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16.8亿元！福建晶旭半导体项目二期已完成主体厂房建设(2024-12-10)
高新技术企业。技术团队从2005年开始研究5G声波滤波器制备，拥有光电集成芯片和化合物单晶薄膜材料专利100多项。
封面图片来源：拍信网......
泰克TSP-2000-SOLAR半导体器件的多组太阳能电池I-V测试系统方案(2023-05-30)
最大电流Imax和电压Vmax、开路电压Voc、短路电流Isc以及效率η。
越来越多的科研工作者投入到太阳能电池的研究中，其中有机薄膜材料电池、砷化镓材料电池、染料敏化材料等太阳能电池已经成为研究热点。太阳能电池光电特性......
最新进展！中国芯片研发乘风破浪(2024-05-15)
性能和生物相容性的半导体水凝胶。
该研究首次实现高电学性能的半导体水凝胶的制备和电子器件应用，其兼具有机半导体优异的电学特性以及水凝胶独特的机械和生物界面特性，扩展了有机半导体和水凝胶材料的应用范围。
中国首创新型场效应调控光电......
晶旭半导体高频滤波器芯片生产项目主体封顶(2024-08-07)
及芯片自主开发的能力。公司拥有多项化合物单晶薄膜材料核心专利，特别在5G核心器件：射频滤波器压电薄膜材料芯片制备技术上，产品主要应用于5G移动设备、网络基础设施、WIFI和GF市场等领域。
封面图片来源：拍信网......
东华大学在透明导电薄膜材料方面取得进展(2022-10-24 10:36)
东华大学在透明导电薄膜材料方面取得进展;近日，东华大学先进低维材料中心特聘研究员唐正课题组在《自然·通讯》上发表了一项研究成果，即一种全新的逐层沉积工艺制备的透明导电薄膜材料，并明确了薄膜......
全球首片 8 寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在我国下线(2024-03-04)
脆性大，大尺寸铌酸锂晶圆制备工艺困难，铌酸锂微纳加工制备工艺也一直被视为挑战。目前，业界对薄膜铌酸锂的研发还主要集中在 3 寸、4 寸、6 寸晶圆的制备及片上微纳加工工艺上。
九峰......
全球首片！我国8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆下线(2024-03-04)
航天等领域均发挥着重要作用。但铌酸锂材料脆性大，大尺寸铌酸锂晶圆制备工艺困难，铌酸锂微纳加工制备工艺也一直被视为挑战。
目前，业界对薄膜铌酸锂的研发还主要集中在3寸、4寸、6寸晶圆的制备及......
基于零维材料的光电探测器原子结构(2023-04-07)
探测器），从而实现能带剪裁并在特定领域具有独特的优势。
据麦姆斯咨询报道，华北光电技术研究所牛佳佳等人在《红外与激光工程》期刊上发表了以“基于低维材料的光电探测器的发展”为主题的综述文章。牛佳佳主要从事红外材料研究与测试......
新方法可以扩展、简化弹性半导体的制造(2023-01-04)
人员希望进一步优化 LPSM 工艺并研究半导体材料的详细特性。他们还计划在各种高性能集成电子和功能系统中使用 LPSM
薄膜。
......
使用新一代高度可调的低介电薄膜来解决串扰、隔离等制造挑战(2023-08-04)
开始，空气间隙成为减少这种耦合的一种手段。空气间隙两侧的介电薄膜必须满足许多严格的标准，包括共形性、粘附性、气密性、介电常数和击穿电压。SPARC沉积的SiCO薄膜的特性可实现比传统材料......
中国石墨烯发展状况盘点，专利领先全球(2017-02-13)
电子器件、光电探测器等高端领域需要大面积高质量的石墨烯单晶，与普通多晶态石墨烯薄膜相比，单晶石墨烯薄膜制备异常困难，目前只能做到毫米级大小，与可实用化的晶圆级大小仍有相当距离，短期内较难突破，化学气相沉积法是最具开发潜力的制备......
