堆叠式电容DRAM

消息称苹果iPhone15系列、三星S24+/Ultra将采用堆叠式电池技术 拥有更高能量密度;据最新传闻，苹果公司的 iPhone 15 系列手机可能会采用堆叠式电池技术，以提...

采用堆叠式电感器的双通道 15A 或单通道 30A μModule 稳压器具有 96% 峰值效率和卓越的热性能;Analog Devices, Inc. (ADI)宣布推出 Power...

电池技术，这项技术可以提高电池密度和延长电池寿命。预计在2024年，三星的Galaxy S24＋和Galaxy S24 Ultra手机将跟进并搭载堆叠式电池技术。 堆叠式电池采用层压制造技术，电池...

汽车充电基础设施必须更加高效和便捷。 与直流充电器不同，交流充电器不使用堆叠式电源模块，因此结构更紧凑，成本更低。其单一的电源模块架构限制了它们在公共充电站的使用，因为它们无法在合理的时间范围内提供所需的电量。相反，其 22kW 的充...

深宽比会随制程微缩而增加 平面DRAM的储存电容恐怕无法变化或是修改，但是如果使用存储单元3D堆叠技术，除了片晶圆的裸晶产出量可望增加四倍，也能因为可重复使用储存电容，而节省高达数十亿美元的新型储存电容...

感器适用于油门踏板位置或节流阀位置测量，或非接触式电位器等应用场景。**计划于 2024 年 4 月投产；样品现在可应要求提供。 HAR 3920 凭借其双冗余设计脱颖而出，即两个独立的芯片堆叠...

感器适用于油门踏板位置或节流阀位置测量，或非接触式电位器等应用场景。**计划于 2024 年 4 月投产；样品现在可应要求提供。 HAR 3920 凭借其双冗余设计脱颖而出，即两个独立的芯片堆叠...

Mitsumasa Koyanagi，他发明了用于手机的堆叠式电容器 DRAM。2002 年，Lee 加入三星内存部门担任首席工程师，领导基于硅通孔 (TSV) 的 3D 封装技术的开发。 这项...

现在可应要求提供。 HAR 3920 凭借其双冗余设计脱颖而出，即两个独立的芯片堆叠在单一封装内，并电气连接到一侧引脚。这种堆叠式...

贸泽电子即日起开售可实现灵活与安全连接的TE Connectivity BESS堆叠式混合连接器; 2024年10月21日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理...

Melexis震撼推出双芯片堆叠式磁传感器，树立抗杂散磁场干扰安全磁感应新标杆;2024年09月27日，比利时泰森德洛——全球微电子工程公司Melexis宣布，最新推出MLX90425和...

“NOT AND”，意为进行与非逻辑运算的电路单元。） l  这一趋势有利于整个行业的发展，因为它能推动存储器技术的突破，而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。 l  DRAM技术的不断微缩正推动向使用水平电容器堆叠...

东芝发布新一代BiCS FLASH全球首款256Gb、48层堆叠闪存;东芝推出全球首款注148层3D堆叠式结构闪存注2，该闪存容量达到256Gb（32GB），同时采用了行业领先的三阶存储单元（TLC...

是同业三星电子的近三倍，也远高于美光的约30%涨幅。 十年前，SK海力士比同业更积极押注HBM，在其中，动态随机存取存储（DRAM）采取如摩天大厦楼层般的垂直方式堆叠。SKh...

Melexis震撼推出双芯片堆叠式磁传感器MLX90425和MLX90426; 【导读】全球微电子工程公司Melexis宣布，最新推出MLX90425和MLX90426的双芯片堆叠式...

点像把宽阔的道路粘在一起，让大量数据来回传输。” CXL模块由堆叠DRAM制成，DRAM是一...

作原理是将永磁式和可变磁阻式两种原理结合在一起。 　　混合式步进电机的转子由多个磁极组成，通常有两种类型：单堆叠式和双堆叠式。单堆叠式混合式步进电机的转子上只有一个永磁极和多个可变磁阻极，而双堆叠式...

