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DB HiTek拓展高附加值专业传感器业务(2023-01-31)
："我们专注于基于全局快门和SPAD工艺与全球领先的业内公司进行产品开发，目标是在年内实现量产。我们计划通过提供最佳的复杂工艺和工艺设计套件(PDK)来加强对客户在正确的时间进入市场的支持。"
关于DB......
DB HiTek拓展高附加值专业传感器业务(2023-01-31 15:25)
HiTek总部位于韩国，是世界领先的专业代工公司，拥有广泛的支持服务，以及强大的竞争工艺技术组合，包括模拟/电源(BCDMOS)、CMOS图像传感器(CIS)、混合信号、高压CMOS、射频HRS/SOI......
22nm大战一触即发，新的甜蜜节点？(2017-04-28)
-SOI和22nm bulk CMOS都是平面工艺。在基本平面CMOS工艺中，晶体管具有源极和漏极。电流从源极流向漏极。
图2：FD-SOI结构。（来源：GlobalFoundries......
X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案(2023-06-02)
尺寸范围从1.0µm至110nm的模块化CMOS和SOI工艺，及其特色SiC与微机电系统（MEMS）长寿命工艺，为全球客户打造最高的质量标准、卓越的制造工艺和创新的解决方案。X-FAB的模......
X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案(2023-06-02)
X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案;新一代针对数字设计占比高的车规级工艺
中国北京，2023年6月2日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB......
X－FAB率先向市场推出110纳米BCD－on－SOI代工解决方案(2023-06-02 16:25)
X－FAB率先向市场推出110纳米BCD－on－SOI代工解决方案;新一代针对数字设计占比高的车规级工艺全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X......
入侵NXP i.MX应用处理器系列，FD-SOI春天来了？(2017-03-30)
有计划的将原先基于CMOS节点的通用处理器和微控制器产品，逐步的转移到FD-SOI工艺上去。
在最近的一次电话采访中，负责微控制器的高级副总裁Geoff Lees先生表示，NXP基于FD-SOI工艺......
聚焦集成电路等领域 两家浙江省技术创新中心落地杭州，揭牌成立(2022-06-15)
聚焦集成电路等领域 两家浙江省技术创新中心落地杭州，揭牌成立;据杭州日报报道，6月13日，浙江省技术创新中心揭牌成立仪式举行，浙江省CMOS集成电路成套工艺与......
SOI与finFET工艺对比，谁更优？(2017-02-06)
SOI与finFET工艺对比，谁更优？;
1999年，胡正明教授在美国加州大学领导着一个由美国国防部高级研究计划局（DARPA）出资赞助的研究小组，当时他们的研究目标是CMOS技术......
格芯12寸晶圆厂落户成都对中国半导体产业的意义(2017-02-11)
晶圆生产线，也将成为GlobalFoundries在中国最大最先进的晶圆制造基地。
格芯成都12寸晶圆厂制造基地奠基仪式
该条12寸晶圆生产线分两期建设，第一期建设主流CMOS工艺12......
意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力(2024-03-26)
意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力;本文引用地址：● 首款采用新技术的STM32微控制器将于2024下半年开始向部分客户出样片
● 18nm FD-SOI制造工艺与......
意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力(2024-03-26)
意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力;
首款采用新技术的 STM32 微控制器将于 2024 下半年开始向部分客户出样片
18nm FD-SOI制造工艺与......
意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力(2024-04-02)
意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力;
· 首款采用新技术的 STM32 将于 2024 下半年开始向部分客户出样片
· 18nm FD-SOI制造工艺与......
增资近200亿！北京芯片大动作(2024-11-18)
目建设内容包括：搭建28nm-55nmHV/MS/RF-CMOS、PD/FD-SOI等特色工艺平台；建设12英寸集成电路芯片生产线，包括生产及辅助生产设施、动力及环保设施、安全设施、消防设施、管理设施、附属......
半导体制造大PK 工艺or大佬 谁定输赢？(2016-10-23)
一个就是SOI。
SOI是CMOS工艺的特殊版本，二者最大的不同在于衬底，CMOS的衬底是导电的，而SOI采用绝缘体硅工艺，其衬底是不导电的，而导热性又比较好，因此，可以利用这一特性，通过特殊方法，弥补......
FD-SOI卷工艺：三星/ST力推18nm，GlobalFoundries直奔12nm！(2024-10-23)
。因此，对于大多数应用，12nm FD-SOI的PPC优于7nm FinFET。
综合以上因素，他进一步认为FD SOI在“≥12纳米和≤28 纳米“时优于CMOS和FinFET，这段工艺节点之间FD......
