资讯
宽带隙技术发展现状 不断演变的宽带隙半导体技术(2023-10-10)
)
表 1：WBG技术的主要规范（来源：作者）
BN是一种出色的WBG半导体材料，主要用于光电子和发光应用研究。BN具有间接带隙，允许p型和n型掺杂，并具......
2亿美元，安世半导体德国基地扩产(2024-06-28)
2亿美元，安世半导体德国基地扩产;6月27日，半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，计划投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙半导体......
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项(2023-09-22)
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项;本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要......
上海微系统所在Nature Electronics报道新型碳基二维半导体材料基本物性研究重大进展(2021-11-02)
上海微系统所在Nature Electronics报道新型碳基二维半导体材料基本物性研究重大进展;以石墨烯为代表的碳基二维材料自发现以来受到了广泛关注。然而，石墨烯的零带隙半导体......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
是激发电子使之从束缚状态释放到自由状态以进行导电所需的最小能量（表 1）。
表 1：区分宽带隙半导体（如 GaN 和 SiC）与硅半导体的关键属性摘要。（表格来源：Art Pini）
用宽带隙半导体制造的器件相比传统半导体材料（如硅）具有......
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？(2024-02-28)
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？;2月20日，据日刊工业新闻报道，电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。
据了......
Coherent拟扩建全球首个6英寸磷化铟生产线(2024-12-13)
都有不同程度进展。
·碳化硅领域
2024年4月，Coherent基于CHIPS法案获得1500万美元的资金，用于加速下一代宽带隙和超宽带隙半导体（分别为碳化硅和单晶金刚石）的商业化。
9月26日......
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？(2024-02-28)
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？;2月20日，据日刊工业新闻报道，电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。本文......
意法半导体和法国空客将联合开发功率半导体(2023-06-27)
于混合动力飞机和全电动城市飞行器。
据悉，双方已经对探索宽带隙半导体材料对飞机的好处进行了全面的评估，SiC/
等有助于开发更小、更轻、更高效的高性能电子器件和系统，特别是在需要高功率、高频或高温操作的应用中。
此次......
ST在SiC和GaN的发展简况(2023-10-16)
面临的技术挑战
在制造方面，充分发挥宽带隙半导体的潜力面临接二连三的挑战，其中包括提高晶圆良率，降低缺陷率和成本，以及通过严格的测试验证芯片的长期可靠性。设计人员必须仔细评估寄生参数和热特性，同时......
意法半导体将在意大利新建碳化硅晶圆厂 获欧盟2.9亿欧元补贴(2022-10-08)
致力于开发200mm晶圆。此外，意法半导体表示，正在改变其全球制造业务，增加300mm制造能力，并重点关注宽带隙半导体，以支持其2000亿美元以上的收入目标。
据了解，意法半导体大批量STPOWER碳化......
英飞凌扩展碳化硅晶圆供应阵营，与美国高意集团签署供应协议(2022-09-24)
首批货物已经交付。
碳化硅是硅和碳的化合物，可用于制造特别高效、坚固的功率半导体，并降低整体成本。英飞凌的CoolSiC™品牌已是业内最大的工业功率半导体应用产品组合。英飞凌预计，在本世纪二十年代前期，公司的碳化硅半导体......
计算机视觉加速半导体分析(2024-06-18)
确召回曲线下面积和96.9%的最高准确率。
此外，自动表征工具显著加快了表征过程，计算200个样品的带隙仅需6分钟，检测降解仅需20分钟，而传统方法分别需要510分钟和数小时或数天。
应用
该工具在半导体......
LiDAR揭秘：“波长大辩论”的深入指导(2024-07-18)
为增益介质可用于制造激光器；这可通过泵送的方式使电流通过结，在原子进入较低能带时引起光子共振发射，从而产生相干激光束输出来实现。半导体激光器基于直接带隙材料（如GaAs 和InP），与间接带隙材料（硅）相比......
