电阻降价

问题等。这种方法比较适合需要较小的负载电流的设备,比如LED灯。我们要讲的是阻容降压电源,为了便于大家理解我们先讲电阻降压,限于篇幅,本文先讲解电阻降压电路的计算。 阻容降压电阻降压器电阻降

资讯

AC转DC电源电路低成本,这样计算

问题等。这种方法比较适合需要较小的负载电流的设备,比如LED灯。我们要讲的是阻容降压电源,为了便于大家理解我们先讲电阻降压,限于篇幅,本文先讲解电阻降压电路的计算。 阻容降压电阻降压器电阻降...

电动机绝缘电阻降低的原因有哪些?应如何提高?

电动机绝缘电阻降低的原因有哪些?应如何提高?;电动机绝缘电阻的降低可能有多种原因,包括环境因素、材料老化、机械损伤、温度过高、潮湿等。要提高电动机的绝缘电阻,可以从以下几个方面入手进行改善。1...

西门子控制系统plc编程之接线图

电动机的顺序启动、逆序停止 (I/O分配表、PLC接线图、梯形图程序) 4 电动机延时启动、停止控制 (I/O分配表、PLC接线图、梯形图程序) 5 笼型感应电动机定子绕组从串电阻降...

H9805-5电源管理芯片

验证了这个电路的工作电压范围是非常宽泛的。 ▲ 图1.2.2 输入电压与输出电压 这是在负载为 470欧姆下,输出电压波形。将负载降低到 250欧姆,可以看到输出中的占空比增加了。将负载电阻降低到 50欧姆,输出...

东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

相比,新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构,漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此,新产品可提供业界最低[3]功耗。 东芝...

台积电同电压下可将功耗降低24%~35%或将性能提高15%

压下保持稳定的良率和可靠性。 除了新晶体管外,台积电的 N2 还采用了全新的中段(MoL)、后端(BEOL)和远 BEOL 布线,将电阻降低了 20%,并提高了性能效率。N2...

Vishay 推出新系列厚膜表面贴装的卷包片式电阻RCWH

系列电阻降低了与PCB板的热膨胀系数差(CTE),从而能降低焊点的应力,能够实现比尺寸较大的厚膜电阻更高的可靠性。 RCWH的阻值为0.01Ω~0.976Ω,公差为±0.5%,TCR低至...

万用表的调修方法

电压部分调修主要在整流元件上,如整流元件击穿、破坏、反向电阻降低等。更换时,选择接近原来特性的管子。同样,凡是与直流电流、直流电压有关的不能重调。 电阻部分:电池不足则更换。接触点有锈蚀就清洁,必要使用细砂纸轻轻打磨,并薄...

万用表调修时的注意事项

转移开关活动触点,脱焊或虚焊的重新焊接。更多电工知识尽在中国电工网学习园地。 交流电压局部:交流电压局部调修主要在整流元件上,如整流元件击穿、破坏、反向电阻降低等。更换时,选择接近原来特性的管子。同样,凡是...

万用表调修时必须注意的几个问题

电压部分调修主要在整流元件上,如整流元件击穿、破坏、反向电阻降低等。更换时,选择接近原来特性的管子。同样,凡是与直流电流、直流电压有关的不能重调。 电阻部分:电池不足则更换。接触点有锈蚀就清洁,必要...

Vishay推出小型顶侧冷却PowerPAK®封装的600 V E系列功率MOSFET

代器件相比,Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %,导通电阻与栅极电荷乘积,即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数(FOM)下降60...

瞻芯电子-车规级碳化硅(SiC)MOSFET

系统设计。产品进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计,对比第一代产品的比导通电阻降低约25%,并显著降低开关损耗,提升系统效率。同时产品依然保持高可靠性与强鲁棒性,在AEC-Q101车规可靠性认证、短路...

瞻芯电子第二代SiC MOSFET首款产品通过车规认证,开启量产交付

电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V,可提升应用兼容性,简化应用系统设计。在产品结构上,第二代SiC MOSFET进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计,使器件比导通电阻降...

