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问题等。这种方法比较适合需要较小的负载电流的设备，比如LED灯。我们要讲的是阻容降压电源，为了便于大家理解我们先讲电阻降压，限于篇幅，本文先讲解电阻降压电路的计算。 阻容降压电阻降压器电阻降......
电动机绝缘电阻降低的原因有哪些？应如何提高？;电动机绝缘电阻的降低可能有多种原因，包括环境因素、材料老化、机械损伤、温度过高、潮湿等。要提高电动机的绝缘电阻，可以从以下几个方面入手进行改善。1......
相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此，新产品可提供业界最低[3]功耗。 东芝......
系列电阻降低了与PCB板的热膨胀系数差（CTE），从而能降低焊点的应力，能够实现比尺寸较大的厚膜电阻更高的可靠性。 RCWH的阻值为0.01Ω～0.976Ω，公差为±0.5%，TCR低至......
电压部分调修主要在整流元件上，如整流元件击穿、破坏、反向电阻降低等。更换时，选择接近原来特性的管子。同样，凡是与直流电流、直流电压有关的不能重调。 电阻部分：电池不足则更换。接触点有锈蚀就清洁，必要使用细砂纸轻轻打磨，并薄......
电压部分调修主要在整流元件上，如整流元件击穿、破坏、反向电阻降低等。更换时，选择接近原来特性的管子。同样，凡是与直流电流、直流电压有关的不能重调。 电阻部分：电池不足则更换。接触点有锈蚀就清洁，必要......
转移开关活动触点，脱焊或虚焊的重新焊接。更多电工知识尽在中国电工网学习园地。 交流电压局部：交流电压局部调修主要在整流元件上，如整流元件击穿、破坏、反向电阻降低等。更换时，选择接近原来特性的管子。同样，凡是......
代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60......
系统设计。产品进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，对比第一代产品的比导通电阻降低约25%，并显著降低开关损耗，提升系统效率。同时产品依然保持高可靠性与强鲁棒性，在AEC-Q101车规可靠性认证、短路......
电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，可提升应用兼容性，简化应用系统设计。在产品结构上，第二代SiC MOSFET进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降......
，于今日开始批量出货。    通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13......
窄间隙中实现无空洞的间隙填充。通过这一解决方案，通孔接触界面的电阻降低了50%，芯片性能和功率得以改善，逻辑微缩也得以继续至3纳米及以下节点。 应用材料表示，这种独特的整合解决方案旨在帮助客户改善性能、功率......
产品，相比于上一代产品，第三代产品特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升10%以上，同时具有更优的EMI特性，可以满足客户更高能效、更高可靠性的需求，产品......
什么是兆欧表?兆欧表的功能和使用注意事项;当受热和受潮时，绝缘材料老化，造成绝缘电阻降低，从而导致电器设备漏电或短路事故的发生。为了避免事故发生，就要求经常测量各种电器设备的绝缘电阻。判断......
封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业......
芦吊机电路 9. 单相漏电开关电路 10. 单相电机接线图 11. 带点动的正反转起动电路 12. 红外防盗报警器 13. 双电容单相电机接线图 14. 自动循环往复控制线路 15. 定子电路串电阻降......
宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 碳化硅（）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。本文......
一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降低约25%，并显著降低开关损耗，提升系统效率。 同时，第二代SiC MOSFET产品依然保持高可靠性与强鲁棒性，在AEC-Q101车规可靠性认证、短路......
更是惊人地翻了一番。 低温环境带来了两大优势：更低的电荷载子散射和更低的功耗。散射减少意味着电阻降低，电子在器件中的移动更加顺畅；而功耗的下降，则可以让器件在相同电压下驱动更大的电流。此外，液氮......
环境带来了两大优势：更低的电荷载子散射和更低的功耗。散射减少意味着电阻降低，电子在器件中的移动更加顺畅；而功耗的下降，则可以让器件在相同电压下驱动更大的电流。此外，液氮冷却还提高了晶体管的开 / 关灵敏度，只需......
绕线转子异步电动机控制线路图解析;1.手动顺序控制线路图 图1 2.正反转行程控制线路 图2 3.手动星角降压起动控制线路 图3 4.定子串接电阻降压起动控制线路 图4 5.定子......
晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品......
(W)封装相比，封装电阻下降大约30%，从而将XPQR3004PB的漏极额定电流（DC）提高到400A，高出当前产品1.6倍[2]。厚铜框的使用使XPQR3004PB内的沟道到外壳热阻降......
Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装......
