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基于HFSS天线去耦仿真的设计(2024-07-18)
络分析的角度来看,去耦的实质就是使多端口网络的阻抗矩阵的互阻抗趋向于零,或者使散射矩阵的反向传输系数趋向于零。常见的去耦网络结构如下图所示,其去耦原理正是基于对网络参数的分步分析来实现的。简单来说,可以......
如何使用降压转换器创建负电压输出(2024-01-12)
该转换器具有600Khz的固定频率,COT拓扑结构的使用允许用户开发一种非常简单的电源,而无需补偿。从内部低侧MOSFET产生电流斜坡反馈,因此所需的外部组件是功率LC滤波器、输入电容去耦和自举电容器。
图13......
搞不懂去耦电容PCB 布局,一定要看这一文,配置+选型,一文搞定(2024-10-06 22:10:45)
,具体的如下所示:
局部去耦原因
局部去耦电容安装在集成芯片的电源端和地端之间,并尽可能靠近集成芯片。
3)板间去耦电容......
信号完整性 vs 电源完整性,先要保证哪一个??(2024-04-29)
方法对提高瞬态电流的响应速度, 降低电源分配系统的阻抗都非常有效。
4.1 从储能的角度来说明电容退耦原理
在制作电路板时, 通常会在负载芯片周围放置很多电容, 这些电容就起到电源退耦作用。其原理可用图 1......
巧用降压芯片生成负电压及Vishay功率IC产品介绍(2023-08-28)
电流斜坡反馈,无需补偿,外部组件仅需功率电感、输入电容去耦和自举电容器,远比线性调节器的效率更高,原理如下图所示。
图1 a) 同步降压 b) 负输出降压
图2 负输出降压拓扑结构
电路......
STM32F3 MCU最小BOM表及元器件参数选型(2023-08-21)
,每个供电对都应使用100nF滤波陶瓷电容去耦,并用约4.7μF的化学电容连接于STM32F3xx器件的供电引脚之间。这些电容需尽可能近地放置在PCB下部的适当引脚旁边或之下。典型值为10nF至......
带晶体管的高动态范围混频器电路分享(2023-05-31)
可以使用2k2预设在所需的削波电平设置确切的电源电压。
如果需要,可以通过在T4的基电路中插入50千欧姆预设来调零输出偏移。该基极还应由一个1uF/63 V电容去耦。运算放大器的电流消耗约为35 mA......
RF电路和数字电路如何在同块PCB上和谐相处?(2024-10-29 20:45:10)
能导致由于过孔连接阻抗在两个焊盘之间产生串扰。
(3) RF 去耦
去耦电容应该放置在尽可能靠近引脚的位置,每个需要去耦的引脚处都应采用电容去耦......
什么是好的“PDN”的PCB设计(2024-06-06)
这有一个区域超过了阻抗曲线,这是在die上给定的电源区域,建立在自己的最大电流消耗上,而不是与其它路电流相关联的由同一个供电电源供电组合的电流消耗。对于设计,bulk电容去耦的频率范围估计是从DC到大约5......
认识电子保险丝(2023-08-09)
,建议增加0.1uF电容去耦。
过流限值调节:通过外接电阻调节来改变过流限定值,其中Iinlim=10.5/Rilim,在电阻为10.5kohm时,输出电流限值为1A。为了回路稳定工作,建议......
基于STM32F429开发板的电源复位设计(2023-08-08)
的选择
每个电源对 (VDD/VSS, VDDA/VSSA ...)必须使用下述的滤波陶瓷电容去耦。这些电容必须尽量靠近芯片引脚,以确保器件正常工作。不建议去掉滤波电容来降低PCB 尺寸......
芯片附近0.1uF电容有什么用?(2024-06-21)
。钽电容:主要用在电源电路中,博主被它炸过很多次......
去耦电容
这是 STM32F103 最小系统原理图,STM32F103VET6 需要五路 3.3V 供电,他的 3.3V......
一文了解STM32F407的电源复位及LSE时钟设计(2023-10-26)
电源供电部分了解了这些知识点就够用。
14.2.2 电源去耦电容的选择
每个电源对 (VDD/VSS, VDDA/VSSA ...)必须使用下述的滤波陶瓷电容去耦。这些电容必须尽量靠近芯片引脚,以确保器件正常工作。不建议去掉滤波电容来降低PCB......
电容的参数_种类_应用(2024-10-15 14:49:34)
连接的的开路失效
铝电解电容的漏夜失效
铝电容是由铝箔刻槽氧化后再夹绝缘层卷制,然后再浸电解质液制成的,其原理是化学原理,电容......