24.5%！我国科研团队刷新大面积全钙钛矿光伏组件光电转化效率世界纪录(2024-02-26)
够减缓钙钛矿的结晶速率，将薄膜的制备时间延长到原来的10倍左右，并且能自发诱导修复底部缺陷。
高寒表示，用这种办法制造的窄带隙钙钛矿薄膜，与宽带隙钙钛矿薄膜结合后，所形成的叠层组件面积达20.25平方......
全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆下线(2024-03-01)
铌酸锂的研发还主要集中在3寸、4寸、6寸晶圆的制备及片上微纳加工工艺上。此次九峰山实验室工艺中心研发出首款8寸硅光薄膜铌酸锂晶圆，实现低损耗铌酸锂波导、高带宽电光调制器芯片、高带宽发射器芯片集成。此项成果为薄膜铌酸锂光电......
iPhone 7用了“中国芯”？究竟发生了什么事？(2016-11-29)
越来越受到重视，电子薄膜材料的制备工艺也取得了很大的进展，已经应用于电子器件的大规模生产中。目前，电子薄膜材料的制备工艺主要包括物理气相沉积技术(PVD)、化学气相沉积技术(CVD)等。
而溅......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
立了相对应的外延生长机理模型图。据悉，β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm)，简单二元组成，带隙可调，制备工艺简单等优势在日盲光电探测器领域受到广泛关注。
另外，该研究团队在MBE异质外延β-Ga2O3生长......
原位拉曼系统--实时监测半导体薄膜生长全过程(2023-08-31)
”方式，而是“In-Situ”方式。从形成薄膜到完成，可以分析整个过程的机制。制造半导体薄膜材料的企业、制造工艺设备的企业、三星电子或SK海力士等制造半导体的企业都可以派上用场。
首席......
如何高效平衡触觉传感界面的灵敏度(2024-06-06)
团队采用甲基纤维素和碳纳米管进行复合，实现甲基纤维素良好的成膜特性和碳纳米管优异导电特性互补，提高了敏感材料的机械强度，并使其能完美地贴附在微米级的起伏表面上形成牢固导电网络。在微米尺度上，研究......
【成电协·会员行】芯仕成---突破技术封锁，争创新一代射频滤波器国产代表品牌(2022-11-29)
芯仕成主要竞争产品有FBAR滤波器、介质滤波器、LTCC滤波器和MEMS滤波器等。核心技术是高品质压电薄膜材料，新型声表面波（SAW）和体声波（BAW）滤波器器件结构、制备工艺和封装方法等。
公司......
金属卤化物钙钛矿在可穿戴FPD和图像传感器应用中的性能(2024-06-04)
究采用了一种更稳定的含铯三阳离子钙钛矿（FA0.92Cs0.04MA0.04PbI3，厚度为500 nm）作为光敏材料，这种材料已被证明更稳定，受周围变量波动的影响更小。
图3 控制电极施加0和0.1 V时，电场调制FPD的光电特性
为了......
中国芯片，再突破！(2024-05-09)
，且在双折射、透明窗口范围、抗光折变、频率梳产生等方面相比铌酸锂更具优势。此外，硅基钽酸锂异质晶圆（LTOI）的制备工艺与绝缘体上的硅（SOI）更加接近，因此钽酸锂薄膜......
半导体制造工艺——挑战与机遇(2024-01-12)
术包括将单个图案分解成多个微量极的图案，然后转移到晶片表面。致使创建的图案可以小于光刻技术中所使用的辐射波长。
掺质
掺质是向硅片中加入特定的介质以改变其电特性。掺质技术的进步一直是半导体行业快速发展的关键因素。这一技术的进步是得益于新的介质材料的......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
在激光雷达和精密测量等方面实现应用。当前，该研究已攻关8英寸晶圆制备技术，为更大规模的国产光电集成芯片和移动终端射频滤波器芯片的发展奠定了材料基础。
钽酸锂异质集成晶圆制备及高性能光子芯片示意图
图片来源：上海......