，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET......
品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。另外，通过......
沟道功率---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。本文引用地址： 近年来，随着社会对电动汽车需求的增长，产业......
业内先进水平。 日前发布的器件占位面积与PowerPAK 1212-8S封装相同，导通电阻降低18%，提高了功率密度，同时源极倒装技术将热阻从63°C/W降至56......
碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。 Qorvo......
和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。另外，通过改进栅极结构，Qgd*3（栅-漏电荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系）也比......
日开始批量出货。 通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降......
，如图6所示。图6. 在最初电路中使用两个并联电阻(R4和R5)，与图1和图2相比，带宽增大100倍 使用并联电阻降低电路阻抗 图6中的电路在图1基础上增加了并联电阻(注意，使用......
将减小近50%，功率损耗更小，电力转换效率更高，峰值效率高达97%！ 图2 上下管的导通电阻降低 02     第一，MPQ4371采用ZDP控制方法，相比传统的PCM控制方法，其动态响应纹波减小3倍......
的共源共栅配置，最大限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功......
对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%，漏源导通电阻×栅漏电荷（MOSFET......
感器由氧化铝微管内的二氧化锡敏感层、测量电极和管状铝壳内的加热元件组成。传感器的前端用不锈钢网覆盖，背面固定连接端子。 呼吸中存在的乙醇在通过加热元件时被氧化成乙酸。这种乙醇落在二氧化锡传感层上，因此其电阻降低。使用外部负载电阻器将这种电阻......
方格设计将嵌入式SBD固定在体二极管附近能够有效限制寄生二极管的双极传导，而反向传导的单极电流限制是由相同SBD面积消耗的电流条状SBD图案设计实现的单极电流限制的两倍。在2.7mΩ・cm2条件下，导通电阻降低约20......
设计实现的单极电流限制的两倍。在2.7mΩ・cm2条件下，导通电阻降低约20%。 如果要在电机驱动应用的逆变器中使用SiC MOSFET，这种经证实的取舍改进将至关重要。东芝......
（根据公式2演算得出）。但是，如果负载电阻降低（即：输出电流增高），或者电感的DCR (RL)增高（即：电感尺寸减小），将会无法实现要求的电压增益。 图3显示负载电阻和电感电阻的比值为300时的......
可能实现的电压增益 在该示例中，图2显示电压增益可能达到约12.5（根据公式2演算得出）。但是，如果负载电阻降低（即：输出电流增高），或者电感的DCR (RL)增高（即：电感尺寸减小），将会无法实现要求的电压增益。 图......
Type-C和多电源切换应用。 与上一代解决方案相比，负载开关导通电阻降低43%，这意味着在相同电流水平条件下，电流量提高32%或具有更高效率。78 mW SiP32433A/B电流......
代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。 ●   更低器件开关损耗 第二......
+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。与普通的双MOSFET相比，导通电阻降低达56%，非常有助于进一步降低应用设备的功耗。另外，通过将两枚芯片一体化封装，可以......
艺和背面散热封装，实现了业界超低的导通电阻（Ron）*3（Nch+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。与普通的双MOSFET相比，导通电阻降低达56%，非常......
主动反向电流阻断，适用于USB Type-C和多电源切换应用。 与上一代解决方案相比，负载开关导通电阻降低43%，这意味着在相同电流水平条件下，电流量提高32%或具有更高效率。78 m SiP32433A/B电流......
多个新的产品系列，现已覆盖30-150V、650V。以Bi-GaN为例，一颗Bi-GaN就能替代共漏连接的背靠背两颗NMOS，实现电池的充电和放电电流的双向开关，使相同占板面积下的导通电阻降低50%，温升......
的功能包括： ●   内置MOS管，导通电阻降低； ●   支持更大电压，最大3.0A电流，适用于更高领域的3D打印工作，及更......
研团队通过增强半金属与二维半导体界面的轨道杂化，将单层二维半导体MoS2的接触电阻降低至42Ω·μm，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限，该成......
、HSMT8:57.0mΩ）。与普通的双MOSFET相比，导通电阻降低达56%，非常有助于进一步降低应用设备的功耗。另外，通过将两枚芯片一体化封装，可以减少安装面积，有助于应用设备进一步节省空间。例如......
” Fc 是增益为 0dB 时的频率，Fc 小，则电阻降低，Fc 大，则电阻增加。相位裕量和负载响应能力有折衷倾向。与其通过降低 FC 来确保相位裕量的难度，不如调整响应，反之亦然，可以......

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