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攻关核心技术，湖北大学团队存储器成果荣获湖北省自然科学奖(2022-06-28)
电荷，因而各类新型存储受到科学家们的关注。其中，阻变存储器因具有诸多优点，成为最有潜力取代闪存的技术之一。
据湖北广电介绍，湖北大学叶葱教授及其团队长期致力于高K栅介质薄膜的可控生长及阻变存储器......
一文了解新型存储技术(2023-01-03)
的非易失特性。新型存储技术可主要分为相变存储器(PCM，Phase Change Memory)、磁变存储器（MRAM）、阻变存储器（RRAM/ReRAM）以及铁电存储器（FRAM/FeRAM......
一文了解新型存储技术(2023-01-04)
密度特性，并具有Flash的非易失特性。新型存储技术可主要分为相变存储器?(PCM，Phase Change Memory)、磁变存储器（MRAM）、阻变存储器（RRAM/ReRAM）以及铁电存储器（FRAM......
国内首条！昕原半导体28/22nm ReRAM 12寸芯片生产线推出(2022-02-17)
/新型存储器，如PCM（相变存储器）、FeRAM（铁电存储器）、MRAM(磁性存储器)及ReRAM(阻变存储器)逐渐受到市场的关注。而在四种新型存储器中，ReRAM在密度、工艺制程、成本......
台积电英飞凌强强联合，新型存储RRAM发展如何？(2022-12-02)
台积电英飞凌强强联合，新型存储RRAM发展如何？;存储器的发展取决于应用场景的变化，当下智能化时代的迅速发展对存储器提出了更高的要求，新型存储器迅速成长。目前新型存储器阻变存储器（Resistive......
台积电英飞凌强强联合，新型存储RRAM发展如何？(2022-12-04)
台积电英飞凌强强联合，新型存储RRAM发展如何？;器的发展取决于应用场景的变化，当下智能化时代的迅速发展对器提出了更高的要求，新型器迅速成长。目前新型存储器阻变存储器（Resistive......
150℃下可保存10年！杭州芯火壹号HX001阻变存储芯片发布(2021-12-23)
150℃下可保存10年！杭州芯火壹号HX001阻变存储芯片发布;12月17日，杭州国家“芯火”平台在杭州市滨江区海外高层次人才创新创业基地举行“杭州芯火壹号”HX001芯片鉴定暨产品发布会，正式......
国产相变存储器突破，打印机用芯片成本降低20%(2017-06-30)
就是利用特殊材料在晶态和非晶态之间进行可逆转变，实现信息的写入和擦除，通过电阻变化实现数据读出。相变存储器具有非挥发性（断电后储存的资料不会消失）、循环寿命长、写入速度快、稳定性好、功耗低等优点，被业界认为是下一代存储......
谁说MCU不用拼制程？(2024-03-25)
是截然不同的两条赛道。
目前，市场共有三种新型存储器已经开始用在MCU内——RRAM（阻变存储）、MRAM/STT-MRAM（磁性存储器）、PCM（PCRAM，相变存储器）。
当然做进MCU，它们......
新型存储技术迎制程突破(2024-06-05)
存储器容量小、易失性和高成本等问题，产品主要包含相变存储器（PCM）、阻变存储器（ReRAM）、磁阻存储器（MRAM）和纳米管RAM（NRAM）等。
除了三星之外，今年以来铠侠、字节跳动等公司也在新型存储......
嵌入式存储器的前世今生(2017-06-19)
)、阻变存储器(RRAM)。虽然说这些是新型存储器，但从某个角度看，这些存储器已经存在有一段日子了。
（1）铁电存储器（FRAM）
铁电存储器是一种掉电后信息不丢失的非易失存储器，具有高速、高密......
车载MCU，又要变天了(2024-03-05)
——RRAM（阻变存储）、MRAM/STT-MRAM（磁性存储器）、PCM（PCRAM，相变存储器）。
第一种是RRAM（阻变存储），英飞凌是在这条路线上的最大玩家。
2021年底......
车载MCU，又要变天了(2024-03-11 09:26)
，解决上述几个问题，并扩展MCU的制程继续向前发展，不断突破28nm、22nm乃至16nm。三种存储，三种流派目前，市场共有三种新型存储器已经开始用在MCU内——RRAM（阻变存储）、MRAM......