中科院化学所在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展(2022-04-06)
表明，弯液面TCL形变与流体浓度不对称分布是取向纯化的关键因素。通过与双取向晶体薄膜的对比研究发现，单一取向晶体薄膜的迁移率显著提高，并表现出电荷传输的各向异性。基于此，研究制备了有机偏振光电探测器件，在线性偏振光的照射下表现出偏振响应特性......
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~(2023-03-17)
与器件。
近两年，我国在氧化镓材料的制备上不断取得突破性进展，相关技术也逐步成熟。
2022 年 5 月，浙大杭州科创中心首次采用新技术路线成功制备 2 英寸氧化镓晶圆，不仅......
浙江光电产业新政发布，高额补贴高端芯片等领域(2021-11-10)
发展大尺寸超薄玻璃基板、柔性玻璃基板、光学显示薄膜等显示元器件，补链发展有机发光材料、光学级PET切片、高性能聚酰亚胺光膜材料、宽幅偏光片等显示关键材料。加快新型显示产业从元器件向面板和整机发展，积极引入高世代TFT-LCD......
我国科研团队成功突破新型太阳能电池制备难题(2024-08-05)
叠层电池是一种新型太阳能电池，由晶硅和钙钛矿两种材料组合吸光，相较传统晶硅电池具有发电成本低、光电转化效率高的特点。长期以来，这款新型电池在制备过程中，常出现钙钛矿薄膜不均匀和晶体质量差等问题，导致成品出现缺陷，影响光电......
可穿戴PPG传感器中先进材料的制备、性能及应用综述(2024-05-11)
可穿戴PPG传感器中先进材料的制备、性能及应用综述;光电容积脉搏波描记法（PPG）技术可以利用低成本的可穿戴传感器测量多种生理和心理参数，同时其也正在重塑现代医疗保健。先进材料在提高PPG传感......
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！(2024-09-14)
产业化工作，主要从事氧化镓单晶材料生长、氧化镓衬底及外延片研发、生产和销售工作，产品主要应用于功率器件、微波射频及光电探测等领域。
据称，富加镓业是国内目前唯一一家同时具备6英寸单晶生长及外延的公司，开工......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
镓相比宽禁带半导体具有更高的能量转换效率。目前，氧化镓材料制备水平进展较快，但是外延、器件方面还有很多工作要做。
“氧化镓的禁带宽度比氮化镓、碳化硅等更宽，功率可以做得更高，也更加省电。氧化镓的制备......
【对话前沿专家】基于铁电晶体管科研，共探集成电路的创新之路(2024-09-13)
出耐久性是铁电存储器应用中一个核心的挑战，团队的目标是优化铁电存储器的性能，研究涉及铁电耐久性原理研究、耐久性优化和存储密度以及阵列的制备等方面。
铁电存储器有独到特性和应用前景
张欣：您如何看待铁电材料......
【对话前沿专家】基于铁电晶体管科研，共探集成电路的创新之路(2024-09-11)
从多个角度进行全面的考量，包括铁电材料本身对电场的响应，以及界面结构和界面缺陷对电场分布的影响。
铁电材料因其独特的物理特性，在集成电路、传感器、驱动器、热学器件以及光电......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
适用于微电子领域，用于制备高频、高温、大功率器件；6H-SiC特别适用于光电子领域，实现全彩显示。
随着SiC技术的发展，其电子器件和电路将为系统解决上述挑战奠定坚实基础。因此SiC材料的......
Chip中国芯片科学十大进展公布(2024-09-04)
大规模硬件集成神经形态视觉感知芯片奠定了理论与器件基础。
基于光量子芯片实现多光子纠缠态的制备及相干调控
南京大学马小松、陆延青、祝世宁研究团队基于集成光学技术，首次在硅基光量子芯片上实现了对四光子Dicke态的高质量制备、操控......
嵌入式存储器的前世今生(2017-06-19)
。未来发展需要解决的主要难题：一是采用3D结构缩小单元面积提高集成度；二是提高铁电薄膜特性。
RRAM还是一项前沿的研究课题，目前还主要停留在实验室阶段。未来材料的寻找仍然是RRAM面临......
