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关断之前，三栅极网络中的谐振会使这两个SiC MOSFET的导通变差，因为它们的整体栅极-源极电压会略有增加。它们在开关节点电压负斜率期间再次导通，但仅占总电流的一小部分。 图14. 关断......
决定放弃 DMOS 技术，从一开始就专注于基于沟槽的器件。远离具有高缺陷密度的平面表面，转向其他更有利的表面取向，可以在低氧化物场下实现低沟道电阻。这些边界条件是转移硅功率半导体领域建立的质量保证方法的基线，以保......
IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计;本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、/。栅极......
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项;本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要......
管微缩) HKMG: 微缩与性能的突破 在2005年前后，逻辑半导体3)中基于多晶硅栅极(Poly-Si Gate)/SiON氧化物(poly/SiON)的传统微缩在性能改进方面开始表现出局限性，因为......
）材料？ 对于任何电力电子工程师来说，必须大致了解适用于功率半导体开关器件的半导体物理学原理，以便掌握非理想器件的电气现象及其对目标应用的影响。理想开关在关断时的电阻无穷大，导通时的电阻为零，并且......
麦瑞半导体推出85V半桥MOSFET驱动器MIC4604;麦瑞半导体公司今天推出了85V半桥MOSFET驱动器MIC4604。MIC4604具有集成的85V阴极负载二极管和业内最宽广的可编程栅极......
瑞萨推出栅极驱动IC，用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET; 【导读】2023 年 1 月 30日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日......
意法半导体推出灵活多变的同步整流控制器，提高硅基或氮化镓功率转换器能效;有助于简化工业电源、便携式设备充电器和交流/直流适配器操作，节省电能意法半导体 SRK1004 同步......
意法半导体推出灵活多变的同步整流控制器，提高硅基或氮化镓功率转换器能效;有助于简化工业电源、便携式设备充电器和交流/直流适配器操作，节省电能意法半导体 SRK1004 同步......
年 1 月 30日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘......
数明半导体单通道隔离式栅极驱动器SLM34x通过UL1577认证;数明半导体兼容光耦单通道隔离式栅极驱动器SLM34x系列产品已通过UL1577认证，相关证书已下发。通过UL1577安规......
GaN FET 基础知识 电源转换电路的基本元件是高压半导体开关。设计人员一直专注于通过以下方式提高这些器件的性能：通过减少导通状态下的串联电阻来减少传导损耗，通过提高转换速度来减少开关损耗，以及......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 今日......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 今日......
博通SiC/GaN栅极驱动器助力绿色能源低碳转型;光耦用于在控制电路与高压和功率半导体之间提供增强的电绝缘，抑制高共模噪声的能力将防止在高频切换过程中功率半导体的错误驱动。该类......
意法半导体隔离栅极驱动器：碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣; STGAP系列隔离栅极驱动器具有稳健性能、简化设计、节省空间和高可靠性的特性意法半导体（下文为ST）的功......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性; 【导读】意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小......
意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管，优值系数提高 40%;意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS......
Transphorm和Allegro MicroSystems联手，提高GaN功率系统在高功率应用中的性能;专用隔离式栅极驱动器推动数据中心、可再生能源和电动汽车领域快速采用先进的GaN半导体......
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能;专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再......
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能;专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM......
意法半导体发布隔离式栅极驱动器，可安全控制碳化硅MOSFET;STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作......
意法半导体发布隔离式栅极驱动器，可安全控制碳化硅MOSFET;STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作......
处理很难，必须与驱动栅极用的驱动器结合使用。 在这种市场背景下，ROHM 结合所擅长的功率和模拟两种核心技术优势，开发出集功率半导体——GaN HEMT 和模拟半导体——栅极驱动器于一体的Power......
ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC;~采用业界先进的纳秒量级栅极驱动技术，助力LiDAR和数据中心等应用的小型化和进一步节能~全球知名半导体制造商ROHM（总部......
ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC;~采用业界先进的纳秒量级栅极驱动技术，助力LiDAR和数据中心等应用的小型化和进一步节能~全球知名半导体制造商ROHM（总部......
驱动电路时必须考虑的几个重要动态特性：特别是导通电阻、栅极电荷（米勒平台区域）和过流 (DESAT) 保护。 2、导通电阻 作为 WBG 半导体，SiC MOSFET 在给......
意法半导体推出灵活多变的同步整流控制器，提高硅基或氮化镓功率转换器能效; 【导读】意法半导体 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶体管的功率转换器的设计难度，提高......
​Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能;专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再......
驱动器提供的功能可使电动汽车动力总成工程师能够在提高功率密度、降低系统设计复杂性和成本的同时实现其安全和性能目标。 随着电动汽车日益普及，牵引逆变器系统的半导体......
Transphorm和Allegro MicroSystems联手，提高GaN功率系统在高功率应用中的性能;专用隔离式栅极驱动器推动数据中心、可再生能源和电动汽车领域快速采用先进的GaN半导体......
质层已不再是理想的绝缘体，栅极与衬底之间将会出现明显的量子隧穿效应，衬底的电子以量子的形式穿过栅介质层进入栅，形成栅极漏电流Ig。为了改善栅极漏电的问题，半导体业界利用新型高K介电常数（High-k – HK......
GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术;外媒eNewsEurope报道，英特尔和台积电将在国际电子元件会议（IEDM）公布垂直堆叠式（）场效晶体管进展，这有望使成为十年内最可能接替全环绕栅极......
ST 隔离栅极驱动器：碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣; 【导读】意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET;全球半导体解决方案供应商电子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新——RAJ2930004AGM，用于......
ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC;~采用业界先进的纳秒量级栅极驱动技术，助力LiDAR和数据中心等应用的小型化和进一步节能~    全球知名半导体制造商ROHM......
意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管; 【导读】意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS......
驱动器提供的功能可使电动汽车动力总成工程师能够在提高功率密度、降低系统设计复杂性和成本的同时实现其安全和性能目标。如需更多信息，请访问 TI.com/UCC5880-Q1。 随着电动汽车日益普及，牵引逆变器系统的半导体......
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能;氮化镓(GaN)产品让消费电子、工业和汽车系统更高效、更紧凑 2023年8月3日，中国 -意法半导体......
DSC和LFPAK 12x12大功率封装。意法半导体的G-HEMT器件将加速功率转换系统向GaN宽带隙技术过渡。GaN晶体管的击穿电压和导通电阻RDS(on)与硅基晶体管相同，而总栅极......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性;意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性;意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低......
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GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术;外媒eNewsEurope报道，英特尔和台积电将在国际电子元件会议（IEDM）公布垂直堆叠式（CFET）场效晶体管进展，这有望使CFET成为十年内最可能接替全环绕栅极......
种市场背景下，结合所擅长的功率和模拟两种核心技术优势，开发出集功率半导体——GaN HEMT和模拟半导体——栅极驱动器于一体的Power Stage IC。该产品的问世使得被称为“下一代功率半导体”的......
所擅长的功率和模拟两种核心技术优势，开发出集功率半导体——GaN HEMT和模拟半导体——栅极驱动器于一体的Power Stage IC。该产品的问世使得被称为“下一代功率半导体”的GaN器件轻轻松松即可实现安装。新产......
限度提高功率管的开关速度，并增强驱动强度。总结，随着电动汽车市场的不断增长和对高压系统的需求日益增加，德州仪器作为半导体行业的领军企业，将继续致力于推动高压技术的创新和应用。UCC5880-Q1栅极......
ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC;全球知名半导体制造商（总部位于日本京都市）开发出一款超高速驱动的栅极驱动器IC“BD2311NVX-LB”。本文引用地址： 近年......

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