资讯
电机反转到底有什么影响？(2024-09-25)
开关，变频器都可以正反转，影响不大。如果高速正反转要控制其惯量，反电势等确实比较有难度。
直流电机的正反转控制更加难，要实现无环流控制。如果是采用可控硅控制正反转一定要有非常可靠的控制系统，否则会产生雪崩效应......
怎样控制直流电机正反转调速(2024-09-25)
制系统、2套脉冲触发器来控制2套可控硅，其中2套可控硅控制如何切换。如何安全有效的运行，就必须要有一套非常精准而复杂的控制检测系统来实现2套可控硅来自由导通，而不会产生短路、漏电及雪崩效应。
当直......
GAN在汽车里面的应用(2023-10-09)
操作区域）评级。
● 欧洲GAN的应用案例（触发MOSFET的雪崩效应）
主要是用在传统车上，取代传统的器件。
● GAN的应用案例（半桥模块）
主要应用在功放，功率电源，DCDC和车......
浅谈GAN在汽车里面的应用案例(2024-03-21)
操作区域）评级。
● 欧洲GAN的应用案例（触发MOSFET的雪崩效应）
主要是用在传统车上，取代传统的器件。
● GAN的应用案例（半桥模块）
主要应用在功放，功率电源，DCDC和车......
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？(2024-03-19)
表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。之前我们讨论过功率的雪崩效应，今天，我们将继续分享相关 (UIL)数据表的额定值。本文引用地址：
除了Ipk vs tav图之外，大多......
汽车激光雷达的方向是选择095纳米还是1550纳米(2024-08-20)
二极管。微细胞以平行方式连接,并以吉格尔模式工作,在那里单个光子触发雪崩效应。
微细胞平行连接,并在每次检测事件后重置,以避免连续雪崩破坏。SIPMS比硅APDS的主......
ADAS的种类与主要组成 LiDAR的用途与相关技术(2023-07-10)
）的缩写，称为单光子累崩二极管，是一种半导体光侦测器。当我们在SPAD两端施加更高的反向偏置电压（硅材料通常为100-200 V），此时光子进入硅材料后，利用电离碰撞（雪崩击穿）的效应，可以......
数字全流程方案应对先进工艺设计“拦路虎”(2022-09-28)
%。
Tempus（图片：Cadence）
IR压降引发的“雪崩效应”“先进节点环境下，IR压降对时序分析有很大影响。”燧原科技芯片高级总监柴菁表示，为了确保AI芯片设计达到最高的可靠性，设计......
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应(2024-02-29)
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应;在关断状态下，功率的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。体二极管的击穿或表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量流动。典型......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项(2023-09-25)
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项;在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及......
TI推出支持业界最低功耗的智能旁路二极管SM74611(2013-03-18)
特基二极管功耗低 80%，可将接线盒中的环境温度降低 50 摄氏度，不但可提高现有接线盒的电流额定值，而且还可实现具有更高电流额定值的更小接线盒；
·可在不出现雪崩效应的情况下处理 15 A 电流......
如何为汽车智能配电系统选择功率开关管(2023-01-10)
，STL325N4LF8AG可以安全地处理eFuse中的放电能量。
表1详细比较了意法半导体STL325N4LF8AG与主要竞争对手的等效 AEC Q101 MOSFET的雪崩耐量。
表1 意法半导体产品与竞品的雪崩......
Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供历经十亿个周期测试的 可靠重复雪崩性能;奈梅亨，2020年12月16日：半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天......
如何为汽车智能配电系统选择功率开关管(2023-01-10)
(公式5)：
因此，STL325N4LF8AG可以安全地处理eFuse中的放电能量。
表1详细比较了意法半导体STL325N4LF8AG与主要竞争对手的等效 AEC Q101 MOSFET的雪崩......
HASH算法加密芯片的工作原理及其在STM32 MCU上的应用(2024-09-14)
到一个具有相同SHA256值的数据（即伪造数据）是非常困难的。
d. 雪崩效应：输入的数据列即使其中一位发生变化，SHA-256的计算结果也会发生非常巨大的变化。
由于以上特性，SHA256算法......
单光子探测器研究现状与发展(2023-03-15)
光电二极管都属于传统单光子技术的光电器件。光电倍增管由光窗、光电阴极、聚焦电极、倍增极及阳极等部分组成，结构如图1所示。雪崩光电二极管是具有内部光电增益的半导体光电子器件，利用载流子的雪崩倍增效应......