新型存储技术迎制程突破(2024-06-04)
闪存的持久存储能力，有望解决DRAM存储器容量小、易失性和高成本等问题，产品主要包含相变存储器（PCM）、阻变存储器（ReRAM）、磁阻存储器（MRAM）和纳米管RAM（NRAM）等。
除了......
北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片(2024-08-28 08:50)
北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片;日前，全球首颗采用嵌入式RRAM（Resistive Random Access Memory，阻变存储器）存储技术AMOLED显示......
北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片(2024-08-27)
北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片;日前，全球首颗采用嵌入式RRAM（Resistive Random Access Memory，阻变存储器）存储技术AMOLED显示......
MCU价格，再也回不到从前？(2024-09-23)
上不去制程。
而目前，市场共有三种新型存储器已经开始用在MCU内，并帮助MCU突破制程限制——eRRAM（阻变存储）、eMRAM/STT-MRAM（磁性存储器）、ePCM（PCRAM，相变存储器）。这些......
全球首款28nm嵌入式RRAM画质调节芯片正式量产(2024-09-09)
全球首款28nm嵌入式RRAM画质调节芯片正式量产;据北京亦庄消息，近日，由北京显芯科技有限公司（以下简称“显芯科技”）参与研制的全球首款28nm内嵌RRAM（阻变存储器）画质调节芯片在京量产，并成......
新型存储技术公司昕原半导体研发项目在临港奠基(2022-08-29)
制程、芯片设计、IP授权和中试量产为一体的新型存储技术公司。
今年2月，据杭州日报报道，昕原半导体主导建设的大陆首条28/22nm ReRAM（阻变存储器）12寸中......
TetraMem将高性能的存内运算与Andes晶心RISC-V向量处理器整合(2024-12-05)
曼架构无法满足专业计算加速的前所未有的需求。在众多竞争性替代方案中，最有前景的一种方案是模拟存内运算(In-Memory Computing, IMC)。释放多级阻变存储器(RRAM)的潜力，让这一承诺在今天比以往更加真实，硅谷......
中国相变存储器研究再突破，可望具备替代内存的潜力(2023-02-02)
中国相变存储器研究再突破，可望具备替代内存的潜力;作为下一代存储器的有力竞争者，相变存储器的速度决定了其应用领域，而相变存储器速度主要由相变材料的结晶速度（写速度）所决定。
研究表明，相变存储器......
中国相变存储器研究再突破，有望具备替代内存的潜力(2023-02-02)
中国相变存储器研究再突破，有望具备替代内存的潜力;当今，电脑系统采用层次化存储架构：缓存、内存和闪存。离CPU越近，对存储器存储速度需求越高，如内存的速度为纳秒级别，而缓存则需要皮秒级别。作为下一代存储器......
半导体行业产学研三界大咖齐聚，8月相约北大(2017-07-11)
主题：阻变存储器可靠性模型及表征
演讲嘉宾：
高滨，清华大学微电子所，助理教授，博士生导师
2008年获得北京大学物理学学士学位，2013年获......
比主流产品功耗低1000倍，全球最低功耗相变存储器研制成功(2022-01-20)
比主流产品功耗低1000倍，全球最低功耗相变存储器研制成功;近日，华中科技大学集成电路学院网站发文称，学院团队研制出了全世界功耗最低的相变存储器。
在新型存储器中，相变存储器（PCM）是与......
中国大陆存储器行业方兴未艾？(2021-11-09)
华晶采用2.5微米工艺制造出中国大陆第一块256K DRAM。
2003年，中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队率先在国内开展相变存储器（PCM）的研发。2004年，中国科学院微电子研究所刘明院士团队率先开展阻变存储器......
中国半导体芯片研发再获两大重要突破：世界首创和全球首款(2024-09-10)
国内科研院所研制的全球首款28nm内嵌RRAM（阻变存储器）画质调节芯片在北京正式量产，并成功应用于国内头部客户的Mini LED（次毫米发光二极管）高端系列电视中。
显芯科技总经理、创始......
清华大学团队类脑芯片研究取得大突破(2017-05-17)
利大学的蔡少棠（Leon Chua）教授理论上计算推出了第四类基本电子元器件——忆阻器（阻变存储器）的存在； 2008年，惠普公司在《Nature》上报道了实验证实忆阻器存在的工作，在国际上引起巨大轰动。忆阻器不仅可以被看做下一代存储器......