电容的参数_种类_应用!(2025-01-05 11:13:35)
的漏夜失效
铝电容是由铝箔刻槽氧化后再夹绝缘层卷制,然后再浸电解质液制成的,其原理是化学原理,电容充放电靠的是化学反应,电容......
电容这样理解,真的简单(2024-06-13)
了就是把直流电源中的交流分量,通过电容耦合到电源地中,起到了净化直流电源的作用。如图C1为旁路电容,画图时候要尽量靠近IC1。
图C1
去耦电容:去耦电容,是把输出信号的干扰作为滤除对象,去耦电容相当于电池,利用......
安森美引领行业的 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具的技术优势(2023-06-21)
美物理和可扩展产品模型已经捕捉封装影响。
电感电容
干扰有源开关损耗的第一个元件是开关电感的寄生电容(图 3)。有关其效应的更多详细信息,请参阅白皮书“使用物理和可扩展仿真模型评估参数和应用结果”7。使用下图中的原理......
LVDS为汽车应用提供可靠的视频接口(2024-07-08)
潜在的电位差可能导致数据无法传输,甚至产生过大的电流损坏器件。使用电容去耦时,需保证发送数据不要沿着一个方向长时间地为电容充电,例如,在发送一长串“1”时即可出现这种情况。第二代器件,例如:MAX9247或MAX9248采用“直流......
一种基于STM32的最小系统及串口通信的实现(2023-09-01)
理器不能独立工作,必须提供外围相关电路,构成STM32最小系统。包括3.3V电源、8MHz晶振时钟、复位电路、数字和模拟间的去耦电路、调试接口、串行通信接口等电路。最小系统原理图如图1所示。
图1 S TM32最小系统原理......
汽车电子风扇的工作原理及如何对电路电磁兼容性进行优化?(2024-08-20)
择具有良好电磁兼容性的元器件。例如,选择具有低噪声、低干扰的电子元件,采用屏蔽电缆等。
3. 优化电路设计
通过优化电路设计,减小电路的干扰。例如,采用滤波器、去耦电容等元器件,对电路中的干扰信号进行滤波处理;采用 PWM 技术......
总结电容知识(2024-11-11 15:29:44)
:去耦电容,是把输出信号的干扰作为滤除对象,去耦电容相当于电池,利用其充放电,使得放大后的信号不会因电流的突变而受干扰。它的容量根据信号的频率、抑制波纹程度而定,去藕电容......
浪涌抗扰度怎么测?我们用这个A/D转换器试了一下(2023-04-07)
耦合至信号。
● 去耦网络(CDN)
去耦网络(CDN)通常包含,(在抗扰度测试系统内)有助于在浪涌测试期间的保护电源或辅助设备。其中去耦网络(CDN)中的电感,结合电源转化器输入电容,从而起到去耦......
两轮平衡小车之硬件设计(2024-07-03)
帧的数据。
原理图设计:
1.最小系统:包括stm32f405rgt6,晶振电路,复位电路。R2和R3用于配置启动方式。C9和C12是单片机内部电源变换部分的滤波电容。最小系统基本都是一样的,按照......
电容在EMC中的应用(2024-01-03)
生反谐振问题。下图给出了电容并联的等效原理
下图给出了它们的真实的幅度-频率特性。
在将近15MHz到175MHz的一个较宽的频带内,并联电容的阻抗比单独一个大电容的阻抗要来的大,由于两电容产生了谐振,在......
陶瓷电容的耦合和去耦有什么不同?(2023-08-16)
陶瓷电容的耦合和去耦有什么不同?;随着时代的发展和科技的进步,许多电子产品层出不穷,方便人们的生活,丰富了人们的娱乐,这些电子产品能发挥各自功能都是靠组装电子产品的不同元件,比如手机、空调、定冰......
基于STM32的两轮平衡小车设计(2023-08-31)
.最小系统:包括stm32f405rgt6,晶振电路,复位电路。R2和R3用于配置启动方式。C9和C12是单片机内部电源变换部分的滤波电容。最小系统基本都是一样的,按照常用的电路设计一般没有错。那几个电容式芯片的去耦电容......
EMC防护中的滤波电容(2024-10-14 12:31:55)
EMC防护中的滤波电容;
为什么总是在电路里摆两个0.1uF和0.01uF的电容?
旁路和去耦......
基于LPC2210和AD7656芯片实现6通道数据采集系统的设计(2023-02-15)
100 nF电容组成。去耦电容要尽量靠近器件,以达到更好的去耦效果。除了上述几个接口外,AD7656其他关键引脚的连接是STBY接VDRIVE,选择正常模式;RANGE接地表示选择输入范围±10V;H......