氧化镓半导体器件，中国再获重要进展(2022-12-14)
比较。（c）封装器件反向恢复特性测试电路。（d）与已报道的氧化镓肖特基二极管的性能比较。
氧化镓光电探测器
光电探测器在目标跟踪、环境监测、光通信、深空......
南大光电承担的国家科技重大专项项目通过验收(2021-07-30)
光刻胶产品的开发和产业化。该子课题主要在以下方面开展研究：1、ArF光刻胶产品配方及工艺的开发；2、配方关键组分材料的开发；3、ArF光刻胶产品及关键组分的分析测试能力的研究；4、ArF光刻......
如何实现对人类PPG信号的实时监测(2024-06-04)
构建相应的机械保护结构，如3D互连封装结构。通过这种方法，发光二极管和光电探测器可以应用于弯曲的表面，如手指关节和腹部。另一种解决这一问题的方法是利用柔韧材料的柔软特性来设计柔性光电器件，使其......
筑波网络科技x美商泰瑞达共创卓越-4/17第三代半导体材料与测试技术研讨会(2024-04-19)
筑波网络科技x美商泰瑞达共创卓越-4/17第三代半导体材料与测试技术研讨会;本文引用地址：
图 左起清大材料科学工程学系 严大任教授兼全球长、SEMI Taiwan/ 阳明交大光电工程研究所 郭浩......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破;近日，厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在（β-Ga2O3）外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展，为β-Ga2O3异质外延薄膜......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
异质外延薄膜的大面积生长和高性能的器件应用提供了重要支持。
β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm)，简单二元组成，带隙可调，制备工艺简单等优势在日盲光电探测器领域受到广泛关注。在β......
除了功率和射频，化合物半导体还有哪些发展契机？(2021-03-29)
纤激光器中，其发射模块的制备需要利用先进的材料生长技术和半导体工艺技术将激光器、调制器等光器件与相关的驱动电路、放大电路等电子电路集成在同一芯片上——光电集成电路（OEIC）。
目前OEIC光发......
国内首条！中国芯片“点亮”！(2024-09-26)
在全球率先研制出了12英寸(直径300mm)的超大尺寸光学级铌酸锂晶体。
完成这项科研攻关的是山东恒元半导体科技有限公司，该公司成立于2021年，自成立以来，一直致力于铌酸锂、钽酸锂等光电材料、压电材料的......
关于二维/石墨烯材料及电子器件测试介绍(2023-04-18)
特点及选型原则的示意图，结合被测纳米材料或纳米电子器件的类型及测试要点，选择最适合的SMU。4200 – SCS 几乎适用于全部种类的纳米材料的测试，当然，某些特殊的源表更适合一些特殊的应用。
纳米线/碳纳米管及电子器件测试......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
镓在大功率和高频率应用中具有优势，且导通电阻更低，损耗更小。
目前，中国、日本、韩国等国的研究机构和团队在氧化镓材料的技术研发和产业化方面都取得了一定的进展。其中，厦门大学的研究团队在氧化镓外延生长技术和日盲光电探测器制备......
“量子点”获诺奖背后，扑浪量子助力技术产业化应用(2023-10-07)
先驱者之一。孙教授早年从事ZnO纳米材料的光电特性相关研究，在2010年前后其研究重心开始转向量子点相关领域，2015年回国创立了扑浪量子的前身扑浪创新，实现了量子点材料的放大生产、量子点材料......
度亘核芯推出用于车载激光雷达的940nm耐高温激光芯片与光纤耦合泵浦模块(2023-04-13)
：940nm光纤耦合泵浦模块的典型光电特性曲线（25℃ & 105℃）
在可靠性方面，该激光泵浦模块经过了20G加速度、20-2000HZ频率的机械振动测试......