东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

,于今日开始批量出货。    通过对栅极设计和工艺进行优化,与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比,600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13...

应用材料芯片布线技术取得突破  逻辑微缩可进入3nm及以下技术节点

窄间隙中实现无空洞的间隙填充。通过这一解决方案,通孔接触界面的电阻降低了50%,芯片性能和功率得以改善,逻辑微缩也得以继续至3纳米及以下节点。 应用材料表示,这种独特的整合解决方案旨在帮助客户改善性能、功率...

春风极核AE8电机控制器拆解分析

产品,相比于上一代产品,第三代产品特征导通电阻降低20%以上,ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升10%以上,同时具有更优的EMI特性,可以满足客户更高能效、更高可靠性的需求,产品...

什么是兆欧表?兆欧表的功能和使用注意事项

什么是兆欧表?兆欧表的功能和使用注意事项;当受热和受潮时,绝缘材料老化,造成绝缘电阻降低,从而导致电器设备漏电或短路事故的发生。为了避免事故发生,就要求经常测量各种电器设备的绝缘电阻。判断...

Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能

Siliconix SiRS5700DP的总导通电阻降低了68.3 %,导通电阻和栅极电荷乘积(功率转换应用中MOSFET的关键品质因数(FOM)降低了15.4 %,RthJC降低了62.5 %,而连...

Qorvo® 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块

封装的 1200V 碳化硅(SiC)模块,其中两款为半桥配置,两款为全桥配置,导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业...

各类电气控制接线电路原理图分享

芦吊机电路 9. 单相漏电开关电路 10. 单相电机接线图 11. 带点动的正反转起动电路 12. 红外防盗报警器 13. 双电容单相电机接线图 14. 自动循环往复控制线路 15. 定子电路串电阻降...

欧姆定律对逆变电源有什么作用?

变电源有什么作用? 欧姆定律可用于验证电路组件的静态值,电流水平,电源电压和电压降。例如,如果测试仪器检测到电流测量值高于正常水平,则可能意味着电阻降低或电压升高,从而导致出现高压情况。这可...

Qorvo推出紧凑型E1B封装的1200V SiC模块

宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 碳化硅()模块,其中两款为半桥配置,两款为全桥配置,导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。本文...

瞻芯电子第二代SiC MOSFET首款产品通过车规级认证,正式开启量产交付

一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计,使器件比导通电阻降低约25%,并显著降低开关损耗,提升系统效率。 同时,第二代SiC MOSFET产品依然保持高可靠性与强鲁棒性,在AEC-Q101车规可靠性认证、短路...

IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型,性能可较室温翻倍

更是惊人地翻了一番。 低温环境带来了两大优势:更低的电荷载子散射和更低的功耗。散射减少意味着电阻降低,电子在器件中的移动更加顺畅;而功耗的下降,则可以让器件在相同电压下驱动更大的电流。此外,液氮...

IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型,性能可较室温翻倍

环境带来了两大优势:更低的电荷载子散射和更低的功耗。散射减少意味着电阻降低,电子在器件中的移动更加顺畅;而功耗的下降,则可以让器件在相同电压下驱动更大的电流。此外,液氮冷却还提高了晶体管的开 / 关灵敏度,只需...

Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET

---SiJK140E,该器件拥有优异的导通电阻,能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。与相同占位面积的竞品器件相比,Vishay Siliconix SiJK140E的导通电阻降低了32 %,同时...

绕线转子异步电动机控制线路图解析

绕线转子异步电动机控制线路图解析;1.手动顺序控制线路图 图1 2.正反转行程控制线路 图2 3.手动星角降压起动控制线路 图3 4.定子串接电阻降压起动控制线路 图4 5.定子...

东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET

晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品...

东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更大电流的需求

(W)封装相比,封装电阻下降大约30%,从而将XPQR3004PB的漏极额定电流(DC)提高到400A,高出当前产品1.6倍[2]。厚铜框的使用使XPQR3004PB内的沟道到外壳热阻降...

Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK封装的600 V

Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %,导通电阻与栅极电荷乘积,即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数(FOM)下降60 %,额定电流高于D2PAK封装...

Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK 封装的600 V E系列功率MOSFET

,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比,Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %,导通电阻与栅极电荷乘积,即600 V MOSFET...

SSM2315数据手册和产品信息

降低启动和停用时的声频噪声。 SSM2315提供完全差分输入,可以出色地抑制输入端的共模噪声。如果直流输入共模电压约为VDD/2,则可以省去输入耦合电容。 该器件的默认增益为6 dB,用户可以利用一对外部电阻降低该增益(请参...

ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET,有助于提高应用设备工作效率

品不仅利用微细化工艺提高了器件性能,还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装,实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻(Ron)*2,相比以往产品,导通电阻降低了50%。另外,通过...

台积电首次公开2nm!性能提升15%、功耗降低35%

。 此外,台积电2nm还应用了全新的MOL中段工艺、BEOL后段工艺,电阻降低20%,能效更高。 值得一提的是,第一层金属层(M1)现在只需一步蚀刻(1P1E)、一次EVU曝光...

东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更

沟道功率---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。本文引用地址: 近年来,随着社会对电动汽车需求的增长,产业...

Vishay推出TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN

业内先进水平。 日前发布的器件占位面积与PowerPAK 1212-8S封装相同,导通电阻降低18%,提高了功率密度,同时源极倒装技术将热阻从63°C/W降至56...

Qorvo 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块

碳化硅(SiC)模块,其中两款为半桥配置,两款为全桥配置,导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。 Qorvo...

ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET,有助于提高应用设备工作效率

和HSMT8封装,实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻(Ron)*2,相比以往产品,导通电阻降低了50%。另外,通过改进栅极结构,Qgd*3(栅-漏电荷,通常与导通电阻之间存在权衡关系)也比...

东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

日开始批量出货。 通过对栅极设计和工艺进行优化,与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比,600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降...

混合动力汽车高压漏电检测原理是什么

值。控制器(70)配置包括绝缘电阻降检测模块(72),用于产生脉冲振荡信号,并基于波峰值检测电路(62)检测到的值判断绝缘电阻是否下降。共模电压变化请求模块(74)用于绝缘电阻对HVCPU(40...

新能源汽车高效节能MPQ4371的高效节能方案

将减小近50%,功率损耗更小,电力转换效率更高,峰值效率高达97%! 图2 上下管的导通电阻降低 02     第一,MPQ4371采用ZDP控制方法,相比传统的PCM控制方法,其动态响应纹波减小3倍...

如何将数字电位器的带宽从10倍提高到100倍

,如图6所示。图6. 在最初电路中使用两个并联电阻(R4和R5),与图1和图2相比,带宽增大100倍 使用并联电阻降低电路阻抗 图6中的电路在图1基础上增加了并联电阻(注意,使用...

还搞不懂过温保护电路,一定要看这一文,图文+实际案例设计

负温度系数热敏电阻。随着温度升高,电阻降低。 二、过温保护电路设计的通用步骤 1、确定...

Qorvo® 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块

的共源共栅配置,最大限度地降低了导通电阻和开关损耗,从而能够极大地提升效率,这一优势在软开关应用中尤为显著。另外,银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W;与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合,其功...

全球最薄硅功率晶圆推出,已交付给首批客户

凌指出,这项创新将有助于大幅提高功率转换解决方案的能效、功率密度和可靠性,适用于AI数据中心,以及消费、电机控制和计算应用。 具体而言,与基于传统硅晶圆的解决方案相比,此次晶圆厚度减半可将基板电阻降...

东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

对栅极设计和工艺进行优化,与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比,600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%,漏源导通电阻×栅漏电荷(MOSFET...