基于nRF401芯片和AT89S51芯片实现无线数据传输系统的设计(2023-09-01)
证关键元件有充分的接地。所有开关数字信号和控制信号都不能经过PLL环路滤波器元件和VCO电感附近。直流供电在离VDD脚尽可能近的地方用高性能的电容去耦,去耦使用1个小电容(0.01μF)和1个大电容(2.2μF)并联,并避......
波特率自动检测的识别方法及无线数据传输模块的设计及应用(2023-10-12)
开关数字信号和控制信号都不能经过PLL环路滤波器元件和VCO电感附近。直流供电在离VDD引脚尽可能近的地方用高性能的电容去耦,去耦使用一只小电容(0.01μF)和一只大电容(2.2μF)并联,避免较长的电源走线。
2......
TDK推出适用于汽车应用的CGA系列积层陶瓷贴片电容器(2020-09-30)
化MLCC,具有顶级电容22μF(2012规格)和47μF(3216规格),适用于平滑和去耦
● 实现了节省空间的设计并减少了元件数量
● 符合AEC-Q200标准
在提高安全性方面,先进......
STM32F0系列MCU硬件电路供电设计(2024-09-12)
上的而已,如果你的设计里不需要使用外部电源供电,直接把它拿掉即可。
(图二)
选择好电源方案后,可以参考规格书第49页的Figure 13放置去耦电容,如下(图二)所示,这个去耦方案是ST推荐的,不会......
混合信号PCB布局设计的基本准则(2023-04-14)
人员应能识别重要的功能模块、信号以及模块之间的连接,从而确定各元件在系统中的最佳位置。例如,连接器最好放置在板的边缘,而辅助元件(如去耦电容和晶振)必须尽可能靠近混合信号器件放置。
模拟和数字模块分离
为了......
中兴某研发部原理图,电路设计,EMC等规范文档,收藏自检(2024-11-04 21:14:11)
应和芯片布在同一页面或者就近放在下一页面上,并增加说明;多个器件的去耦电容共用一页图纸时,应标注去耦电容是为哪个器件放置;全局去耦(旁路)电容可以在电源部分或者原理图最后部分放置,并增加“GLOBE......
你知道陶瓷电容在电路中有什么用吗?(2023-08-31)
器在不同电路中所发挥的功能也不一样,陶瓷电容在电路中起到耦合、去耦、滤波、平滑的作用。
智旭陶瓷电容
1、耦合
用在耦合电路中的陶瓷电容称为耦合电容,在阻容耦合放大器和其他电容耦合电路中大量使用这种电容电路,起隔......
TDK 积层陶瓷贴片电容器:全球首款用于车载的0510规格倒置式MLCC(积层陶瓷贴片电容器)(2020-02-01)
TDK 积层陶瓷贴片电容器:全球首款用于车载的0510规格倒置式MLCC(积层陶瓷贴片电容器);·在噪声抑制和去耦用途中可发挥优异效果·节约设计空间,减少元件数量·符合AEC-Q200车载......
鲁棒的视频接收器 输入具有电池短路保护功能(2024-07-22)
较大面积的接地层和电源层多边形。有关布局和接地的详细论述,请参见MT-031指南;有关去耦技术的信息,请参见MT-101指南。
通过10 μF和0.1 μF电容对ADV7180的电源进行去耦。此外,采用0.1......
使用电容器降低MCU的电源噪声(2024-02-23)
连接到微控制器。对于多个VDD和VSS引脚,应使用单独的去耦电容。
VDDA引脚必须连接到两个外部去耦电容(10nF陶瓷电容+1μF钽电容或陶瓷电容)。
100/144引脚封装STM32的电源和参考去耦......
积层陶瓷电容器: TDK推出具有业内最高电容的2012/3216规格100V积层(2024-03-27)
产品的需求,而此类产品将有助于电源线路的平滑和去耦。
得益于经过优化的产品设计,CGA系列100V产品的尺寸更加紧凑小巧,电容更高。TDK将持续扩大其产品阵容,以满足客户需求。
*截至2024年3月......
法拉电容有什么特点?法拉电容有哪些应用?(2022-12-29)
法拉电容有什么特点?法拉电容有哪些应用?;电容的使用极为频繁,在上篇文章中,小编对去耦电容和旁路电容的区别有所阐述。为增进大家对电容的认识,本文将对的原理、的特点以及的应用予以介绍。如果你对电容......
