葫芦电子社区-电子元器件库存搜索引擎，为您网罗全球厂商代理商库存

资讯

基础知识之SiC功率器件;SiC半导体 1. SiC材料的物性和特征 SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且......
了解高压分立Si MOSFET (≥ 2 kV);拥有广泛的产品系列、具有竞争力的产品性能和先进的技术，在高压（HV）分立Si 市场具有领导地位，特别是在1700V以上产品，包括......
车、新能源车等对电池系统具高度要求的产业。其中，电动车备受市场关注，不过目前市售电动车所搭载的功率半导体多数为硅基材料（Si base），如Si IGBT、Si MOSFET，但由......
基于SMC-SI-EX245系列模块的先导阀压力故障分析;前几天遇到了一个SMC-SI单元控制失误,电磁阀不得电,从先导阀开始就有时得电,有时不得电.测量US1电源电压为23.38V,低于......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用;碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用; 一、前言 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半......
Samtec技术前沿 | 深度理解电源完整性;【摘要/前言】 在Samtec，我们经常谈论信号完整性（SI）以及我们为最新应用开发新的高速连接器解决方案的工作。Samtec在112Gbps......
Samtec技术前沿 深度理解电源完整性; 作者: David Pike Samtec砷泰连接器 技术市场专家【摘要/前言】在Samtec，我们经常谈论信号完整性（SI）以及......
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法;相比基于硅(Si)的，基于碳化硅(SiC)的器件可实现更高的效率水平，但有时难以轻易决定这项技术是否更好的选择。本文......
完整性SI、电源完整性PI、电磁干扰EMI。• SI是要保证数字电路各芯片之间信号的准确传递；• PI是确保各部分电路和芯片的可靠供电和噪声抑制；• EMI是要确保PCB电路不干扰其它设备，也不......
的数据速率增加了工程团队验证新技术所需的时间，往往导致产品上市周期大幅延迟。泰克在工程社区听到了许多工程师的抱怨，因此开发了TMT4裕度测试解决方案，提高了测试的协作性和易用性。 高速电路面临的三个问题：信号完整性SI......
的数据速率增加了工程团队验证新技术所需的时间，往往导致产品上市周期大幅延迟。泰克在工程社区听到了许多工程师的抱怨，因此开发了TMT4裕度测试解决方案，提高了测试的协作性和易用性。 高速电路面临的三个问题：信号完整性SI......
过程中的严重体积膨胀等内在问题一直困扰着使用硅负极电池的开发。虽然实验室在解决这些问题方面取得了巨大进展，但工业中大多数硅基电池，其中硅负极由氧化亚硅或Si-C复合材料制成，其只含有少量硅。 在此，韩国蔚山国立科学技术研究所Jaephil Cho......
简化热管理要求。 采用 Si 超结技术的 Si 基双向 OBC 与 Si 基 IGBT 是 SiC 双向 OBC 的主要竞争技术。但是，本段内容将说明 SiC 如何在所有相关方面（成本、尺寸、重量、功率密度、效率）超越......
泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。硅（Si）材料发光效率低，因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓（GaAs）外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外......
率半导体的发展路径中，功率半导体从结构、制程、技术、工艺、集成化、材料等各方面进行了全面提升，其演进的主要方向为更高的功率密度，更小的体积，更低的成本及损耗。特别是材料迭代方面，从硅Si材料逐渐向氮化镓（GaN......
Vishay推出新款193 PUR－SI Solar系列卡扣式功率铝电容器，提高额定电压;日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出......
Vishay推出新款193 PUR－SI Solar系列卡扣式功率铝电容器，提高额定电压;日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出......
宽带隙技术发展现状 不断演变的宽带隙半导体技术; 简介 几乎所有采用电气控制、通信、电力、驱动和传感的技术系统都已实现了电气化以及电气连接。从20世纪50年代开始，硅(Si) 一直......
Foundry陆续向上延伸，涉足外延片代工。 图：X-FAB 第三代半导体代工模式 SiC代工 对于Si-IGBT/MOSFET等非常成熟的功率分立器件，其主要货源仍来自IDM厂。而SiC......
