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案例分享：二极管反向恢复电流如何测试？(2024-10-12 11:16:43)
案例分享：二极管反向恢复电流如何测试？;
最近在网上有看到测试二极管反向恢复时间的例子，大家可以看一下，加深印象。
从中......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复时间......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23 15:21)
二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响，可在+175 °C高温......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复时间......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-29)
性能，所采用新的优化工艺提高了 MOSFET 的整体鲁棒性。体二极管的低反向恢复电荷 (Qrr) 和快速恢复时间 (trr) 使MDmesh DM9 AG系列......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-28)
性能，所采用新的优化工艺提高了 MOSFET 的整体鲁棒性。体二极管的低反向恢复电荷 (Qrr) 和快速恢复时间 (trr) 使MDmesh DM9 AG系列......
RS瑞森半导体低压MOS-SGT在电动车控制器上的应用(2023-04-03)
) 方面，能抵抗高浪涌电流冲击;
4、在MOS管导通损耗方面，具有更低导通损耗，可节省电能;
5、在MOS管体二极管的反向恢复时间Trr方面，具有更低反向恢复损耗；产品性能有效提高了续航里程，节能......
解析LLC谐振半桥变换器的失效模式(2024-04-26)
电流非常高，致使当高端开关Q1导通时足够引起直通问题。启动状态下，在体二极管反向恢复时，非常可能发生功率MOSFET的潜在失效。图5给出了LLC谐振半桥变换器启动时的简化波形。
图6给出......
同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”(2023-03-30 15:01)
同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”;有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量，并降......
ROHM推出600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”(2023-03-30)
ROHM推出600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”;同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的
600V耐压Super Junction MOSFET......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
电流最大值为90A，开启延迟典型值为6.5nS，关断延迟时间典型值为30nS，上升时间17nS，下降时间17nS，反向传输电容350pF，反向恢复时间35nS，正向电压的最大值1.2V，导通......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-29 14:35)
用新的优化工艺提高了 MOSFET 的整体鲁棒性。体二极管的低反向恢复电荷 (Qrr) 和快速恢复时间 (trr) 使MDmesh DM9 AG系列非常适对能效要求很高的相移零压开关拓扑。该系......
同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的600V耐压Super Junct(2023-03-30)
同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的600V耐压Super Junct;全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）在其600V耐压*1 “PrestoMOS™”产品阵容中，又新......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展(2024-03-22)
了碳化硅MOSFET在工作频率和效率方面的巨大优势。
碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。对于相同额定电流为900V的器件，碳化硅MOSFET寄生二极管的反向......
东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢(2023-03-30)
）
- 业界领先的[2]低反向恢复电荷：Qrr＝34nC（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）
- 业界领先的[2]快速反向恢复时间：trr＝40ns（典型值）（-dIDR/dt＝100A......
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率(2024-02-22)
“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日开始支持批量出货。
新产品采用高速二极管，旨在改善桥式电路和逆变电路应用中至关重要的反向恢复[2]特性。与标准型DTMOSVI相比，新产品将反向恢复时间......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-30)
和关断损耗更低。
此外，新产品还提高了体二极管反向恢复性能，所采用新的优化工艺提高了 MOSFET 的整体鲁棒性。体二极管的低反向恢复电荷 (Qrr) 和快速恢复时间 (trr) 使MDmesh DM9 AG......
东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率(2023-03-30 14:06)
值）（VGS＝10V）- 业界领先的[2]低反向恢复电荷：Qrr＝34nC（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）- 业界领先的[2]快速反向恢复时间：trr＝40ns（典型值）（-dIDR......
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效(2023-10-24)
的拓扑结构为LLC谐振，如下图所示：
SiC二极管在LLC电路的应用
在上述PFC电路和LLC电路中，二极管的导通损耗和开关损耗越小、反向漏电流和反向恢复时间越小，开关频率就可以做到更高。反向耐压越高，工作......
封装的600V耐压Super Junction MOSFET
～产品阵容新增具有低噪声、高速开关和超短反向恢复时间特点的5款新产品～
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出采用SOT......
基于STM32G474RBT6 MCU的数字控制3KW通信电源方案(2023-09-11)
--输出电容
18--MCU控制小板
►场景应用图
►展示板照片
►方案方块图
►核心技术优势
• 采用ST SIC MOS（宽禁带）， 高温低阻，低开关损耗，低体二极管反向恢复......
泰克推出基于示波器的双脉冲测试解决方案，加快SiC和GaN技术验证速度(2023-05-31)
多种业界领先的测量功能，如自动校正WBG时延技术、反向恢复定时绘图，工程师可以更简便地查看叠加一个画面上的多个脉冲的反向恢复细节。这些测量功能还满足JEDEC和IEC双脉冲测试和二级管反向恢复......
东芝推出具备650 V N沟道功率MOSFET，扩大功率MOSFET的产品线(2024-08-12)
[2]特性。与东芝现有的标准型DTMOSVI产品TK090A65Z相比，新产品TK095A65Z5的反向恢复时间（trr）缩短了约65%[3]，反向恢复电荷（Qrr）减少......