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术(2024-09-03)
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术; 9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功......
二极管导通AB两端的控制条件藏在A中，而三极管却是藏在C中。(2024-01-15)
极小的电压增量都会带来电流的显著变化。
反向施压，称为反偏，一旦超过最大反向击穿电压，伴随的雪崩效应会产生很大的电流损坏二极管。
对理应该处于正偏状态的二极管进行故障诊断，如果测得的正向压降远大于0.7V......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
靠性验证体系等。
针对大家特别关心的化硅MOS管栅氧化层的问题，为了解决高电场的隧穿效应带来的漏电，蓉矽半导体把电场集中的区域分为两个区域，上图左图紫色圈是栅氧化层的电场，红色圈是沟道位置的集中，这两......
湃睿半导体推出光强-时间激光测距套片(2023-10-15)
激光测距套片
此外，湃睿半导体正在规划更高集成度的方案，具体如下：
• 雪崩二极管 + 跨阻放大器
• 雪崩二极管 + 跨阻......
Nexperia建立新的特定型应用FET类别以优化性能(2020-10-22)
Nexperia建立新的特定型应用FET类别以优化性能;奈梅亨，2020年10月22日：半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia响应行业需求，通过定义一组全新的MOSFET产品，最大......
Nexperia推出一系列A-selection齐纳二极管，可提供高精度基准电压，拥有业内极低的±1%容差;奈梅亨，2021 年 11 月 17 日：基础半导体元器件领域的高产能生产专家（安世半导体......
基于零维材料的光电探测器原子结构(2023-04-07)
的二维材料探测器大多采用以下三种工作机理：光导效应、光栅压效应和光伏效应。与经典的半导体材料相比，二维材料易于调控，主要表现在四个方面：（1）能够实现应力调控。（2）带隙可调。（3）栅压可调。（4）掺杂可调控。
三种......
【测试案例分享】 如何评估热载流子引导的MOSFET衰退(2024-09-19)
-SCS（半导体表征系统）中使用这些关键功能来执行热载流子退化测试。
图1. 漏极雪崩热载体效应
MOSFET热载流子效应及器件性能监测
今天的超大规模集成电路MOSFET器件......
泰克先进半导体开放实验室再升级，开启功率器件测试新篇章(2024-05-16)
开关测试和动态导通电阻测试、SiC功率器件的短路测试、雪崩测试，以及更全面的静态参数和电容参数测试系统。此外，实验室还引入了全新的面向第三代半导体功率器件的可靠性测试系统，以满足日益增长的测试需求。
泰克......
国家队加持，芯片制造关键技术首次突破(2024-09-02)
是可以增加元胞密度，没有JFET效应，沟道晶面可实现最佳的沟道迁移率，导通电阻比平面结构明显降低；缺点是由于要开沟槽，工艺更加复杂，且元胞的一致性较差，雪崩能量比较低。
“关键就在工艺上。”国家第三代半导体......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
162.5亿半导体项目启动；部分芯片价格“雪崩”(2022-08-22)
162.5亿半导体项目启动；部分芯片价格“雪崩”;“芯”闻摘要
半导体产业项目新动态
部分芯片价格“雪崩”
四川停电恐波及半导体企业
三星新消息不断
半导体产业项目新动态
8......
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍(2023-06-12 14:54)
、检测和成像的需求。埃赛力达服务于生物医学、科研实验室、半导体、工业制造、安全、安防、消费产品等领域的众多应用，帮助客户在其众多不同的终端市场取得成功。我们的团队由 7,500 多名专业人员组成，遍布......
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍(2023-06-12 14:54)
、检测和成像的需求。埃赛力达服务于生物医学、科研实验室、半导体、工业制造、安全、安防、消费产品等领域的众多应用，帮助客户在其众多不同的终端市场取得成功。我们的团队由 7,500 多名专业人员组成，遍布......
锐骏半导体发布两款全新超低导、通电阻MOSFET产品(2024-09-29 09:35)
锐骏半导体发布两款全新超低导、通电阻MOSFET产品;
锐骏半导体本周正式发布两款全新超低导 通电阻MOSFET产品，型号分别为RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B......
迎接汽车电动化时代的来临，安世半导体引领MOSFET技术革命(2023-11-21)
效益高且性能稳定的硅基 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）继续在车载电子、电驱动以及电池管理系统中发挥核心作用。去年 MOSFET 的大量缺货进一步突显了这一点。
然而，要满足日益增长的汽车市场，功率......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效应......
稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性(2024-07-24)
稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性; 意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境......
锐骏半导体发布两款全新超低导、通电阻MOSFET产品(2024-09-29)
锐骏半导体发布两款全新超低导、通电阻MOSFET产品;
【导读】锐骏半导体本周正式发布两款全新超低导 通电阻MOSFET产品，型号分别为RUH4040M-B（40V/40A）和......
瑞能半导体亮相2023慕尼黑上海电子展，加速升级创领功率器件新浪潮(2023-07-12)
量采用，在保障对客户稳定供应的同时，也积极听取客户的建议来对产品性能进行有针对性的优化，为自身产品的升级与创新带来了积极效应。
技术迭代步履不停 树立高效功率器件新标准
本届慕尼黑上海电子展，瑞能半导体......
SiC器件如何颠覆不间断电源设计?(2023-10-10)
SiC器件如何颠覆不间断电源设计?; (UPS) 和其他基于电池的储能系统可以确保住宅、电信设施、数据中心、工业设备、医疗设备和其他关键设备的持续供电。凭借先进的半导体技术，这些......
纳微半导体发布新一代650V MPS SiC碳化硅二极管(2023-05-12 15:05)
纳微半导体发布新一代650V MPS SiC碳化硅二极管;专有的“低门槛电压”技术带来更好的温控效果，第五代GeneSiC™碳化硅(SiC)二极管实现更高速、更高效的性能唯一全面专注的下一代功率半导体......
瑞能半导体亮相2023慕尼黑上海电子展，加速升级创领功率器件新浪潮(2023-07-12 16:34)
极听取客户的建议来对产品性能进行有针对性的优化，为自身产品的升级与创新带来了积极效应。
技术迭代步履不停 树立高效功率器件新标准本届慕尼黑上海电子展，瑞能半导体展出了包括碳化硅器件组合，Si-MOSFET, 可控......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET(2023-09-04 14:43)
提供样品并已实现量产，关于供货周期的信息，请与当地销售部联系。VISHAY简介Vishay是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空......
Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650V E系列功率MOSFET(2023-09-04)
。
SiHP054N65E现可提供样品并已实现量产，关于供货周期的信息，请与当地销售部联系。
VISHAY简介
Vishay是全球最大的分立半导体......
PN8368 5V1.5A高精度低功耗电源芯片(2023-09-13)
电源芯片PN8368是一款应用于5-12W以内AC/DC超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器，内部集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，恒压控制模式采用多模式控制方式，合理......
纳芯微推出全新固态继电器：支持1700V耐压， 满足CISPR25 Class 5要求(2024-05-14)
巧妙的设计，实现了业内卓越的EMI表现，在单板无磁珠的条件下即可轻松通过CISPR25 Class 5测试，并且在全频段测试中均留有充足裕量。NSI7258基于全半导体工艺进行生产，在长......
纳微半导体发布新一代650V MPS™ SiC碳化硅二极管(2023-05-12)
纳微半导体发布新一代650V MPS™ SiC碳化硅二极管;
【导读】唯一全面专注的下一代功率半导体公司 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布推出第五代高速GeneSiC碳化......
埃赛力达推出用于测距和LiDAR系统的增强型 InGaAs 雪崩光电二极管(2024-11-21 09:32)
力达是一家领先的技术供应商，致力于提供先进的、改善生活的革新技术，为生命科学、先进工业、新一代半导体、航空航天和国防等各终端市场的全球龙头企业提供服务。公司总部位于美国宾夕法尼亚州匹兹堡。埃赛力达是光子技术设计、开发......
of meric)极其出色，开关性能和能效异常优异。此外，优异的抗雪崩（avalanche）性能可确保器件在持续高压运行环境中提高耐用性。
MDmesh V整合意法半导体......
垂直GaN JFET的动态性能(2024-01-02)
问题可能会导致器件的导通损耗增加，并缩短器件在应用中的寿命。”
研究人员将NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ级GaN JFET（图1）的性能与商用650V和1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应......
AEC-Q | 浅谈激光雷达光电组件的车规可靠性认证(2023-10-17)
（hamamatsu.com.cn）
03车规AEC-Q可靠性的要求
基于激光雷达在汽车中的应用场景和汽车自身的高可靠性要求，激光雷达及其组件要进入车用供应链，必须通过严苛的可靠性验证。
AEC-Q102是公认、通用的光电半导体......
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