手机品牌客户仍积极采用AMOLED面板，AMOLED机种的渗透率预计仍可由2019年的31.0%增长至2020年的35.6%，而TFT-LCD机种的渗透率，无论是LTPS面板或是a-Si面板......
系统提供先进解决方案。 与Si基系统相比，采用GaN功率器件的新型变换器拥有更高的功率输出密度和更高的能量转换效率，可以使系统小型化、轻量化，能够......
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列小型卡扣式铝电解电容器---257 PRM-SI，提高设计功率密度。Vishay BCcomponents 257 PRM-SI系列......
汽车芯片，拉不动市场了;2024 年 6 月，Semiconductor Intelligence （SI） 发布了对 2023 年汽车半导体市场的分析及其对 2024 年及以后的展望。 SI预计......
到的一些应用。让我们仔细看看这个设计。我们看到32个低轮廓的Samtec Si-Fly™电缆组件，每个都有16个差分对。 这就是512个通道，以及51.2TB的总数据。极低的3.8毫米外形使Si-Fly可以......
HPC(高性能计算)中看到的一些应用。 让我们仔细看看这个设计。我们看到32个低轮廓的Samtec Si-Fly™电缆组件，每个都有16个差分对。 这就是512个通道，以及51.2TB的总......
Intertechnology, Inc.宣布，推出最新系列小型卡扣式铝电解电容器---193 PUR-SI系列，提高设计功率密度。Vishay BCcomponents 193 PUR-SI系列......
Ameya360：平面MOSFET与超级结MOSFET区别;今天,Ameya360给大家介绍近年来中的高耐压的代表超级结。本文引用地址：功率晶体管的特征与定位 首先来看近年来的主要功率晶体管Si......
11亿美元。 这些设备包括常规/微型LED、激光/光电探测器、射频器件、SiC/SiC/GaN功率器件、用于MEMS制造的MOCVD、MBE（金属束外延生长器件）和Si/SiC HTCVD......
面板需求回缩，部分产品价格或下滑;6月21日，据CINNO Research最新报告，由于疫情，全球主要手机品牌均下调的对面板的需求，因此5月a-Si/LTPS/ AMOLED面板......
面板的价格也在整体需求的影响下持续下跌，特别是在历届销售旺季的Q3,仍然下滑，据咨询公司预测2022年Q4智能手机面板价格的趋势将继续下滑，2023年恐仍受影响。下面是a-Si，LTPS，刚性/柔性AMOLED等各......
完成后将持有深圳镓华11.25%的股权。受此消息刺激，截止目前其股价收获二连涨停板。 据悉，深圳镓华是一家专注于硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件研发、生产和销售的科技公司，该公司由在海外从事半导体行业25年和......
是随处可见的灰烬，也许谁也没能想到，就是这一小撮杂质般的黑色颗粒，将会在近200年后，在其之上长出绚烂的花朵，帮助人类突破半导体的瓶颈。 在人类半导体产业的起步初期，基于硅（Si）芯片......
谁也没能想到，就是这一小撮杂质般的黑色颗粒，将会在近200年后，在其之上长出绚烂的花朵，帮助人类突破半导体的瓶颈。 在人类半导体产业的起步初期，基于硅（Si）芯片的技术发展速度卓越，无论......
ROHM开发出EcoGaN Power Stage IC;～通过替换现有的Si MOSFET，可将器件体积减少约99%，功率损耗减少约55%～全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向......
术能够应对通信设备、电动汽车充电器和太阳能转换器等快速增长的市场。 韩媒etNews报道称，DB HiTek将生产基于硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术的8英寸半导体。这是一种使用“硅上氮化镓”（GaN......
RECOM扩展栅极驱动 DC/DC 系列产品; 【导读】非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换......
RECOM推出栅极驱动 DC/DC 系列产品扩展; 【导读】非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换......
接连接Cu-Cu，实现了今天一位数间距尺寸的可能性，这标志着该领域的重大进展。 每种2.5D和3D配置中每种封装类型的优势和缺点： 2.5D 硅：在这个类别中有两种选择：使用完整的无源硅晶片的硅互联垫，和Si......
