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研发客服在过山车般的一年结束之际，Nick Flaherty 与欧洲晶圆厂 X-Fab 的首席执行官 Rudi de Winter 就 2023 年的计划进行了交谈。
X-fab 是一家领先的欧洲半导体代工厂，为客户生产专业的高压芯片，并一直在从消费业务转向汽车、工业和医疗市场。
该公司首席执行官 Rudi de Winter 告诉 eeNews Europe，尽管经济低迷和芯片短缺，尽管有一年多前开始的投资计划，但需求如此之大以至于现有产能在未来三年内都将售罄。
该公司在全球拥有 6 座晶圆厂，包括之前从德州仪器收购的德克萨斯州 Lubbock 和从 1st Silicon 收购的，位于马来西亚沙捞越的晶圆厂，目前，他们正在物色更多晶圆厂。
“由于短缺，业务确实发生了变化，”de Winter 说。“人们更加关注供应链，并认识到半导体具有战略意义。”
“过去，我们的业务基于不具约束力的预测，因此我们这边没有供应安全和业务安全。现在我们看到有很多需求，我们正在签署很多长期协议，承诺交付和购买数量通常为三年，所以我们正在扩大很多，这些扩张已经售出。
“而且都分配好了，”他说。“70% 的 CMOS 业务与大客户签订了长期协议。根据这些协议和前景，我们应该在未来三年内被卖光。”
他说，问题出在晶圆厂的供应上，这是半导体设备交货时间长的结果。
“我们正在扩大我们所有的工厂，并在未来三年内进行比以往任何时候都更多的投资，总计达 10 亿美元，以通过预付款来支持长期协议，”他说，“我希望从长期协议中由于交货时间长和工厂关闭而导致半导体行业出现大幅波动”
“设备交货期仍然很长，长达两年，因此扩建是一项长期计划，”他说。“它需要将近三年的时间才能提升。我们在一年多前就开始这样做了。”
解决这个问题的一种方法是收购晶圆厂，“我们看到对汽车的需求非常强劲，因此我们一直在寻求进一步扩张，”他说。“我们正在寻找适合我们正在开发的新产品 BCD SOI 110nm HV 的晶圆厂，因此如果我们扩大规模，我们需要能够生产这种产品的晶圆厂。而一些 200mm 晶圆厂也不适合。”
氮化镓 也许令人惊讶的是，该公司是一家成长中的消费类电源适配器氮化镓 (GaN) 供应商，但正在将其转移到车载充电器的汽车市场。这与碳化硅 (SiC) 和绝缘体上硅 (SOI) 工艺技术一起发展。 “我们对 X-fab 在汽车领域的定位感到非常兴奋，这是一个增长非常强劲的细分市场，”de Winter 说。“我们一直专注于集成比业内其他任何人都多的高压，我们从高压 CMOS 开始，在过去几年中与 SiC 的联系正在关闭循环。” “今天我们专注于 CMOS 和 SOI，这是我们收入的 80%，但 SiC 和 GaN 正在增长，”他说。“我们拥有一些专有的客户特定技术，我们正在为高效小型充电器批量运行。七年前，我们就开始了这项合作，而且规模很大——反应器由合作伙伴提供，我们在 GaN 外延生长后开始加工。” “我们正在 200 毫米晶圆上制作和开发 GaN-on Si 原型，并与多个客户进行了合作。我们可能是 200 毫米最先进的，但在不久的将来应该可以使用，”他说。 这些协议也有利于具有长期计划的汽车和工业市场。一半的业务在汽车领域，22% 在工业领域。 “到 2022 年，消费市场将从 20% 进一步下降至 10% 左右，而医疗和工业将随着产能的真正需求而增长，因此我们不介意这种下降，”他说。 他指出在法国收购了一家工厂，那里有用于手机的 RF 和 SOI 业务，但其目的不是收购 RF SOI 工艺，而是利用该工厂生产更多的汽车产品。 微机电系统 专业微机械传感器 (MEMS) 和光子学也是增长的关键领域。 “医疗 MEMS 发展良好，我们的优势之一是 CMOS 的结合，并将其与 MEMS 相结合，这在医疗领域有很大的吸引力，我们正在大力追求这一点，”他说。 “通常这些从 Erfurt 的 200mm 晶圆开始，然后去 Istaso 进一步加工不适合 CMOS 工厂的贵金属。有时您需要调整 CMOS 以适应流程，一次性优化所有这些对我们的客户来说比为不同的元素寻找不同的供应商更有效。” 该公司最近宣布了一项交易，将使该公司成为最大的光子代工厂。 “在光子学方面，我们实现了他们的平台，并且是他们的制造厂，如果那里有量子计算，我不会感到惊讶，我们提供 PDK，客户设计产品，有时我们现在不知道产品是什么，光子学也是如此。” 碳化硅 该公司一直在 150mm 晶圆上开发 SiC，并在 Lubbock 转向 200mm。 “对长期滚动协议的需求仍然存在，我们的晶圆供应商签订了长期协议，这并不新鲜，”他说。“目前供应看起来还不错。” “今天，我们每月生产 3000 片 SiC 晶圆，我们每个月都在提高产量，到明年年底产量翻一番，到 2024 年底再翻一番——这就是我们计划的扩张。” 2023 年超过 6000 片晶圆，2024 年应该是每月 12000 片。 “从 600V 到 3.3kV，我们的良率超过 90%，但我们正在制作更高电压的原型，”他说。“这是定制设备和定制技术，所以每个客户都有我们实施的自己的技术。” 继平面 SIC 晶体管之后，它一直在研究接近最后鉴定阶段的沟槽 MOSFET。“我们对平面 MOSFET 的性能感到兴奋，与沟槽 FET 的差异并不大，”他说。