SiC 与半导体垂直整合的复兴，先进 SiC 解决方案的需求不断增长(2023-02-16)
的禁带意味着更高的激发要求，即电子和空穴更难以形成，这
也导致了宽带隙半导体在不需要工作时可以保持类似绝缘体的特性，这也使得其具 有更好的稳定性，宽禁带同时也有助于提高击穿电场强度，进而......
英飞凌GaN解决方案赋能欧姆龙社会解决方案公司的全新车联网（V2X）充电系统(2024-02-28)
获得了领先的应用技术知识并据此开发出让我们的客户和终端用户更加满意的全新和改进型充电与放电系统。我们期待与英飞凌一起进一步开发基于氮化镓和碳化硅（SiC）的功率解决方案，推动可再生能源和电动汽车的发展。”
由碳化硅和氮化镓制成的宽带隙半导体......
上演逼空行情？碳化硅衬底出货量2023年或劲增22%(2023-05-17)
的高需求是由于硅基功率器件接近其物理极限，特别是对于高速或大功率应用，宽带隙半导体代表了当前替代品中最有前途的选项，而SiC在材料特性和供应链成熟度方面都处于最前沿。此外，电动汽车、充电基础设施、绿色......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
极性器件的优势较大（实现了开关权衡），宽带隙半导体也是一种可以尽量减少不利影响的替代性技术解决方案。图1重点介绍了宽价带的优势（粒子不能占据这个带区）。“宽带隙”材料的主要优点在于，在阻断模式下可成为较好的隔离器（更接......
基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项(2025-01-09)
封装时的一些设计注意事项，以及表征系统的寄生电感和过流保护限值的重要性。
宽带隙半导体技术的优势
在选择最佳半导体材料时，应考虑多项特性。目标是打造兼具最小导通电阻、最小......
COSEL推出新型无风扇传导冷却式三相高效电源HCA3500TF(2023-04-25)
）
•数字控制拓扑和宽带隙半导体
•厚度：65mm，带盖子（1.5U）
•优化了传导水冷底板的设计
•5年保......
Nexperia公布2023年财务业绩(2024-05-13)
予EcoVadis金奖，在其行业内被评为前5%的公司之一，重申了其积极推动行业变革的承诺。
此外，Nexperia通过引入行业领先的宽带隙半导体、能量采集器件，以及对其功率半导体的持续投资，提高......
英飞凌扩展碳化硅晶圆供应阵营，与美国高意集团签署供应协议(2022-09-19)
首批货物已经交付。碳化硅是硅和碳的化合物，可用于制造特别高效、坚固的功率半导体，并降低整体成本。英飞凌的CoolSiC™品牌已是业内最大的工业功率半导体应用产品组合。英飞凌预计，在本世纪二十年代前期，公司的碳化硅半导体......
产能有望提高50%，这家半导体设备厂商投建新厂(2023-03-22)
兴起增加晶圆沉积技术步骤，长期来看，TEL认为半导体产业成长将继续，并预计2024财年市场需求会更高。新厂建成后将创造900个直接就业机会，也会间接带动合作伙伴约450个就业机会。......
产能有望提高50%，这家半导体设备厂商投建新厂(2023-03-22)
最高可能发挥到原始规划的两倍。
当前，全球半导体市场虽面临库存调整，但新世代半导体兴起增加晶圆沉积技术步骤，长期来看，TEL认为半导体产业成长将继续，并预计2024财年市场需求会更高。新厂建成后将创造900个直接就业机会，也会间接带......
科学家造出史上最小发光二极管，可将手机摄像头变成全息显微镜(2023-05-09)
硅已显示出作为纳米级和独立可控发射器候选材料的潜力，但由于间接带隙，硅发射器的量子效率较低。
团队此次开发的最小硅发射器，其光强度可与目前最先进的大面积硅发射器相媲美。新型LED在室温下表现出高空间强度（102±48毫瓦/平方厘米），并且......
COSEL为要求苛刻的应用提供输出功率为3500W的新型无风扇传导冷却式三相高效电源(2023-04-25)
电压为180-528VAC
•高达94%的效率
•最多可10台并联使用（31.5kW）
•数字控制拓扑和宽带隙半导体
•厚度：65mm，带盖子（1.5U）
•优化了传导水冷底板的设计
•5年保......