索尼发布堆叠式工业图像传感器，分辨率实现业界突破; 【导读】索尼半导体解决方案公司(下称：SSS)今天宣布将发布IMX900堆叠式CMOS图像传感器，它可以兼容1/3英寸镜头的320万有...

其中一个主流的技术方向。 据了解，3D DRAM是将存储单元（Cell）堆叠至逻辑单元上方以实现在单位晶圆面积上产出上更多的产量，从这方面来说，3D DRAM 可以有效解决平面DRAM最重要也最艰难的挑战，那就是储存电容...

Melexis震撼推出双芯片堆叠式磁传感器，树立抗杂散磁场干扰安全磁感应新标杆; 全球微电子工程公司Melexis宣布，最新推出MLX90425和MLX90426的双芯片堆叠式版本，拓展...

Melexis震撼推出双芯片堆叠式磁传感器，树立抗杂散磁场干扰安全磁感应新标杆; 全球微电子工程公司Melexis宣布，最新推出MLX90425和MLX90426的双芯片堆叠式版本，拓展...

DRAM 可以效仿3D NAND Flash，将cell翻转。因为DRAM 单元具有较小的 2D 区域，但具有较大的垂直方向电容器，使其很高且难以分层堆叠。而且，随着 2D 尺寸越来越小，电容...

现开启了DRAM 3D化发展道路，无电容IGZO-DRAM也成为了实现高密度3D DRAM的合适候选者。但很多技术现还在探索中，最终能否使DRAM实现3D堆叠，开始新的技术方向，还暂...

展道路，无电容IGZO-DRAM也成为了实现高密度3D DRAM的合适候选者。但很多技术现还在探索中，最终能否使DRAM实现3D堆叠，开始新的技术方向，还暂未可知。 不过，从工艺上看，三星...

导体市场中占据着举足轻重的地位。 经过数十年的成长，DRAM早已成为半导体主流存储器之一，并成为了目前最常见的内存产品，还形成了由三星、SK海力士、美光等三大巨头为主导的市场格局。 从本质上讲，DRAM是一种易失性的、基于电容...

贸泽电子即日起开售TE Connectivity BESS堆叠式混合连接器; 【导读】贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起供应TE Connectivity的BESS...

豪威发布超小尺寸全局快门图像传感器：适用于 AR / VR / MR 和元宇宙消费设备;当地时间 8 月 24 日，豪威集团宣布发布了业界首款也是唯一一款三层堆叠式 BSI 全局快门（GS）图像...

商考虑作为长期扩展的潜在解决方案。 3D DRAM是将存储单元（Cell）堆叠至逻辑单元上方以实现在单位晶圆面积上产出上更多的产量，从这方面来说，3D DRAM可以有效解决平面DRAM最重要也最艰难的挑战，那就是储存电容...

芯视界推出全局快门3D堆叠背照式SPAD阵列芯片; 【导读】业界领先的dToF芯片设计公司芯视界微电子近期宣布推出Global shutter BSI SPAD芯片——全新堆叠式dToF...

芯视界推出Global shutter BSI SPAD芯片; 【导读】业界领先的dToF芯片设计公司芯视界微电子近期宣布推出Global shutter BSI SPAD芯片——全新堆叠式...

GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术;外媒eNewsEurope报道，英特尔和台积电将在国际电子元件会议（IEDM）公布垂直堆叠式（）场效晶体管进展，这有...

贸泽电子即日起开售可实现灵活与安全连接的TE Connectivity BESS堆叠式混合连接器; 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser...

贸泽电子即日起开售可实现灵活与安全连接的TE Connectivity BESS堆叠式混合连接器;2024年10月21日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理...

GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术;外媒eNewsEurope报道，英特尔和台积电将在国际电子元件会议（IEDM）公布垂直堆叠式（CFET）场效晶体管进展，这有望使CFET成为...