减少服务器和AC适配器等的损耗和体积！ ～通过替换现有的Si MOSFET，可将器件体积减少约99%，功率损耗减少约55%～ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配......
和东芝宣布将合作生产碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半导体器件，这一计划还得到了日本政府的支持。 该计划旨在让罗姆和东芝分别对SiC功率半导体和Si功率半导体进行重点投资，依据对方生产力优势进行互补，有效......
英飞凌与现代、起亚签署多年期功率半导体供应协议;英飞凌、现代汽车和起亚汽车10月18日发布声明称，三方已签署一项多年期SiC和Si功率半导体供应协议。 根据协议，英飞凌将在2030年前......
pwm de contraste de LCDbyte Back_Light_On_Off = 0; // saber si esta encendida o apagadanullvoid setup......
触点置于富含锗的硅上之后，无法保证最终的电子元件是否真的具有预期的属性。 论文“Si 1−x Ge x Nanosheets with Monolithic Single-Elementary Al Contacts......
为栈指针，S[i]为状态栈，X[i]为文法符号栈。状态转换表内容按关系GOTO[Si，X] = Sj确定，该关系式是指当栈顶状态为Si遇到当前文法符号为X时应转向状态Sj。X为终......
或差分信号。每种信令都对 SI 有各自的影响。因此，信号完整性（SI）绝对是一个值得关注的问题。2.未来信号完整性面对的挑战                                          5G......
接口使用两种类型的信号：单端或差分信号。每种信令都对 SI 有各自的影响。因此，信号完整性（SI）绝对是一个值得关注的问题。 2.未来......
西部数据的nCache 4.0™技术，以更低的能耗提供卓越的突发写入性能和混合SLC缓存机制，满足多任务并行和灵活切换的需求；高达4,150 MB/si（1TB和2TB型号ii）的顺......
™技术，以更低的能耗提供卓越的突发写入性能和混合SLC缓存机制，满足多任务并行和灵活切换的需求；高达4,150 MB/si（1TB和2TB型号ii）的顺序读写速度能大幅提高工作效率。同时，在DRAM......
西电-Cadence EDA联合实验室揭牌成立;据西电电子工程学院官微消息，近日，超高速电路设计与电磁兼容教育部重点实验室SI/PI高级研讨会暨西电-Cadence EDA联合......

相关企业

semiconductor Insights Inc.
;semiconductor Insights Inc.;;Semiconductor Insights (SI) 是世界领先的致力于集成电路和电子系统技术分析的技术顾问公司。SI所提
si-power
si-power;;;
si-electronics
si-electronics;;;
si-en
si-en;;;
沃尔士环控系统工程（深圳）有限公司
;沃尔士环控系统工程（深圳）有限公司;;沃尔士环控系统工程（深圳）有限公司为德国ASM（www.asm-sensor.com）,德国SI（www.sensor-instruments.de）,意大
深圳市国华电子有限公司SHEN ZHEN SHI GUO HUA DIAN ZI YOU XIAN GONG SI
;深圳市国华电子有限公司SHEN ZHEN SHI GUO HUA DIAN ZI YOU XIAN GONG SI;;
上海衡励铝材有限公司
纯铝；2）2XXX系列 Al-Cu、Al-Cu-Mn合金，；3）3XXX系列 Al-Mn合金；4）4XXX系列 Al-Si合金；5）5XXX系列 Al-Mg合金；6）6XXX系列 Al-Mg-Si合金；7
深圳市浩嘉微电子有限公司
;深圳市浩嘉微电子有限公司;;主要经营销售ME，QX，BM，BL，HX，SI等多个品牌的集成电路
深圳市福田区新亚洲电子市场嘉锋电子商行销售一部
;深圳市福田区新亚洲电子市场嘉锋电子商行销售一部;;专营FDS IRF SI NDS CEM AO APM等系列贴片MOS
ringo
;ringo;;让我们一起来进步！标志,logo,CI,MI,VI,BI,SI,营销,策划,设计,AE,文案,艺术,包装,摄影,展示,品牌,企业文化,房地产,专卖店。 拍拍店：http