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装(2024-05-23)
断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等各种工业应用中越来越受欢迎。这也进一步证明了Nexperia与三菱电机公司(MELCO)之间成功的战略合作伙伴关系，两家公司联手将SiC宽带隙半导体......
澜起科技再度提高与英特尔关联交易额度 明年预增至25亿元(2021-12-10)
资子公司Intel Capital Corporation及英特尔半导体（大连）有限公司合计持有澜起科技股份超过5%以上。根据《上海证券交易所科创板股票上市规则》的规定，Intel Corporation是间接......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
得该技术甚至可以在高工作温度下使用。
宽带隙参数
宽带隙半导体的带隙比硅或砷化镓 (GaAs)
等普通半导体宽得多。这自然会转化为更大的击穿电场，并转......
泰克携手EA提供扩展的电源产品组合， 助力工程师实现世界电气化(2024-04-16)
的客户面临的挑战是提供安全可靠的电源电子设计，这些设计融合了高能量密度电池、高效电机、智能电源逆变器和宽带隙半导体等新技术，以实现高功率和高性能，从而推动行业电气化并满足不断增长的能源需求，为世界提供动力。”
泰克......
针对高要求应用，科索（COSEL）推出了 3.5kW 三相 高效率薄型电源(2024-05-24)
（1.61 英寸）（含外盖），符合 1U 高度
• 效率⾼达 94%
• 最多可并联 10 台（31.5kW），有功电流共享
• 采用数字控制拓扑及宽带隙半导体
• 内置 12V/1A 辅助电源，用于......
这种新材料终成半导体功率器件主流(2016-11-14)
项重要步骤就是采用SiC开关。
崩溃场强度超出10倍碳化硅多项特性胜出
为了了解硅和碳化硅解决方案之间的差异，必须明确指出：碳化硅装置属于所谓的宽带隙半导体。硅与SiC材料......
意法半导体扩大3D深度感知布局，推出新一代时间飞行传感器(2024-03-05)
算这些点之间的距离。间接飞行时间(dToF)传感器技术与直接飞行时间(dToF)传感技术优势互补。意法半导体拥有各种不同的先进技术，能够设计高分辨率的直接和间接ToF传感器，并根据应用要求提供优化的解决方案。
......
Onsemi：使用SIC等功率器件为碳中和做出的贡献(2023-02-02)
Onsemi：使用SIC等功率器件为碳中和做出的贡献;
为可再生能源提供动力以创造更美好的明天，因此，不仅是 GaN 和 SiC
等宽带隙半导体，还有围绕电力电子、智能电网、微电网、宏观......
聚焦第三代半导体，泰克荣获“2023行家极光奖”年度优秀产品奖(2023-12-20)
也把国内外新的行业标准与测试方法带给客户。在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙半导体技术方面，泰克为工程师提供了强大的功率分析仪和软件，轻松解决测试难题。泰克致力于成为智能汽车测试的领跑者，聚焦智能座舱、自动......
意法半导体扩大3D深度感知布局，推出新一代时间飞行传感器(2024-03-05)
器技术与直接飞行时间(dToF)传感技术优势互补。意法半导体拥有各种不同的先进技术，能够设计高分辨率的直接和间接ToF传感器，并根据应用要求提供优化的解决方案。......
Soitec 看到了采用 SmartSiC 晶圆的电动汽车中的巨大机遇(2023-02-02)
) 晶圆供应商 Soitec 开发了
SmartSiC 技术，以加速 SiC 在电动汽车中的采用。
碳化硅是一种宽带隙半导体，一直是电动汽车的技术加速器，可提高电子系统的功率密度，同时......
关于三菱寻址方式的介绍(2022-12-07)
下面这段程序就是直接寻址。
间接寻址:也叫变址寻址，一种利用变址寄存器V或者Z来进行地址修改的寻址方式。比如下图程序就是间接寻址。
但是变址是怎么变的呢？怎么理解变址呢？
合理的利用变址，有时......
