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8051单片机由什么组成 8051单片机有多少管脚(2024-03-12)
更低的功耗和更高的可靠性。现在市面上的8051单片机多数采用的是CMOS工艺，其制造工艺技术已经相当成熟。
8051单片机的工艺指的是制造该芯片的工艺流程和技术。一般来说，芯片的工艺流程是一个复杂的、多步骤的过程，需要经过多次的掩膜制备......
可批量制造！我国高性能光子芯片领域取得突破(2024-05-09)
科学院上海微系统与信息技术研究所
当前，以硅光技术和薄膜铌酸锂光子技术为代表的集成光电技术是应对集成电路芯片性能提升瓶颈问题的颠覆性技术。其中，铌酸锂有“光学硅”之称，近年间受到广泛关注，哈佛......
2022年国内十大科技新闻：清华大学集成电路学院研究成果入选(2023-02-14)
团队首次制成栅极长度最小的晶体管入选2022年国内十大科技新闻。
△亚1纳米栅长晶体管结构示意图
人类又向摩尔定律的极限发起挑战。这一次，中国人扮演了探索者的角色。清华大学集成电路学院团队首次制备出亚1纳米......
全球首片 8 寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在我国下线(2024-03-04)
酸锂材料脆性大，大尺寸铌酸锂晶圆制备工艺困难，铌酸锂微纳加工制备工艺也一直被视为挑战。目前，业界对薄膜铌酸锂的研发还主要集中在 3 寸、4 寸、6 寸晶圆的制备及片上微纳加工工艺上。
九峰山实验室工艺......
中国芯片，再突破！(2024-05-09)
中国芯片，再突破！;随着集成电路产业发展进入“后摩尔时代”，集成电路芯片性能提升的难度和成本越来越高，人们迫切需要寻找新的技术方案。
当前，以硅光技术和薄膜铌酸锂光子技术为代表的集成......
拓荆科技（上海）半导体先进工艺装备研发与产业化项目封顶(2024-04-29)
知识产权产品并实施产业化。
资料显示，拓荆科技（上海）有限公司成立于2020年12月，是拓荆科技股份有限公司在临港设立的全资子公司。主要从事高端集成电路薄膜装备的研发、生产与销售。公司聚焦半导体薄膜......
复享光学首次提出薄膜神经网络 3D NAND多层薄膜量测获突破(2022-12-05)
产量检测设备的发展提出了同样的要求，只有追求全产业链的整体提升，才能真正保持国际领先。复享光学作为国内集成电路核心光谱零部件供应商，配合设备厂商解决各类芯片制程工艺控制中的量检测核心问题，为实现集成电路......
全球首片！我国8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆下线(2024-03-04)
航天等领域均发挥着重要作用。但铌酸锂材料脆性大，大尺寸铌酸锂晶圆制备工艺困难，铌酸锂微纳加工制备工艺也一直被视为挑战。
目前，业界对薄膜铌酸锂的研发还主要集中在3寸、4寸、6寸晶圆的制备及片上微纳加工工艺......
新方法可以扩展、简化弹性半导体的制造(2023-01-04)
人员希望进一步优化 LPSM 工艺并研究半导体材料的详细特性。他们还计划在各种高性能集成电子和功能系统中使用 LPSM
薄膜。
......
复享光学首次提出薄膜神经网络 3D NAND多层薄膜量测获突破(2022-12-05)
追求全产业链的整体提升，才能真正保持国际领先。复享光学作为国内集成电路核心光谱零部件供应商，配合设备厂商解决各类芯片制程工艺控制中的量检测核心问题，为实现集成电路产业的全链突破保驾护航。
近期，复享光学下属的上海微纳制程智能检测工程中心首次提出薄膜......
集成电路学院任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破 首次实现亚1纳米栅长晶体管(2022-03-11)
在石墨烯表面沉积金属铝并自然氧化的方式，完成了对石墨烯垂直方向电场的屏蔽。再使用原子层沉积的二氧化铪作为栅极介质、化学气相沉积的单层二维二硫化钼薄膜作为沟道。具体器件结构、工艺流程、完成......
