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问题等。这种方法比较适合需要较小的负载电流的设备，比如LED灯。我们要讲的是阻容降压电源，为了便于大家理解我们先讲电阻降压，限于篇幅，本文先讲解电阻降压电路的计算。 阻容降压电阻降压器电阻降......
电动机绝缘电阻降低的原因有哪些？应如何提高？;电动机绝缘电阻的降低可能有多种原因，包括环境因素、材料老化、机械损伤、温度过高、潮湿等。要提高电动机的绝缘电阻，可以从以下几个方面入手进行改善。1......
电动机的顺序启动、逆序停止 （I/O分配表、PLC接线图、梯形图程序） 4 电动机延时启动、停止控制 （I/O分配表、PLC接线图、梯形图程序） 5 笼型感应电动机定子绕组从串电阻降......
相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此，新产品可提供业界最低[3]功耗。 东芝......
系列电阻降低了与PCB板的热膨胀系数差（CTE），从而能降低焊点的应力，能够实现比尺寸较大的厚膜电阻更高的可靠性。 RCWH的阻值为0.01Ω～0.976Ω，公差为±0.5%，TCR低至......
电压部分调修主要在整流元件上，如整流元件击穿、破坏、反向电阻降低等。更换时，选择接近原来特性的管子。同样，凡是与直流电流、直流电压有关的不能重调。 电阻部分：电池不足则更换。接触点有锈蚀就清洁，必要使用细砂纸轻轻打磨，并薄......
转移开关活动触点，脱焊或虚焊的重新焊接。更多电工知识尽在中国电工网学习园地。 交流电压局部：交流电压局部调修主要在整流元件上，如整流元件击穿、破坏、反向电阻降低等。更换时，选择接近原来特性的管子。同样，凡是......
电压部分调修主要在整流元件上，如整流元件击穿、破坏、反向电阻降低等。更换时，选择接近原来特性的管子。同样，凡是与直流电流、直流电压有关的不能重调。 电阻部分：电池不足则更换。接触点有锈蚀就清洁，必要......
代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60......
系统设计。产品进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，对比第一代产品的比导通电阻降低约25%，并显著降低开关损耗，提升系统效率。同时产品依然保持高可靠性与强鲁棒性，在AEC-Q101车规可靠性认证、短路......
电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，可提升应用兼容性，简化应用系统设计。在产品结构上，第二代SiC MOSFET进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降......
窄间隙中实现无空洞的间隙填充。通过这一解决方案，通孔接触界面的电阻降低了50%，芯片性能和功率得以改善，逻辑微缩也得以继续至3纳米及以下节点。 应用材料表示，这种独特的整合解决方案旨在帮助客户改善性能、功率......
，于今日开始批量出货。    通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13......
产品，相比于上一代产品，第三代产品特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升10%以上，同时具有更优的EMI特性，可以满足客户更高能效、更高可靠性的需求，产品......
什么是兆欧表?兆欧表的功能和使用注意事项;当受热和受潮时，绝缘材料老化，造成绝缘电阻降低，从而导致电器设备漏电或短路事故的发生。为了避免事故发生，就要求经常测量各种电器设备的绝缘电阻。判断......
Siliconix SiRS5700DP的总导通电阻降低了68.3 %，导通电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用中MOSFET的关键品质因数（FOM）降低了15.4 %，RthJC降低了62.5 %，而连......
封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业......
芦吊机电路 9. 单相漏电开关电路 10. 单相电机接线图 11. 带点动的正反转起动电路 12. 红外防盗报警器 13. 双电容单相电机接线图 14. 自动循环往复控制线路 15. 定子电路串电阻降......
变电源有什么作用？ 欧姆定律可用于验证电路组件的静态值，电流水平，电源电压和电压降。例如，如果测试仪器检测到电流测量值高于正常水平，则可能意味着电阻降低或电压升高，从而导致出现高压情况。这可......
宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 碳化硅（）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。本文......
一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降低约25%，并显著降低开关损耗，提升系统效率。 同时，第二代SiC MOSFET产品依然保持高可靠性与强鲁棒性，在AEC-Q101车规可靠性认证、短路......
更是惊人地翻了一番。 低温环境带来了两大优势：更低的电荷载子散射和更低的功耗。散射减少意味着电阻降低，电子在器件中的移动更加顺畅；而功耗的下降，则可以让器件在相同电压下驱动更大的电流。此外，液氮......
环境带来了两大优势：更低的电荷载子散射和更低的功耗。散射减少意味着电阻降低，电子在器件中的移动更加顺畅；而功耗的下降，则可以让器件在相同电压下驱动更大的电流。此外，液氮冷却还提高了晶体管的开 / 关灵敏度，只需......