除了建厂，格芯将与成都合作建立世界级FD-SOI 产业生态圈(2017-05-24)
尽型绝缘层上硅）技术是一种新的工艺技术，有望成为其30纳米以下的技术节点中成本效益最高的制造工艺。如果采用28纳米技术制作一颗晶片，在相同的选件和金属层条件下，FD-SOI需要38个掩模，而某些基板CMOS则需......
意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力(2024-03-26)
意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力;
首款采用新技术的 STM32 微控制器将于 2024 下半年开始向部分客户出样片
18nm FD-SOI制造工艺与......
意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力(2024-03-27 10:12)
意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力;• 首款采用新技术的 STM32 微控制器将于 2024 下半年开始向部分客户出样片• 18nm FD-SOI制造工艺与......
不是纸上谈兵，FD-SOI将凭借这几点进入主流市场(2017-05-31)
体生态系统的主要参与者对该技术越来越感兴趣。
全耗尽型绝缘层上硅（FD-SOI）是将CMOS晶体管的两个实质特性汇集在一起的独特技术：2D平面晶体管结构和全耗尽型工作特点。它依赖于独特的基板，该基板的层厚度受到原子尺度的控制。
FD......
谁说MCU不用拼制程？(2024-03-25)
谁说MCU不用拼制程？;上周，ST宣布全新STM32即将采用18nm FD-SOI工艺的嵌入式相变存储器 （ePCM），并将于2024下半年开始向部分客户出样片。这意味着ST率先将MCU突破20nm......
【BCD系列文章（一）】BCD工艺全景：历史、现在与未来(2024-07-04)
稳定等性能需求。作为模拟芯片，电源管理芯片设计的根基在于工艺：应用广泛、性能卓越的BCD（Bipolar- CMOS-DMOS）工艺。自BCD工艺诞生以来的40年里，该工艺......
ADI石油测井高温技术及方案(2022-12-28)
的航空级别温度要求下正常工作，但每上升10℃ ，标准硅工艺中的电流泄露就会增加一倍，许多精密应用无法承受这一情况。对比采用普通结隔离（JI）双极性工艺与 ADI自主研发的绝缘硅片（SOI）双极性工艺的典型NPN晶体管，图4中的......
ADI石油测井高温技术及方案(2022-12-28)
中的其他变化都会大大降低泄露，使高性能工作温度远高于200℃。
图4 JI工艺与SOI工艺的结点泄露机制对比
创新封装
耐高温封装的一个主要失效机制是焊线与焊垫界面失效，尤其......
CMOS PA，二十载风雨浮沉往事(2023-04-27)
企业也涉入CMOS PA，扎根技术研发，取得了一定的进展，甚至在一些细分领域已有赶超全球先进水平之势。如今看来，伴随物联网蓬勃而来，CMOS PA在未来十年内仍将是芯片工艺......
CMOS PA，二十载风雨浮沉往事(2023-05-04)
也涉入CMOS PA，扎根技术研发，取得了一定的进展，甚至在一些细分领域已有赶超全球先进水平之势。如今看来，伴随物联网蓬勃而来，CMOS PA在未来十年内仍将是芯片工艺......
X－FAB在制造工艺上的突破为电隔离解决方案增加CMOS集成选项(2023-11-03 10:33)
是领先的模拟/混合信号和MEMS晶圆代工集团，生产用于汽车、工业、消费、医疗和其它应用的硅晶圆。X-FAB采用尺寸范围从1.0µm至110nm的模块化CMOS和SOI工艺，及其特色SiC与微......
X-FAB在制造工艺上的突破为电隔离解决方案增加CMOS集成选项(2023-11-03)
X-FAB在制造工艺上的突破为电隔离解决方案增加CMOS集成选项;全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，在电......
传联发科将采用FD-SOI工艺生产手机芯片(2017-06-08)
传联发科将采用FD-SOI工艺生产手机芯片;
来源：内容来自digitimes ，谢谢。
近期联发科传出在上攻10纳米FinFET制程技术失利之后，内部......
Quobly与意法半导体建立战略合作,加快量子处理器制造进程，实现大型量子计算解决方案(2024-12-18)
Quobly与意法半导体建立战略合作,加快量子处理器制造进程，实现大型量子计算解决方案;
•此次合作将借助意法半导体的 28nm FD-SOI商用量产半导体制造工艺，以实......
