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研发客服近日，华中科技大学集成电路学院网站发文称，学院团队研制出了全世界功耗最低的相变存储器。
在新型存储器中，相变存储器（PCM）是与CMOS工艺最兼容，技术最成熟的存储技术。2015年，Intel和Micron推出了傲腾三维相变存储芯片，速度和寿命比固态闪存硬盘要快一千倍，其三维堆叠技术也使容量高出了十倍。
△Source：华中科技大学官网截图
不过，相变存储器的功耗极高且发热严重，限制了存储容量的进一步提高，也大大增加了其制造成本。目前最先进的几十纳米制程的单个相变存储单元擦写功耗达到了40pJ左右，而实验室制备的百纳米大小的器件功耗达到1000pJ以上。
为了解决相变存储器中高功耗的瓶颈问题，华中科技大学集成电路学院信息存储材料及器件研究所（ISMD）联合西安交通大学材料创新设计中心（CAID）研发了一种网状非晶结构的相变存储器，功耗达到了0.05pJ以下，比主流产品功耗低了一千倍。
据华中科技大学介绍，与普通“蘑菇结构”的相变存储器相比，该相变存储器除了低功耗以外，还拥有一致性好且寿命长的优点。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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