基于8051单片机制作一个酒精测试仪

感器由氧化铝微管内的二氧化锡敏感层、测量电极和管状铝壳内的加热元件组成。传感器的前端用不锈钢网覆盖,背面固定连接端子。 呼吸中存在的乙醇在通过加热元件时被氧化成乙酸。这种乙醇落在二氧化锡传感层上,因此其电阻降低。使用外部负载电阻器将这种电阻...

东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET

方格设计将嵌入式SBD固定在体二极管附近能够有效限制寄生二极管的双极传导,而反向传导的单极电流限制是由相同SBD面积消耗的电流条状SBD图案设计实现的单极电流限制的两倍。在2.7mΩ・cm2条件下,导通电阻降低约20...

如何克服升压转换器本身的限制

(根据公式2演算得出)。但是,如果负载电阻降低(即:输出电流增高),或者电感的DCR (RL)增高(即:电感尺寸减小),将会无法实现要求的电压增益。 图3显示负载电阻和电感电阻的比值为300时的...

如何克服升压转换器本身的限制

可能实现的电压增益 在该示例中,图2显示电压增益可能达到约12.5(根据公式2演算得出)。但是,如果负载电阻降低(即:输出电流增高),或者电感的DCR (RL)增高(即:电感尺寸减小),将会无法实现要求的电压增益。 图...

相关企业

起初专业生产物理型长效防腐接地降阻剂,低电阻降阻剂、低电阻接地模块、防雷石墨接地模块、非金属接地模块;因业务拓展之需求,扩大经营范围并整合防雷接地材料的研发和生产,经公司高层研究决定,于2006年10月份

场上已树立良好的品牌形象和信誉口碑。本着以质量为中心,以顾客为基本的宗旨,奉行降价不降质的原则,凭借尖端的技术、良好的生产设备、以及严格的生产品质管理制度和完善的售后服务,奠定了良好的基础。

四个地区的所有移动用户 (134--139、158、159) 3.平台无任何加盟费或代理费,随用随充,并支持支付宝交易! 4.代理价根据移动公司调整而变化,目前为91折(近期还可降价) 后语: 本充值系统是长期充值平台,免费

;北京华欧电子有限公司;;我厂是专业生产电源设备、电梯、焊机、变频器配套使用的老化电阻、负载电阻、刹车电阻、铝壳电阻、波纹电阻、制动电阻、陶瓷线绕电阻、线绕无感电阻、负载箱、电阻箱、制动电阻箱、线绕电阻

起初专业生产物理型长效防腐接地降阻剂,低电阻降阻剂、低电阻接地模块、防雷石墨接地模块、非金属接地模块;因业务拓展之需求,扩大经营范围并整合防雷接地材料的研发和生产,经公司高层研究决定,于2006年10月份

;德利特电子科技(深圳)公司;;是功率电感,陶瓷谐振器,电阻箱电阻柜,铝壳电阻,玻璃釉膜电阻,功率电阻,高压电阻,精密电阻,绕线电阻,射频电感,排阻网阻网络排阻,保险丝电阻熔断电阻,金属膜电阻,晶圆电阻

;乐清市吉达电子元件厂;;我们是一家专业研发、生产、销售电力半导体器件及一体的生产厂家。 我们的生产设备完善、拥有一流的检测设备专业生产珐琅线绕电阻、被漆线绕电阻、无感线绕电阻、波纹电阻、RX20

;汇业进出口有限公司;;电阻系列,碳膜电阻,金属膜电阻,氧化膜电阻,排带电阻,可调电阻,排阻,绕线电阻,水泥电阻

;高品电子;;绕线电阻器、碳膜电阻器、金属膜电阻器、毫欧电阻器、保险丝电阻器、水泥电阻器、大功率电阻器、模压电阻器、贴片电阻器等系列为主,其中绕线电阻器、金属膜电阻器为公司的拳头产品。所有

;丰雅电子(东莞)有限公司;;丰雅电子(东莞)有限公司是电阻器、固定电阻器、绕线电阻器、水泥电阻、碳膜电阻、金属膜电阻、金属氧化膜电阻、晶片电阻、LCD SMD、排阻、保险丝电阻、毫欧电阻、跳线