泰克参加【第四届半导体青年学术会议】，助力半导体与集成电路行业技术发展和革新(2023-05-08)
应信息处理系统，它通常是由新型高速非易失存储 器组成的阵列构成，新一代高速存储 器包括阻变存储器、相变存储器、铁电存储器等两端器件和半浮栅晶体管，电解质栅晶体管等三端器件。神经元网络阵列维数越高，拓扑越复杂，所需......
泰克参加【第四届半导体青年学术会议】，助力半导体与集成电路行业技术发展和革新(2023-05-06)
计算的基础是人工神经元网络。人工神经元网络是由大量处理单元互联组成的非线性、自适应信息处理系统，它通常是由新型高速非易失存储器组成的阵列构成，新一代高速存储器包括阻变存储器、相变存储器、铁电存储器等两端器件和半浮栅晶体管，电解......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求FeRAM发力智能物联时代增量市场(2023-01-09)
潜力巨大。
图1：全球存储器市场规模及增速（资料来源：YOLE）
业界将相变存储器、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM以独特性能发力智能物联时代增量市场(2023-01-09)
、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile RAM），普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其中FeRAM是一种理想的存储器，在计......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM发力智能物联时代增量市(2023-01-13)
、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile RAM），普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其中FeRAM是一种理想的存储器，在计......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM以独特性能发力智能物联时代增量市场(2023-01-09 10:36)
、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile RAM），普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其中FeRAM是一种理想的存储器，在计......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM以独特性能发力智能物联时代增量市场(2023-01-09)
、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile RAM），普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其中FeRAM是一种理想的存储器，在计......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM以独特性能发力智能物联(2023-01-09)
、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile RAM），普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其中FeRAM是一种理想的存储器，在计......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM以独特性能发力智能物联时代增量市场(2023-01-09)
来源：YOLE)
业界将相变存储器、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器(non-volatile RAM)，普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其......
泰克参加【第四届半导体青年学术会议】，助力半导体与集成电路行业技术发展和革新(2023-05-06)
应信息处理系统，它通常是由新型高速非易失存储 器组成的阵列构成，新一代高速存储 器包括阻变存储器、相变存储器、铁电存储器等两端器件和半浮栅晶体管，电解质栅晶体管等三端器件。
神经元网络阵列维数越高，拓扑......
AI计算时代,25年工龄的RRAM渐入佳境(2023-02-14)
研究员为主导的团队，首次设计实现了基于三维垂直结构阻变存储器的存算一体宏单元芯片，实验表明三维阻变存储器不但可以完整的实现存算一体技术，同时证明了其在低功耗以及高算力、高密度方面的优势。
其次是在产界，芯片......
昕原半导体28nm制程ReRAM产品进入工控领域！(2022-06-15)
℃）。
今年初，由昕原半导体主导建设的大陆首条28/22nm ReRAM（阻变存储器）12寸中试后道生产线顺利完成了自主研发设备的装机验收工作，实现了中试线工艺流程的通线。在此基础上，实现......
科学家提出一种单质新原理开关器件，为研发海量三维存储芯片提供新方案(2021-12-14)
——内存和闪存，不能兼具高速与高密度特性，难以满足指数型增长的数据存储需要，急需发展下一代海量高速存储技术。三维相变存储器是目前成熟的新型存储技术，其核心是两端开关单元和存储单元，然而，商用......
PRAM的复兴，会成为存储领域的一匹黑马吗？(2016-11-21)
产品。
先进存储技术一直是一个热门话题，受海量数据应用的驱动，我们对存储器的要求越来越高，希望能够以更小的功耗和面积代价，实现更大容量的存储。市场上存在着几种竞争技术，其中一种是阻变存储器......
泰克参加【全国半导体物理学术会议】，助力半导体物理的技术发展和革新(2023-07-18)
组成的阵列构成，新一代高速存储器包括阻变存储器、相变存储器、铁电存储器等两端器件和半浮栅晶体管，电解质栅晶体管等三端器件。
神经元网络阵列维数越高，拓扑越复杂，所需......
主控芯片厂商领衔，2021年存储领域投融资情况概览(2022-01-13)
研发与量产，突破10纳米DRAM部分关键技术。
上海相关措施则指出，将重点支持包括高端芯片，面向AI，5G射频、功率芯片、相变存储器（PCRAM）、阻变存储器（RRAM）等上......