东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性(2023-03-30)
领先的[2]低反向恢复电荷：Qrr＝34nC（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）
- 业界领先的[2]快速反向恢复时间：trr＝40ns（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）
- 高额......
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率(2024-02-26)
“TK095N65Z5”，于今日开始支持批量出货。
新产品采用高速二极管，旨在改善桥式电路和逆变电路应用中至关重要的反向恢复[2]特性。与标准型DTMOSVI相比，新产品将反向恢复时间（trr......
泰克推出基于示波器的双脉冲测试解决方案，加快SiC和GaN技术验证速度(2023-05-31 16:19)
动校正WBG时延技术、反向恢复定时绘图，工程师可以更简便地查看叠加一个画面上的多个脉冲的反向恢复细节。这些测量功能还满足JEDEC和IEC双脉冲测试和二级管反向恢复标准。泰克......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
出现问题。
与 mos 管 自身的性能相比，mos 管 体二极管通常具有较长的反向恢复时间。
如果一个 mos 管 的体二极管在对立器件开启时导通，则类......
ROHM推出600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”(2023-03-30)
产品，新产品通过优化结构而同时实现了业内出色的低噪声特性和业内超快的反向恢复时间。
新产品不仅继承了PrestoMOS™的特点——超快反向恢复时间（trr*2）特性，同时......
东芝推出150V N沟道功率MOSFET，有助于提高电源效率(2023-03-30)
(ON)＝9.0mΩ（最大值）（VGS＝10V）
- 业界领先的[2]低反向恢复电荷：Qrr＝34nC（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）
- 业界领先的[2]快速反向恢复时间......
泰克推出基于示波器的双脉冲测试解决方案，加快SiC和GaN技术验证速度(2023-05-31)
时延技术、反向恢复定时绘图，工程师可以更简便地查看叠加一个画面上的多个脉冲的反向恢复细节。这些测量功能还满足JEDEC和IEC双脉冲测试和二级管反向恢复标准。
泰克......
专业与性能并行：顾邦半导体 GBS60020，为高功率应用量身定制！(2024-11-13)
体二极管
体二极管反向恢复速度极快（Trr=190ns），恢复电荷低至1.72uC，同时具备较低的峰值反向恢复电流（Irrm=18A），减少系统损耗，适合......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
继续放电直至零。
八、因二极管反向恢复引起的MOSFET开关波形
(1)实验......
Vishay 推出推出四款采用eSMP® 系列SMF（DO-219AB）封装的汽车级器件(2024-11-26)
器针对工业和汽车应用进行了优化，在同类器件中，不仅在反向恢复电荷（Qrr）和正向压降之间实现了权衡，还提供了更低的结电容和更短恢复时间......
RS瑞森半导体-大功率开关电源的应用(2022-12-19)
幅度减小开关损耗的同时还可以有更高的功率密度，可广泛应用于服务器电源、大功率电源上。
瑞森半导体提供的BV为600V、 650V的超结MOS同时带有FRD完全可用于谐振电路上,具有高速快恢复二极管（FRD），短的反向恢复时间......
开关电源整流滤波电路和钳位保护电路设计(2024-06-03)
二极管(如FR106)组成整流桥，FRl06的反向恢复时间trr≈250ns。
2)整流桥的参数选择
隔离式一般采用由整流管构成的整流桥，亦可直接选用成品整流桥，完成桥式整流。全波......
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET(2024-02-23)
[2]特性。与标准型DTMOSVI相比，新产品将反向恢复时间（trr）缩短了65 %，并将反向恢复电荷（Qrr）减少88 %（测试条件：-dIDR/dt＝100 A/μs......
Vishay推出第7代1200 V FRED Pt Hyperfast恢复整流器(2023-01-18)
-E7MH0112HM3。这两款1 A整流器采用SMA（DO-214AC）封装，反向恢复电荷（Qrr）和正向压降达到同类器件先进水平。Vishay Semiconductors VSE7MH0112-M3......
兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源(2023-08-16)
显示屏体正常显示。肖特基二极管整流器因具有极快的开关速度、超低的正向电压降、极低的反向恢复时间、低泄漏和高结温能力而深受设计师们的喜爱。本文介绍了基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D02065E在LED显示......
Vishay推出两款采用SMA(DO-214AC)封装的新型第7代1200 V(2023-01-18)
Hyperfast---VS—E7MH0112-M3和VS-E7MH0112HM3。这两款1 A整流器采用SMA（DO-214AC）封装，反向恢复电荷（Qrr）和正......
变频器中的器件选取(2023-08-25)
根据负载情况确定电流容量，反向耐压需要一定的余量。常用的整流二极管有：
①ES系列
ES1A～ES1M贴片封装，额定电流1A，反向耐压50～1000V，反向恢复时间为15～100ns。
ES2A～ES2M......