航绘空天新篇 光领智造发展 2023中国（长春）航空航天及光电产业创新大会开幕(2023-07-31)
沿科学问题；如何打造成熟的硅基光电异质集成工艺平台，支撑新一代信息技术发展的需求，如何突破激光时空特性测试计量短板难题，中高端传感器如何实现自主可控，如何谱写智能网联汽车的“中国方案”，如何突破反谐振空芯光纤降损及大规模工业化制备......
【对话前沿专家】基于铁电晶体管科研，共探集成电路的创新之路(2024-09-11)
从多个角度进行全面的考量，包括铁电材料本身对电场的响应，以及界面结构和界面缺陷对电场分布的影响。
铁电材料因其独特的物理特性，在集成电路、传感器、驱动器、热学器件以及光电探测器等多个领域展现出巨大的应用潜力。尤其......
【对话前沿专家】基于铁电晶体管科研，共探集成电路的创新之路(2024-09-12 09:20)
本身对电场的响应，以及界面结构和界面缺陷对电场分布的影响。铁电材料因其独特的物理特性，在集成电路、传感器、驱动器、热学器件以及光电探测器等多个领域展现出巨大的应用潜力。尤其......
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展(2022-12-13)
第一作者为我校微电子学院博士生郝伟兵，微电子学院龙世兵教授和徐光伟特任副研究员为论文共同通讯作者。
图1结终端扩展氧化镓肖特基二极管。（a）器件结构示意图。（b）具有不同JTE区域电荷浓度的器件击穿特性比较。（c）封装器件反向恢复特性测试......
相关企业
;深圳市三才科技有限公司;;深圳市三才科技有限公司是一家致力于柔性功能薄膜材料及关联产品的研发、生产、加工、贸易为一体的民营高科技企业。公司拥有先进的大型真空磁控溅射卷绕镀膜设备,是目前国内最大的光电薄膜及相关材料
膜,静电膜,液晶防刮保护膜,手机保护膜.... 4.导电薄膜材料 ITO导电膜,EMI导电膜,铜箔,铝箔,导电胶,导电布 5.绝缘材料 PI薄膜,PI覆盖膜,PET,PEN,PC,PP,KAPTON 6
;无锡柏氏光电科技有限公司;;本公司的前身是<无锡金城电子材料研究所>成立于1990年,多年来一直从事研发生产和销售各种光电镀膜材料的企业,公司拥有一批多年从事材料研究的专家,并有镀膜材料
;深圳市标信达光电有限公司;;我公司成立于1999年，是一家专业以光电薄膜科技为中心的研发生产企业。具国际认证专业的真空镀膜公司，引用德国名厂离子镀膜设备（Leybold-Aps1104），还有先进的光度测试
;东莞市泰达光电薄膜材料经营部;;因为专注，所以专业！泰达电子材料有限公司成立于2006年，主要从事各类触摸屏及知名电子元器件产品的代理销售。从业多年以来，泰达深耕电子电器行业，与众
：绝缘材料，工业光电薄膜，平面保护材料，工业胶带，硅油纸，离型膜，工业泡棉，EMI导电/电磁屏蔽材料等 化工原料：聚乙烯塑料粒子，液碱，氧化镁等化工原料。
;深圳市东腾达科技有限公司;;本公司成立于2005年3月,专业销售进口PET聚脂薄膜和光电薄膜,视窗保护膜!以诚信,双赢的原则,将走在同行的前端,真诚等待您的合作!!
;深圳精工薄膜材料有限公司;;公司专业销售PET聚酯薄膜。经营的特色是专业性强、以PET膜为主，主要品种有PET12-350um、宽度：50-2000mm、颜色：透明、油墨处理、电晕处理、防静
;东莞市精安pet薄膜材料有限公司;;我司专业销售PET聚酯薄膜。经营的特色是专业性强、以PET膜为主，主要品种有PET12-350um、宽度：50-2000mm、颜色：透明、油墨处理、电晕
;东莞市恩华自动化设备有限公司市场部;;东莞市恩华自动化设备有限公司座落于风景秀丽、交通便利的东莞市万江区，毗邻东莞市汽车总站，广深高速公路，与五环路相连，交通便利.公司产品现有LED光电特性测试