三星电子在Foundry Forum EU 2023 展示其新的汽车工艺战略(2023-10-20)
BCD（双极 CMOS-DMOS）工艺组合来加强其满足客户需求的承诺。
BCD 工艺在一颗芯片上结合了三种不同工艺技术的优势：双极 (B)、CMOS (C) 和 DMOS (D)，最常......
3毫秒完成IO配置支持PCIe 2.0的这款低功耗FPGA还有什么特点？(2023-01-07)
3毫秒完成IO配置支持PCIe 2.0的这款低功耗FPGA还有什么特点？;
6月25日，莱迪思半导体（Lattice）推出一款基于28纳米FD-SOI（全耗尽绝缘层上硅）工艺......
X-FAB引入图像传感器背照技术增强CMOS传感器性能(2024-04-09)
、消费、医疗和其它应用的硅晶圆。X-FAB采用尺寸范围从1.0µm至110nm的模块化CMOS和SOI工艺，及其特色SiC与微机电系统（MEMS）长寿命工艺，为全球客户打造最高的质量标准、卓越的制造工艺......
X－FAB引入图像传感器背照技术增强CMOS传感器性能(2024-04-10 08:52)
和其它应用的硅晶圆。X-FAB采用尺寸范围从1.0µm至110nm的模块化CMOS和SOI工艺，及其特色SiC与微机电系统（MEMS）长寿命工艺，为全球客户打造最高的质量标准、卓越的制造工艺和创新的解决方案。X......
欧洲晶圆代工厂：未来三年产能已售罄(2022-12-30)
缘体上硅 (SOI) 工艺技术一起发展。
“我们对 X-fab 在汽车领域的定位感到非常兴奋，这是一个增长非常强劲的细分市场，”de Winter 说。“我们一直专注于集成比业内其他任何人都多的高压，我们......
Skyworks对中国高度依赖背后，国产射频的危与机(2016-12-28)
）。一个完整的商用射频系统包括使用CMOS工艺实现的基带Modem，RFIC收发机，以及由非传统CMOS工艺实现的FEM。FEM离基带较远而离天线较近，这也是FEM器件被称为“前端”的原因。一个......
低功耗通用FPGA再加码，莱迪思推出更低功耗、更高I／O密度Certus－NX(2020-07-07)
Pu介绍，由于28nm FD-SOI工艺本身的软错误率（SER）就很小，比Bulk CMOS 工艺小了 100倍。加之Lattice在芯片中引入错误检查和纠正 （ECC） 技术，在发......
ADI石油测井高温技术及方案(2022-12-28)
中的电流泄露就会增加一倍，许多精密应用无法承受这一情况。对比采用普通结隔离（JI）双极性工艺与 ADI自主研发的绝缘硅片（SOI）双极性工艺的典型NPN晶体管，图4中的黑色箭头指出了JI工艺器件内电流泄漏的路径，以及......
X-FAB领导欧资联盟助力欧洲硅光电子价值链产业化(2023-06-15)
信号和MEMS晶圆代工集团，生产用于汽车、工业、消费、医疗和其它应用的硅晶圆。X-FAB采用尺寸范围从1.0µm至130nm的模块化CMOS和SOI工艺，及其特色SiC与微机电系统（MEMS）长寿命工艺......
半导体正在推动其BCD (集成双极-CMOS-DMOS)工艺向高电压、高功率和高密度三个方向发展。BCD6s-Offline是一项0.32µm高压制造工艺，另外两个高压技术 是 BCD6s-SOI 和......
2017年硅光国际研讨会：开启硅光“芯”时代，促进中国硅光产业发展(2017-05-23)
.加工水平高（CMOS工艺成熟，波导侧面粗糙可降低到2nm）
5.器件成本低（可用12寸晶圆，器件成本可降到InP器件的1/200以下）
6.基板成本低（12寸SOI晶圆单价可降到400 US......
总投资330亿元，国内即将诞生一家大型晶圆厂！(2024-11-18)
技术平台。
（图片来源：燕东微官网）
该项目建设内容包括：搭建28nm-55nmHV/MS/RF-CMOS、PD/FD-SOI等特色工艺平台；建设12英寸集成电路芯片生产线，包括......
中国芯片，再突破！(2024-05-09)
研团队与合作者研究证明单晶钽酸锂薄膜同样具有优异的电光转换特性，且在双折射、透明窗口范围、抗光折变、频率梳产生等方面相比铌酸锂更具优势。此外，硅基钽酸锂异质晶圆（LTOI）的制备工艺与绝缘体上的硅（SOI）更加接近，因此......
