因而......
为什么矿机电源对效率和可靠性要求越来越高(2022-12-08)
、开关特性、雪崩和短路特性、并联工作特性等方面均具有明显的优势。上面我们已经提到了开关、导通、短路相关方面的一些表现，接下来我们展开解读一下雪崩和并联工作特性。
在雪崩特性方面，UnitedSiC......
电动压缩机设计-ASPM模块篇(2024-04-18)
美的ASPM模块的开关频率设计高达20kHz以上（ASPM27-V3可达40kHz,FS4的IGBT开关速度更快,开关损耗更低），可以轻松应对现有电动压缩机15000转/分钟以下的转速采样要求。
图6......
汽车电动压缩机如何应对高压化挑战？(2024-09-27)
的功率密度
可靠性
ASPM模块集成了优化的保护电路和与IGBT开关特征相匹配的驱动，可以为开发者极大的缩短电路匹配和开发时间。通过集成欠压保护功能和短路保护功能，系统可靠性得到了很大程度的提高。内置高速HVIC......
了解RET的开关特性(2023-02-03)
了解RET的开关特性;可通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)。但是，由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度，因而在许多应用中，需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平，从而......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
和关断时间tOFF给出的，根据这些参数可估算出IGBT的开关频率，一般可达30～40kHz。在变频器中，实际使用的载波频率大多在15kHz以下。
05 IGBT的静态特性曲线
IGBT静态特性曲线包括转移特性曲线和输出特性......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
镓二极管
随着变换器开关频率的不断提高，对快恢复二极管的要求也随之提高。众所周知，具有比硅二极管优越的高频开关特性，但是由于工艺技术等方面的原因，砷化镓二极管的耐压较低，实际应用受到局限。为适应高压、高速......
国星光电 NS62m 碳化硅功率模块上线：可用于传统工控、储能逆变、充电桩等(2022-12-13)
会以 2 个或 3 个 NS62m 功率模块并联的形式构成单相全桥拓扑或三相桥拓扑，将直流电变成频率、幅值可调的交流电，实现逆变功能。基于 NS62m 功率模块内 SiC 的体二极管具有出色的开关特性......
设计高效、强大、快速的电动汽车充电站(2024-07-24)
频率下运行时，电感器和变压器的尺寸呈线性减小。在功率级中使用SiC MOSFET使得能够在高开关频率下运行，从而提高功率密度。SiC器件具有出色的导通电阻和开关特性，还可最大限度地降低总损耗，从而......
SiC功率器件崛起，新能源汽车迎来性能革命！(2024-03-19)
能源汽车中，IGBT主要应用于电机控制器、车载充电器（OBC）、DC/DC转换器等部件。
电机控制器：IGBT作为电机控制器的核心开关器件，能够实现对电动机的精确控制。通过调节IGBT的开关频率和占空比，可以......
车规模块系列 ：特斯拉TPAK系列(2023-09-18)
面积相对硅基较小，所能容纳的铝绑定线数量变得有限，同时SiC的高速开关特性，对于模块的寄生参数更为敏感，这一点我们在之前的crosstalk现象中有所涉及：
SiC Crosstalk小叙
同时......
相关企业
、SANYO等知名企业微动开关的一级供应商，目前保持此系列微动开关全球销量第一，公司拥有全套的自动化生产设备，开关特性检查设备&寿命试验设备&亲环境测试设备齐全。我们热忱欢迎各界人士来访与洽谈，联系人：李维
;泰隆电子有限公司;;泰隆电子有限公司专业制造电子开关、插座十余年。现有产品规格超过一千款。为应市场激烈的竞争须求，泰隆部份产品，已在开关行业中，首先采用全封闭式自动化生产；并以新颖的开关原理，和独特的开关特性
等产品的厂家，拥有配备先进软硬件的产品研发中心、加工中心、检验中心、模具中心、销售中心等部门和冲压、仪表、装配、调试、包装、压塑、注塑等车间；并配备有智能型万能式断路器自动检测台、隔离开关特性
;东莞市友晖电子有限公司;;本公司专业生产各种规格连动开关 滑动开关 摇头开关特殊规格开关 适用于音响 喇叭 HDMA转换盒 扫把头开关 汽车功放 分音器 等等
继电保护测试仪 高压试验变压器 绝缘电阻测试仪 变压器容量测试仪 氧化锌避雷器测试仪 真空度测试仪 直流电阻测试仪 高压验电器 介质损耗测试仪 开关特性测试仪 高压分压器 绝缘油介电强度测试仪 电缆识别仪 钳形表 绝缘
测试仪、开关特性测试仪、高压开关机械特性测试仪、回路电阻测试仪、接触电阻测试仪、回路阻抗测试仪、真空度测试仪、真空度检测仪、真空开关测试仪、大电流发生器、升流器、继电保护校验仪、继电保护测试仪、继电
备有智能型万能式断路器自动检测台、隔离开关特性校验设备及生产检测设备；产品制造施行全过程质量控制，从原材料进厂，零部件加工，直至产品出厂，做到设计标准化、生产规范化，保证产品符合国内国际相关标准。 具有行业领先设计研发能力，早于
备有智能型万能式断路器自动检测台、隔离开关特性校验设备及生产检测设备；产品制造施行全过程质量控制，从原材料进厂，零部件加工，直至产品出厂，做到设计标准化、生产规范化，保证产品符合国内国际相关标准。 具有行业领先设计研发能力，早于
备有智能型万能式断路器自动检测台、隔离开关特性校验设备及生产检测设备；产品制造施行全过程质量控制，从原材料进厂，零部件加工，直至产品出厂，做到设计标准化、生产规范化，保证产品符合国内国际相关标准。 具有行业领先设计研发能力，早于
电阻测试仪、回路电阻测试仪、高压开关特性测试仪、超低频高压发生器、兆欧表、开关柜通电试验台、介质损耗测试仪、电容电感测试仪、电缆故障测试仪、核相器、伏安特性测试仪、二次