中微半导体投资两家半导体设备厂商(2020-12-29)
步扩大可服务的市场规模。
中微半导体在公告中表示，公司在集成电路刻蚀设备领域的研发和市场化方面已经取得了一定的成果，前期通过投资国内领先的薄膜设备公司沈阳拓荆科技有限公司在集成电路薄膜设备领域进行了布局。本次投资上海睿励将使公司能够布局集成电路工艺......
陕西光电子先导院先进光子器件工程创新平台在西安全面启用(2023-03-31)
院所提供外延生长、光刻、刻蚀、薄膜制备、清洗、减薄、抛光、划片等芯片制造全流程服务。
据悉，2015年10月，陕西省科技厅、西安高新技术开发区与中国科学院西安光机所联合发起成立了陕西光电子先导院。陕西......
国内首条！中国芯片“点亮”！(2024-09-26)
同样具有优异的电光转换特性，且在双折射、透明窗口范围、抗光折变等方面相比铌酸锂更具优势。此外，硅基钽酸锂异质晶圆的制备工艺与绝缘体上的硅更加接近，因此，钽酸锂薄膜可实现低成本和规模化制造，具有......
图形电镀工艺流程说明(2024-12-19 18:11:00)
图形电镀工艺流程说明;
我们以多层板的工艺流程作为PCB工艺介绍的引线，选择其中的图形电镀工艺进行流程说明，具体分为八部分进行介绍，分类及流程......
7家半导体企业IPO最新进展！(2024-02-24)
立以来，邑文科技从设备翻新业务起步，前瞻性地布局含金量高的特色工艺刻蚀设备领域和薄膜沉积设备领域，聚焦半导体设备的自主创新研发，致力于促进我国半导体设备产业的国产化，并在多年的发展中积累了丰富的工艺流程......
【成电协·会员行】芯仕成---突破技术封锁，争创新一代射频滤波器国产代表品牌(2022-11-29)
芯仕成主要竞争产品有FBAR滤波器、介质滤波器、LTCC滤波器和MEMS滤波器等。核心技术是高品质压电薄膜材料，新型声表面波（SAW）和体声波（BAW）滤波器器件结构、制备工艺和封装方法等。
公司......
1.8亿！四家国产半导体设备商成立合资公司(2024-01-04)
制造前道生产线的国产设备公司。据悉，2023年上半年，微导纳米通过原有的薄膜沉积类产品研发、推广和产业化的经验，成功推出了半导体集成电路薄膜沉积CVD产品，已在客户端验证。
盛美上海是一家半导体设备制造商，主要......
广西大学团队制备出芯片产业关键原材料7N高纯镓(2023-08-07)
出核心技术“标准晶种制备工艺”“冷热循环结晶技术”“高纯镓一体化提纯设备”，分别针对性地解决了高纯镓生产中所面临的产品纯度低、生产周期长、工艺流程复杂三大痛点难题，制备出的高纯镓经国际权威机构检测认证，纯度......
1nm制程集成电路新赛道准备就绪！(2024-07-18)
领域的未来科学与技术战略高地。
据北京科技大学介绍，双方将共同建设“二维材料与器件集成技术联合研发中心”“8英寸二维半导体晶圆制造与集成创新中心”等高水平研发平台，重点开展二维半导体材料与器件的规模化制备工艺......
PCB生产工艺流程--外层干膜(2025-01-12 18:30:37)
PCB生产工艺流程--外层干膜;
外层干膜工艺流程......
上海微系统所在300mm SOI晶圆制造技术方面实现突破(2023-10-20)
。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现......
上海微系统所在300 mm SOI晶圆制造技术方面实现突破(2023-10-23)
晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现......
北科大携手新紫光，打造面向1nm制程集成电路新赛道(2024-07-19 09:20)
水平研发平台，重点开展二维半导体材料与器件的规模化制备工艺和芯片设计制造等方面的产学研合作，在二维半导体材料制备、关键装备研发、集成制造工艺技术等方面协同攻关，共同打造集成电路......
iPhone 7用了“中国芯”？究竟发生了什么事？(2016-11-29)
是指在超高真空状态下用氩离子轰击靶材表面，将靶材材料以原子态激发出来，再通过电磁场控制溅射出粒子的运动，在基底材料上形成薄膜的工艺方法。这种技术是极大规模集成电路芯片制造的关键工艺，溅射镀膜后经过光刻工艺，进而......
IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究(2022-12-26)
陶瓷开发最早，技术最为成熟，成本最低，应用最广泛，但Al2O3陶瓷的热导率仅为17 ～ 25 W/(m·K)，且与Si 及GaAs 等半导体材料的热膨胀系数匹配性较差，限制了其在高频、大功率、高集成电路......
江苏华天、中车时代、拓荆科技等一批半导体项目迎最新进展！(2024-05-14)
，拓荆科技（上海）有限公司成立于2020年12月，是拓荆科技股份有限公司在临港设立的全资子公司。拓荆科技主要从事高端集成电路薄膜装备的研发、生产与销售，聚焦半导体薄膜沉积设备，是国内专用量产型PECVD......
国家自然基金“十四五”规划：集成电路多个细分领域被划重点(2022-11-22)
与器件设计理论基础、光电子器件及集成技术、宽禁带半导体、电子器件、射频电路关键技术、多功能与高效能集成电路等。
量子材料与器件
围绕量子材料制备、物性研究和器件物理中的基础性重大科学前沿问题，重点......
武汉发布《关于促进半导体产业创新发展的意见》：打造集成电路产业链聚集区(2022-01-18)
薄弱环节补链
1.增强集成电路设备、材料和封测配套能力。在设备环节，聚焦三维集成特色工艺，研发刻蚀、沉积和封装设备，引入化学机械研磨（CMP）机、离子注入机等国产设备生产项目；在材料环节，围绕先进存储器工艺......
国产离子注入机未来可期，半导体设备潜力股思锐智能落子布局！(2023-08-16)
国产化的优选赛道。
亟待国产化，离子注入机市场前景广阔
“离子注入是集成电路制造中主要的掺杂技术，也是最基础的制备工艺。离子注入机的国产化率约为3%，尤其是高能机，难度高，且国产化率最低，市场......
国家自然基金“十四五”规划公布，集成电路多个细分领域被划重点(2022-11-22)
与器件设计理论基础、光电子器件及集成技术、宽禁带半导体、电子器件、射频电路关键技术、多功能与高效能集成电路等。
量子材料与器件
围绕量子材料制备、物性研究和器件物理中的基础性重大科学前沿问题，重点......
建设高端半导体装备，SRII赋能新一代集成电路制造(2024-03-25 11:14)
建设高端半导体装备，SRII赋能新一代集成电路制造;思锐智能携业界尖端的离子注入（IMP）和原子层沉积（ALD）技术亮相SEMICON China 2024，持续......
建设高端半导体装备，SRII赋能新一代集成电路制造(2024-03-25)
建设高端半导体装备，SRII赋能新一代集成电路制造;思锐智能携业界尖端的离子注入（IMP）和原子层沉积（ALD）技术亮相SEMICON China 2024，持续......
建设高端半导体装备，SRII赋能新一代集成电路制造(2024-03-25)
建设高端半导体装备，SRII赋能新一代集成电路制造;思锐智能携业界尖端的离子注入（IMP）和原子层沉积（ALD）技术亮相SEMICON China 2024，持续......
建设高端半导体装备，SRII赋能新一代集成电路制造(2024-03-25)
建设高端半导体装备，SRII赋能新一代集成电路制造;思锐智能携业界尖端的离子注入（IMP）和原子层沉积（ALD）技术亮相SEMICON China 2024，持续......
国内首创 洛阳牡丹壳造出钠电材料(2023-11-30 09:30)
质前驱体原料含氧量比较高。不仅碳结构稳定，而且不需要预氧化，同时省去了酸洗、除杂等环节，缩短了工艺流程，降低了生产成本。”
在近日举行的洛阳市科创成果直通车偃师专场活动上，王芳围绕“钠离......
五家企业IPO迎来最新进展！(2024-05-14)
、钳及铂合金靶和ITO靶等，产品可广泛应用于半导体显示、触控屏、装饰镀膜、集成电路封装、新能源电池和太阳能电池等领域，是各类薄膜工业化制备的关键材料。
据江丰电子、阿石创、隆华科技、映日......