射频PA国产化走到哪一步了？（附盘点）(2020-07-28)
供货等多方面存在一定程度的短板。
事实上，PA发展的第一个争论点，在于工艺技术。根据所用半导体材料不同，射频PA可以分为CMOS、GaAs（砷化镓）、GaN（氮化镓）三大技术路线（表1）。如今性能更优异的GaN如期而至，SOI......
三星电子拓展汽车工艺解决方案新战略(2023-10-24)
2019 年开发并量产业界首款基于 28nm FD-SOI的eMRAM 以来，三星电子一直在开发基于 AEC-Q100 Grade 1 的 FinFET 工艺的 14nm 工艺。三星代工厂计划到 2024......
X－FAB最新的无源器件集成技术拥有改变通信行业游戏规则的能力(2023-09-15)
此次活动的人员可与X-FAB技术人员（位于438C展位）就这一创新进行交流。
X-FAB XIPD晶圆上的电感器测试结构
XIPD源自广受欢迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工艺——该技......
芯原股份获颁“中国半导体20年特殊贡献奖”(2022-08-19)
客户涵盖芯片设计公司、IDM、系统厂商、大型互联网公司、云服务提供商和汽车制造企业等。
芯原在传统CMOS、先进FinFET和FD-SOI等全球主流半导体工艺节点上都具有优秀的设计能力。在先进半导体工艺节点方面，公司......
大规模商用还需IP支持，图像处理应用或是FD-SOI落地关键(2022-12-29)
上，格芯Fab1厂总经理兼高级副总裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗尽平面晶体管）工艺将是格芯当前战略中心与创新的源泉。
格芯Fab1厂总......
硬核技术创新加持，特色工艺平台为智能时代添飞翼(2019-12-17)
-SOI同时具有优良的射频性能和成本优势，早在4G时代就已成为开关类RF应用的主流技术。受益于长期积累，华虹宏力RF SOI工艺拥有国内领先的FOM及射频性能，可提供精准的PSP SOI模型......
芯片IP企业、CCL厂商同日登陆科创板(2020-08-18)
、先进FinFET和FD-SOI等全球主流半导体工艺节点上都具有优秀的设计能力。在先进半导体工艺节点方面，公司已拥有14nm/10nm/7nmFinFET和28nm/22nmFD-SOI工艺......
相关企业
中科渝芯电子有限公司（CSEC）是由国资项目与重庆市政府资金共同投入，基于Bipolar、CMOS、DMOS、BiCMOS / BCD、SOI等工艺技术平台，面向模拟电路与功率器件的芯片代工（Foundry）领域，为终
;东莞金裕光电有限公司;;我司是一家专业生产LED封装,LED汽车灯的厂家,我们有着成熟的制作工艺与管理机制,欢迎来电或致MAIL查讯!
;深圳市优晟照明科技有限公司;;本公司生产的LED日光灯管外壳,采用悬浮式生产工艺制成。此工艺与目前市场上广泛采用的传统工艺（模压工艺）有较大的改进，不仅在生产速度上有量的飞跃，而且
;怡合瑞丰科技发展有限公司;;注册于香港，代理美国ABM公司的光刻机及其他半导体设备。可以为客户提供先进的凸点制造等封装工艺与设备
;nanjing chipower electronics inc.;;南京芯力微电子有限公司 司主要产品是基于CMOS、BICMOS 工艺、线宽0.35um 以上的各种高效率的模 数混
、ON、Epson等国际著名半导体公司有多年，有世界前沿的设计技术和丰富的产品经验。核心技术是采用先进的、成熟的、相对低成本的深亚微米（0.13μm ~ 0.35μm）CMOS或最新的SiGe BiCMOS工艺
的机械阀门制造专业设备 精湛的生产工艺与完善的检测手段。 2000年IS09001国际质量体系认证企业，科学的管理模式，确保了产品的精度与互换性。专业生产新一代蒸气柱阀。
提供系统级IC，应用于汽车、工业、计算机及外设和消费领域。Allegro 微系统公司总部设在美国马萨诸塞州,在马萨诸塞州和宾夕法尼亚州拥有两座晶圆工厂，在菲律宾设有组装、检测工厂。Allegro公司支持的工艺
;南通金锐高技术陶瓷有限公司;;南通市金锐高技术陶瓷有限公司以中国科学院上海硅酸盐研究所结构陶瓷科研成果为依托，集研究与应用开发为一体，应用先进工艺与设备，生产
开发室和高低温技术室； 生产制造部下设： 工艺与工装室、采购配套室、机加工车间、总装一车间（液压万能机）、总装二车间（冲击试验机）、总装三车间（电子万能试验机等）、总装四车间（工艺试验机及配套产品）和总