-Around）构型晶体管3D DRAM技术，具有出色的温度稳定性和可靠性。 一、华为将展示新型3D DRAM成果 DRAM是一种易失性的、基于电容的、破坏性读取形式的存储器。长期以来，DRAM的挑...

3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？ 如何理解3D DRAM？ DRAM（内存）单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成，其中，晶体管负责传输电流，使信...

强大的杂散场抗干扰能力（SFI），适用于360°旋转汽车应用。该器件是率先面世的堆叠式双芯片无PCB产品，采用业界先进的传感技术，支持符合ASIL D级要求的系统集成，非常适合转向和阀门应用。它兼...

°旋转汽车应用。该器件是率先面世的堆叠式双芯片无PCB产品，采用业界先进的传感技术，支持符合ASIL D级要求的系统集成，非常适合转向和阀门应用。它兼具稳定性和优异的性能，是车辆电气化应用的理想选择。本文...

于360°旋转汽车应用。该器件是率先面世的堆叠式双芯片无PCB产品，采用业界先进的传感技术，支持符合ASIL D级要求的系统集成，非常适合转向和阀门应用。它兼具稳定性和优异的性能，是车...

为闪存模组的存储介质，采用非易失性存储技术，可以长期保存 数据。按存储单元密度来分，NAND Flash可分为SLC、MLC、TLC、QLC四种，以实 现高密度的数据存储；按堆叠方式又分为平面式和垂直堆叠式...

iPhone 15 Plus机型将配备48MP像素后置摄像头。但最新的供应链调查显示，48MP像素后置摄像头使用的堆叠式传感器可能面临良率问题，或将...

现在单位晶圆面积上产出更多产量的新型存储方式。除了晶圆的裸晶产出量增加外，使用3D堆叠技术也能因为可重复使用储存电容而有效降低 DRAM的单位成本。 3D堆叠技术可在NAND发展上有所借鉴，3D NAND...

芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术;外媒 eNewsEurope 报道，英特尔 (Intel) 和台积电将在国际电子元件会议 (IEDM) 公布垂直堆叠式 () 场效晶体管进展，使 成为...

也有意将后段制程扩大给更多外围供应商。 目前索尼最新的手机CMOS传感器，多使用堆叠式技术，将光电二极管与放大电路堆叠，有助于提高对光线的灵敏度以及信噪比，从而...

更高极限的新路径。 DRAM工艺突破放缓的原因主要在于存储单元的简洁结构——由一个用于存储电荷的电容器和一个用于访问电容器的晶体管组成。业界的思路也就是颠覆这种结构，并辅以特殊的材料，从而...

键合是下一代封装技术，指的是芯片垂直堆叠，能提高单元密度，进而提高性能，该技术也将对HBM4以及3D DRAM带来影响。 02 HBM4呼之欲出 AI时代下，HBM尤其是HBM3E在存...

和地之间有一个 47kΩ 电阻器，则该器件将作为辅助器件运行。 如果 SYNCOUT 引脚为高阻抗，则该设备作为主设备运行。 图 2 显示了在印刷电路板上实现的堆栈配置。 图 2. 三个堆叠式 TPS62876-Q1...

设备作为主设备运行。 图 2 显示了在印刷电路板上实现的堆栈配置。 图 2. 三个堆叠式 TPS62876-Q1 降压转换器的示例评估模块 该降压转换器系列的其他功能包括： 下垂补偿，缩放...

汽车应用。该器件是率先面世的堆叠式双芯片无PCB产品，采用业界先进的传感技术，支持符合ASIL D级要求的系统集成，非常适合转向和阀门应用。它兼具稳定性和优异的性能，是车...

半桥，它使用 35mohm，1200V 堆叠式共源共栅开关。开关波形表明，此类器件支持非常快、非常清晰的开关，可以用作本文中所述的所有电路选项的构建块。 图 8：集成驱动器和 FET 级，例如...