E7MH0112-M3和VS-E7MH0112HM3。这两款1 A整流器采用SMA（DO-214AC）封装，反向恢复电荷（Qrr）和正向压降达到同类器件先进水平。Vishay Semiconductors......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
与规格书上的数值也存在很大偏差。
反向恢复波形包括端电压VF、端电流IF。基于得到的反向恢复波形，可以获得的反向恢复特性的参数包括：反向恢复时间、反向恢复电流、反向恢复电荷、反向恢复能量。与开......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
就是为什么在不同的测试平台上测得的结果差异很大，往往与规格书上的数值也存在很大偏差。
反向恢复波形包括端电压VF、端电流IF。基于得到的反向恢复波形，可以获得的反向恢复特性的参数包括：反向恢复时间、反向恢复......
二极管选型指南(2024-04-08)
。
8
反向恢复时间Trr
当正向工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。
9
最大功率P......
大联大友尚推出基于ST产品的数字控制3KW通信电源方案(2022-11-15)
的峰值效率可高达96.3%。
核心技术优势：
● 采用ST SiC MOS（宽禁带第三代半导体），具有高温低阻、低开关损耗、低体二极管反向恢复......
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调(2023-10-26)
要求次级侧整流二极管满足100kHz以上高频脉冲的整流，对整流二极管的反向恢复时间、电流有很高的性能要求。
基本半导体的高性能碳化硅肖特基二极管，可以实现高频整流，开关损耗非常低。下面以一个常用的40A/1200V的碳......
损耗（Eoss） 较CFD7和P7降低了 12%，反向恢复电荷（Qrr）较CFD7降低了3%。此外，这些器件的反向恢复时间（trr）更短，热性能较上一代产品提高了14%至42%。
凭借这些特性，该系......
自动执行宽禁带SiC/GaN器件的双脉冲测试(2023-09-05)
解其对总损耗的贡献。
(DPT) 是测量宽带隙 (WBG) 器件的开关和二极管反向恢复参数的首选方法。这种高效的测试方法可以收集关键测量结果，从而高效地验证和优化电源转换器的设计。文中......
自动执行宽禁带 SiC/GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-05)
电荷：对反向恢复电荷行为进行量化，以了解其对总损耗的贡献。
双脉冲测试 (DPT) 是测量宽带隙 (WBG) 器件的开关和二极管反向恢复参数的首选方法。这种......
Hyperfast恢复整流器---VS‑E7MH0112-M3和VS-E7MH0112HM3。这两款1 A整流器采用SMA（DO-214AC）封装，反向恢复电荷（Qrr）和正向压降达到同类器件先进水平。Vishay......
相关企业
;日英电子（上海）有限公司;;NIEC日本英达电子的快恢复二极管具有软开关功能.在波形上没有形成大的振荡,减少了自身的功率损耗,对PFC电路上特别重要,反向恢复时间极短.对EMI也很有帮助.参数
损耗,提高EMI正常在5％个DB左右.具有很低的Vf电压. GaN产品,GaN的二极管具有0反向恢复时间.是代替SIC产品的理想材料,且价格比SIC低许多.适合高频工作.可达800KHZ. 模块
现场的咨询需求，提供在整流器特性方面数据支持，比如：反向能量和正向浪涌的动态特征，高温特征，反向恢复时间特征。以帮助客户实现线路设计和性能的优化。
快捷。 长期供应2CL系列高压二极管电压范围从4千伏到20千伏；电流范围从5毫安到450毫安；反向恢复时间小于100毫微秒;2CLZ系列高压二极管整流组件电压范围从30千伏到200千伏；电流范围从0.1安到2安
;爱尔泰（香港）有限公司;;我司是KEC一级代理、JK一级代理，BYD一级代理，昂宝On-Bright一级代理，专业销售KEC的MOS管，BYD高压MOS管，JK自恢复保险丝，昂宝IC以及
;深圳市台新微电子有限公司;;订货全系列三极管、MOS场效应管、可控硅、肖特基、快恢复 TO-252 TO-220 TO-263 SOT223
压保护用半导体芯片、电热膜、电热带、电热板等十几个系列产品。其中热敏电阻的年生产量超过三亿只，该系列产品具有安全性高、可自动恢复、耐强电流特性好、恢复时间短及体积小等优点。产品根据不同的额定工作电压（6V
管理体系认证。 公司主要生产的系列可恢复保险丝。产品具有安全性高、可自动恢复、耐电压能力高、耐强电流特性强、恢复时间短及体积小等优点。产品根据不同的额定电压（6v--600V）、额定电流（20mA--14A）共分
;深圳市福田区新亚洲电子市场高翔电子经营部销售三部;;二三极管 IC MOS管 可控硅 达林顿 肖特基 快恢复
;深圳市福田区标智微电子商行;;经营范围：SMD二三极管，DIP三极管！种类齐全，MOS场效应，可控硅，三端稳压，达林顿，肖特基，快恢复，电源IC.