绕线转子异步电动机控制线路图解析;1.手动顺序控制线路图 图1 2.正反转行程控制线路 图2 3.手动星角降压起动控制线路 图3 4.定子串接电阻降压起动控制线路 图4 5.定子......
晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品......
(W)封装相比，封装电阻下降大约30%，从而将XPQR3004PB的漏极额定电流（DC）提高到400A，高出当前产品1.6倍[2]。厚铜框的使用使XPQR3004PB内的沟道到外壳热阻降......
Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装......
，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET......
降低启动和停用时的声频噪声。 SSM2315提供完全差分输入，可以出色地抑制输入端的共模噪声。如果直流输入共模电压约为VDD/2，则可以省去输入耦合电容。 该器件的默认增益为6 dB，用户可以利用一对外部电阻降低该增益（请参......
品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。另外，通过......
沟道功率---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。本文引用地址： 近年来，随着社会对电动汽车需求的增长，产业......
业内先进水平。 日前发布的器件占位面积与PowerPAK 1212-8S封装相同，导通电阻降低18%，提高了功率密度，同时源极倒装技术将热阻从63°C/W降至56......
碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。 Qorvo......
和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。另外，通过改进栅极结构，Qgd*3（栅-漏电荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系）也比......
日开始批量出货。 通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降......
值。控制器(70)配置包括绝缘电阻降检测模块(72),用于产生脉冲振荡信号，并基于波峰值检测电路(62)检测到的值判断绝缘电阻是否下降。共模电压变化请求模块(74)用于绝缘电阻对HVCPU(40......
将减小近50%，功率损耗更小，电力转换效率更高，峰值效率高达97%！ 图2 上下管的导通电阻降低 02     第一，MPQ4371采用ZDP控制方法，相比传统的PCM控制方法，其动态响应纹波减小3倍......
，如图6所示。图6. 在最初电路中使用两个并联电阻(R4和R5)，与图1和图2相比，带宽增大100倍 使用并联电阻降低电路阻抗 图6中的电路在图1基础上增加了并联电阻(注意，使用......
的共源共栅配置，最大限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功......
凌指出，这项创新将有助于大幅提高功率转换解决方案的能效、功率密度和可靠性，适用于AI数据中心，以及消费、电机控制和计算应用。 具体而言，与基于传统硅晶圆的解决方案相比，此次晶圆厚度减半可将基板电阻降......
对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%，漏源导通电阻×栅漏电荷（MOSFET......
感器由氧化铝微管内的二氧化锡敏感层、测量电极和管状铝壳内的加热元件组成。传感器的前端用不锈钢网覆盖，背面固定连接端子。 呼吸中存在的乙醇在通过加热元件时被氧化成乙酸。这种乙醇落在二氧化锡传感层上，因此其电阻降低。使用外部负载电阻器将这种电阻......
方格设计将嵌入式SBD固定在体二极管附近能够有效限制寄生二极管的双极传导，而反向传导的单极电流限制是由相同SBD面积消耗的电流条状SBD图案设计实现的单极电流限制的两倍。在2.7mΩ・cm2条件下，导通电阻降低约20......
Type-C和多电源切换应用。 与上一代解决方案相比，负载开关导通电阻降低43%，这意味着在相同电流水平条件下，电流量提高32%或具有更高效率。78 mW SiP32433A/B电流......
（根据公式2演算得出）。但是，如果负载电阻降低（即：输出电流增高），或者电感的DCR (RL)增高（即：电感尺寸减小），将会无法实现要求的电压增益。 图3显示负载电阻和电感电阻的比值为300时的......
可能实现的电压增益 在该示例中，图2显示电压增益可能达到约12.5（根据公式2演算得出）。但是，如果负载电阻降低（即：输出电流增高），或者电感的DCR (RL)增高（即：电感尺寸减小），将会无法实现要求的电压增益。 图......
设计实现的单极电流限制的两倍。在2.7mΩ・cm2条件下，导通电阻降低约20%。 如果要在电机驱动应用的逆变器中使用SiC MOSFET，这种经证实的取舍改进将至关重要。东芝......
代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。 ●   更低器件开关损耗 第二......
+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。与普通的双MOSFET相比，导通电阻降低达56%，非常有助于进一步降低应用设备的功耗。另外，通过将两枚芯片一体化封装，可以......
艺和背面散热封装，实现了业界超低的导通电阻（Ron）*3（Nch+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。与普通的双MOSFET相比，导通电阻降低达56%，非常......

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