向光伏系统添加储能的四大设计注意事项(2023-10-25)
电池电压的升高，对于转换器更高功率密度，更
低开关损耗的要求，宽带隙半导体器件，例如SiC和
GaN，将扮演越来越重要的角色。功率转换系统还可
以帮助电池组更好地管理分布式发电系统中的功率
波动，并使......
泰克携手EA提供扩展的电源产品组合，助力工程师实现世界电气化(2024-04-17)
设计融合了高能量密度电池、高效电机、智能电源逆变器和宽带隙半导体等新技术，以实现高功率和高性能，从而推动行业电气化并满足不断增长的能源需求，为世界提供动力。”泰克科技总裁 Chris Bohn 表示：“许多......
泰克携手EA提供扩展的电源产品组合，助力工程师实现世界电气化(2024-04-16)
的客户面临的挑战是提供安全可靠的电源电子设计，这些设计融合了高能量密度电池、高效电机、智能电源逆变器和宽带隙半导体等新技术，以实现高功率和高性能，从而推动行业电气化并满足不断增长的能源需求，为世界提供动力。”
泰克科技总裁Chris......
近50个，从半导体项目看产业趋势(2024-07-02)
）开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙半导体（WBG），并在德国汉堡工厂建立生产基础设施。据悉，从2024年6月开始，安世半导体三种工艺（SiC、GaN和Si）器件......
意法半导体扩大3D深度感知布局，推出新一代时间飞行传感器(2024-03-05)
LiDAR(光探测与测距)模块，具有优秀的2.3k分辨率，同时还宣布超小型的50万像素间接飞行时间(iToF)传感器获得首张订单。
意法半导体......
意法半导体扩大3D深度感知布局，推出新一代时间飞行传感器(2024-03-06 10:05)
)传感器技术与直接飞行时间(dToF)传感技术优势互补。意法半导体拥有各种不同的先进技术，能够设计高分辨率的直接和间接ToF传感器，并根据应用要求提供优化的解决方案。关于意法半导体意法半导体拥有5万名半导体......
意法半导体扩大3D深度感知布局，推出新一代时间飞行传感器(2024-03-06 10:05)
)传感器技术与直接飞行时间(dToF)传感技术优势互补。意法半导体拥有各种不同的先进技术，能够设计高分辨率的直接和间接ToF传感器，并根据应用要求提供优化的解决方案。关于意法半导体意法半导体拥有5万名半导体......
聚焦第三代半导体，泰克荣获“2023行家极光奖”年度优秀产品奖(2023-12-20)
进的测试方案，同时也把国内外新的行业标准与测试方法带给客户。在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙半导体技术方面，泰克为工程师提供了强大的功率分析仪和软件，轻松解决测试难题。泰克......
聚焦第三代半导体，泰克荣获“2023行家极光奖”年度优秀产品奖(2023-12-20 15:35)
也把国内外新的行业标准与测试方法带给客户。在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙半导体技术方面，泰克为工程师提供了强大的功率分析仪和软件，轻松解决测试难题。泰克......
聚焦第三代半导体，泰克荣获“2023行家极光奖”年度优秀产品奖(2023-12-22)
不断将自身产品与新的测试需求相结合，为客户提供更全面、更高效、更先进的测试方案，同时也把国内外新的行业标准与测试方法带给客户。在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙半导体技术方面，泰克......
碳化硅 (SiC) 用于各种应用已有 100 多年的历史,为什么SiC 突然流行起来(2023-02-16)
期这样做的努力产生了不一致的结果。边缘位错、三角缺陷和其他问题减缓了 SiC
作为半导体的商业化，尽管它有许多潜在的应用，但它的使用仍然相对较少。
但是，是什么让 SiC
成为如此有效的半导体呢?作为一种宽带隙半导体......
TDK推出适合800V总线电压应用的CeraLink片式电容器(2024-10-10)
，符合AEC-Q200标准。特性和应用主要应用• 快速开关电源转换器和逆变器• 适合汽车、可再生能源和工业驱动应用主要特点和优势• 通过直流偏置效应增加了电容，具有更高的额定电压• 适合SiC和GaN等宽带隙半导体......
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