人工智能技术将成为其他产业高质量发展的催化剂(2022-12-10)
预处理和后处理是在相同的处理元素上执行的。
人工智能内存中的计算芯片
十多年来，像黃汉森这样的研究人员一直致力于建立阻变式存储器技术，使其能够可靠地处理高功率的计算任务。大约在2015年，计算......
意法半导体公布多应用、确定性车规级MCU的功能细节，最大限度提高下一代域／区域架构的安全(2020-11-02)
安全硬件虚拟化
· 不同于现有的基于Linux / Posix的集成平台解决方案，新方案可以集成使用不同工具按不同软件调度机制开发的多个应用软件
· 非易失性相变存储器（PCM）支持功能安全性，提供......
泰克参加【全国半导体物理学术会议】，助力半导体物理的技术发展和革新(2023-07-18)
计算的基础是人工神经元网络。 人工神经元网络是由大量处理单元互联组成的非线性、自适应信息处理系统，它通常是由新型高速非易失存储 器组成的阵列构成，新一代高速存储 器包括阻变存储器、相变存储器、铁电存储器......
这种新型存储，国内要爆发了？(2023-10-16)
家和业界一直都想换掉你电脑里的内存和硬盘，因为它们并非完美的技术，要么断电丢失数据，要么存得比较慢。 为此，新型存储便横空出世。新型存储器主要包括4种：阻变存储器（ReRAM/RRAM），相变存储器（PCM），铁电存储器......
国外十分重视在人工智能领域的发展和应用！(2022-12-10)
提供了支柱。通常，在数字存储器中，高电压状态对应于1，而低电压对应于0。
为了让阻变式存储器切换状态，需要在连接到金属氧化物两端的金属电极上施加一个电压。通常......
Chip中国芯片科学十大进展公布(2024-09-04)
芯片的混合域多项式加速器
北京大学黄如院士、蔡一茂教授团队首次提出基于阻变存算阵列的混合域三元乘法加速计算策略，高效匹配了霍纳多项式加速算法。团队基于标准40 nm CMOS平台研制了基于阻变存储器的多核高阶多项式矩阵-向量......
新型存储RRAM传来新进展！(2024-09-06)
芯片和接口技术的科技创新型企业，致力于开发阻变式存储器（RRAM）和接口技术，将把下一代内存技术推向市场。
上述提及的RRAM，英文全称为Resistive Random......
相关企业
;深圳市琴芯电子有限公司;;联系QQ:2303721985;半导体 无线和射频半导体 PIN 二极管 无线和射频集成电路 射频晶体管 分立半导体 二极管与整流器 分立半导体模块 晶体管 晶闸管 存储器
;深圳市英尚微电子有限公司;;我司是韩国EMLSI和美国Everspin半导体中国区指定代理. 公司主要产品有： 1,Low power SRAM （低功耗静态随机存储器）1Mbit~8Mbit
;上海英芯电子科技有限公司;;英尚国际有限公司(Ramsun International Limited),是一家专业从 事随机存储器、程序存储器芯片市场推广及销售；公司拥有较为专业的市 场服
;新生活科技有限公司;;代理美国Microsemi存储器（WEDC）、继电器、压力传感器、Sullins连接器、台湾巨景CHIPSIP存储器
;存储器;;
IC（MTK.高通.字库.CPU.FLASH.中频.功放.电源.蓝牙等）、电脑IC（南北桥.声卡显卡网卡.内存.CPU）、以及其它各类冷门IC、各种存储器(RAM随机存储器、SRAM静态随机存储器
经营的种类有：汽车IC、通讯IC、手机IC（MTK.高通.字库.CPU.FLASH.中频.功放.电源.蓝牙等）、电脑IC（南北桥.声卡显卡网卡.内存.CPU）、以及其它各类冷门IC、各种存储器(RAM
;鑫焱;;我司是以世界知名品牌的电子元器件及IC集成电路做销售,..产品广泛为单片机/编程/储存器IC/通讯/等.长期提供单片机常用的存储器电路,一般为EPROM存储器(全
;沈平安;;存储器专营
;飞思瑞克科技有限公司;;专业致力于存储器IC的研发、生产和销售。多年来，通过团队共同努力和执著的追求，我们已成为生产非易失性存储器产品EEPROM芯片（24CXX 系列和93CXX 系列）的先