应用笔记|STM32U575/585 MCU 硬件开发入门(2024-09-18)
无法承受此注入电流,则强烈建议在该电源与 VBAT 引脚之间连接一个低压降二极管。如果没有使用任何外部电池,建议将该 VBAT 引脚连接到带有 100 nF 外部去耦电容的 VDD 上。通过 VDD......
应用笔记 | STM32U575/585 MCU 硬件开发入门(2024-09-19)
的电源/电池无法承受此注入电流,则强烈建议在该电源与 VBAT 引脚之间连接一个低压降二极管。如果没有使用任何外部电池,建议将该 VBAT 引脚连接到带有 100 nF 外部去耦电容的 VDD 上......
STM32U575/585 MCU硬件开发入门(2024-05-17)
无法承受此注入电流,则强烈建议在该电源与 VBAT 引脚之间连接一个低压降二极管。如果没有使用任何外部电池,建议将该 VBAT 引脚连接到带有 100 nF 外部去耦电容的 VDD 上。
通过 VDD......
电容器常见技术术语的含义(2023-09-05)
电容器常见技术术语的含义;从事电容器行业中,经常看到许多专用术语比如说滤波、谐振、去耦等,这些专用术语对于从事于电容器行业已久的人是小case,但是对于刚入行电容器的新手来讲还是比较懵懂,比如......
STM32F3 MCU外围元器件及晶振选型参考(2023-09-06)
引脚封装
电容100nF4代表STM32F303,3代表STM32F373/378陶瓷电容(去耦电容)
电容4.7μF1陶瓷电容(去耦电容)
电阳390Ω1用于HSE:值取决于晶振特性。此值......
电子电路设计之工控设备抗干扰总结(2024-10-31 22:30:14)
核电源和输入输出接口电源应该独立
绝大多数的用户,在设计系统电源时,只有一个电源,PLC的内核和接口都用这个电源。懂得光耦原理的人就会发现,这种接法,会把光耦旁路掉,也就是说,光耦完全没有起到隔离的作用,整个......
一张图搞懂为什么去耦电容要好几种容值?(2023-04-03)
一张图搞懂为什么去耦电容要好几种容值?;在设计普通电路时,工程师们通常关注的是电容的容值、耐压值、封装大小、工作温度范围、温漂等参数。但是在高速电路上或电源系统中及一些对电容......
变频器的辅助电源设计(2023-08-25)
我们在DC-DC部分讲过几个主要的电路拓扑,有聊过正激和反激两种转换方式,而对于小功率开关电源设计中,单端反激式变换器是应用最为广泛的一种拓扑,多路输出较为方便。
02单端反激式原理
我们在来简单地了解一下单端反激式的变换原理......
总结PCB电源的设计注意事项!(2024-12-31 20:10:24)
或多层可以专门用于接地层和电源层。而且,它们 可以通过在两个有源信号层之间放置接地层来减少干扰和串扰,从而有效地将信号走线与地面相连。
4.去耦电容器和旁路电容......
TDK推出具有业内最高电容的2012/3216规格100V积层陶瓷电容器,进一步扩大其汽车用MLCC产品阵容(2024-03-27 10:26)
100V产品的需求,而此类产品将有助于电源线路的平滑和去耦。得益于经过优化的产品设计,CGA系列100V产品的尺寸更加紧凑小巧,电容更高。TDK将持续扩大其产品阵容,以满足客户需求。*截至2024......
相关企业
激光电源。是目前国内外高压陶瓷电容型号最全的生产企业。 高压陶瓷电容主要使用于具有高峰值电流及高重复率的电路,应用于送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备中,如:高压倍压,分压保护,去耦电路,激光
;科利华;;基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘
;一路发快运股份公司;;可耕地要械斗在土木工程无可厚非地械夺基本原理地可耕地要械斗在土木工程无可厚非地械夺基本原理地可耕地要械斗在土木工程无可厚非地械夺基本原理地可耕地要械斗在土木工程无可厚非地械夺基本原理
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;启东市东疆计算机有限公司;;单片机实验仪,PLC,EDA,模拟电路,组成原理,微机原理与接口,plc,eda,仿真器,编程器,稳压电源
率测试,马氏硬度测试,空隙率测试和铝阳极氧化层质量的测试)。采取各种不同原理进行测试,比如电磁感应原理、涡电流原理,相位感应原理,电解法,B射线,X射线等等。
;深圳基本原理;;
;太原理工;;产品生产
;康佳集团;;基本原理
理光(RICOH)电源管理芯片,德国西门子(EPCOS)电子器件。另有其他品牌的IC、电阻、电容、二、三极管等器件。另可代客户提供电路设计,原理图、PCB图制作,CPU编程、解密,电路板OEM,SMT