中国石墨烯发展状况盘点，专利领先全球(2017-02-13)
电子器件、光电探测器等高端领域需要大面积高质量的石墨烯单晶，与普通多晶态石墨烯薄膜相比，单晶石墨烯薄膜制备异常困难，目前只能做到毫米级大小，与可实用化的晶圆级大小仍有相当距离，短期内较难突破，化学气相沉积法是最具开发潜力的制备......
“陕西光电子集成电路先导技术中试平台”通过验收(2021-09-23)
“陕西光电子集成电路先导技术中试平台”通过验收;据中国科学院官网消息，近日，由中国科学院西安光机所承担的“国家双创示范基地双创支撑平台建设项目——陕西光电子集成电路先导技术中试平台”通过......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
的大面积生长和高性能的器件应用提供了重要支持。本文引用地址：β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm)，简单二元组成，带隙可调，制备工艺简单等优势在日盲光电探测器领域受到广泛关注。在β-Ga2O3......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
异质外延薄膜的大面积生长和高性能的器件应用提供了重要支持。
β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm)，简单二元组成，带隙可调，制备工艺简单等优势在日盲光电探测器领域受到广泛关注。在β......
使用新一代高度可调的低介电薄膜来解决串扰、隔离等制造挑战(2023-08-04)
使用新一代高度可调的低介电薄膜来解决串扰、隔离等制造挑战;提升集成电路中的介电层性能可以在现在和未来的存储器和逻辑电路发展中产生巨大的战略影响。本文引用地址：
想象一下，在一个挤满人的大房间里，每个......
微机械超声换能器（MUT）简介(2024-03-07)
）
2018~2030年超声传感技术路线图（来源：Yole）
得益于压电薄膜制备及集成技术的发展，PMUT呈现“百花齐放”的局面，在飞行时间（ToF）测距、超声成像、指纹识别、人机交互、芯片......
复旦最新成果：用于规模化集成电路制造的12英寸高质量二维半导体问世(2023-10-07)
复旦最新成果：用于规模化集成电路制造的12英寸高质量二维半导体问世;是集成电路工艺发展到1nm节点最受关注的新路径。虽然国际工业界认为引入可以在平面工艺中有效解决晶体管尺寸缩放过程中的问题，但其......
建设高端半导体装备，SRII赋能新一代集成电路制造(2024-03-25)
中最主要的掺杂方法，是最基础的制备工艺之一。2000-2023年中国大陆IC晶圆制造产能从占据全球2%增长到20%，未来中国产能持续迎接快速增长期，年均增长预计超10%。新一代集成电路......
完美收官 英麦科半导体薄膜功率电感市场首推反馈火爆，创新工艺备受瞩目(2023-04-14 09:42)
了诸多观展人员及行业上下游同行的驻足了解与探讨，迎来送往，热闹非凡。
工艺流程3D示意图展示区
高磁导率、高饱和电流、低损耗的磁性材料功率电感的小型化和薄型化是跟随应用端DC-DC的高频化发展的。在高频DC-DC应用......
限制出口！中国稀土、IC等技术管制再调整(2023-12-25)
被列入“禁止出口”且疑似与集成电路产业链有关联的技术主要有：抗辐照技术和工艺（一般用于航天器件）、激光技术用大功率、大尺寸钕玻璃制备工艺技术（半导体应用主要是光刻）。
被列入“限制出口”且疑似与集成电路......
三星电子被控在微处理器和内存制造领域侵犯哈佛大学两项专利(2024-08-07)
器等的过程中，侵犯哈佛大学同氮化钴薄膜制备有关的专利，涉及三星 S22 智能手机等产品。
而三星在生产 LPDDR5X 等内存时，在未......
为刻蚀终点探测进行原位测量 使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测(2024-01-18)
将用于建模的区域用蓝框显示，其中有四个鳍片（红色显示）需要制造。此外，我们框出了黄色和绿色的测量区域，将在其中分别测量隔离区的薄膜厚度 (MEA_ISO_FT) 和沟槽区的刻蚀深度 (MEA_TRENCH_FT)。工艺流程......
为刻蚀终点探测进行原位测量(2024-01-22)
原位刻蚀终点探测。流程循环用于在固定时间内重复工艺步骤，加强工艺流程控制（如自动工艺控制）的灵活性[2]。为模拟控制流程，可使用 "For Loop" 或 "Until Loop"（就像计算机编程）设置......
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