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对直流电机驱动控制电路的其他部分进行详细介绍。 H桥驱动电路设计 在直流电机控制中常用H桥电路作为驱动器的功率驱动电路。由于功率MOSFET是压控元件，具有输入阻抗大、开关速度快、无二次击穿现象等特点，满足高速开关动作需求，因此常用功率......
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识;高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势，高频工作导致功率元件开关损耗增加，因此要使用软开关技术，保证在高频工作状态下，减小功率元件开关损耗，提高......
P通道功率MOSFET及其应用;Littelfuse 虽不及广泛使用的N通道MOSFET出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加，的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用......
英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容;【2023年8月3日，德国慕尼黑讯】小型分立式功率MOSFET在节......
Ameya360：平面MOSFET与超级结MOSFET区别;今天,Ameya360给大家介绍近年来中的高耐压的代表超级结。本文引用地址：功率晶体管的特征与定位 首先来看近年来的主要功率晶体管Si......
东南亚地区疫情严峻，其位于马来西亚一处厂房在本月16日因疫情而短暂关闭，但事件影响有限，工厂也于昨(18)日重启运作。 功率器件——MOSFET的地位和角色 公开资料显示，功率器件是分立器件的一个重要分支，可分为功率......
P沟道功率MOSFETs及其应用; ，虽不及广泛使用的N沟道出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用P沟道......
英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大MOSFET器件的产品阵容; 【导读】小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外......
半导体本次拟发行股份不超过3750万股，发行股份数量占发行后总股本的比例不低于25%，拟募集资金金额11.80亿元用于8英寸功率半导体制造项目（一期）。 资料显示，龙腾半导体成立于2009年7月，主营业务为以功率MOSFET......
进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 文：英飞凌科技高级应用工程师Jorge......
详解大功率电源中MOSFET功耗的计算;功率是便携式设备中大功率的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些是最难确定的元件。本文给出了计算功耗以及确定其工作温度的步骤，并通......
三菱电机发布商用手持双向无线电用6．5W硅射频高功率MOSFET样品; 三菱电机集团近日宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET......
控制器通道可以驱动两个逻辑电平MOSFET以转换直流电压到CCFL驱动所需要的高压交流波形。在有些应用中，功率MOSFET需要更大的驱动能力和更高的栅源电压，用单个通道驱动多个灯管。该应......
英飞凌推出先进的OptiMOS功率MOSFET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容;小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低......
半导体厂商众多，英飞凌、安森美、意法半导体、恩智浦、瑞萨等功率半导体IDM厂商均有在当地设厂，主要生产MOSFET(场效应晶体管）等功率半导体产品。 资料显示，功率......
三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品; 【导读】三菱电机集团近日（2024年2月27日）宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率......
汽车电子系统功率MOSFET的解决方案;过去15到20年间，汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因......
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应;在关断状态下，功率的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。体二极管的击穿或表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量流动。典型......
英飞凌推出OptiMOS™功率MOSFET，扩大采用PQFN 2mmx2mm封装;【2023年8月3日，德国慕尼黑讯】小型分立式在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率......
Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET;中国北京，2023年10月24日讯 –  Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联......
Vishay新款80V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达先进水平，提高功率密度、能效和热性能;Vishay的新款80V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到先进水平，可显著提高功率......
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V， 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率;【2024年6月25日，德国慕尼黑讯】随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务......
谐振变换器 图2. LLC谐振变换器的典型波形 LLC谐振变换器的失效模式 ◆ 启动失效模式 图3. 启动时功率MOSFET的测得波形 图4. 启动时功率MOSFET的仿真波形 图3和图4给出了启动时功率......
Vishay推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT; 【导读】日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市......
100W MOSFET功率放大器电路;我们设计了一个使用 的功率放大电路，可产生 100W 的输出功率，驱动约 8 欧姆的负载。 所设计的功率放大电路具有效率高、交叉失真和总谐波失真的优点。本文......
 WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。  WNMD2196A 超低Rss(ON)，专为手机锂电池保护设计 近几年，手机快充技术飞速发展，峰值充电功率......
Vishay推出新型EMIPAK 1B封装二极管和MOSFET功率模块;Vishay推出新型EMIPAK 1B封装二极管和MOSFET功率模块，为车......
智能配电系统. eFuse智能开关集成了控制电路和功率开关，其中，控制电路连接微控制器。如果是高限流大功率汽车配电系统，还需另选用高耐变性、低导通电阻的功率 MOSFET 作为外部功率开关。 功率......
智能配电系统 eFuse智能开关集成了控制电路和功率开关，其中，控制电路连接微控制器。如果是高限流大功率汽车配电系统，还需另选用高耐变性、低导通电阻的功率 MOSFET 作为外部功率开关。 功率......
升级具体包括第三代高速屏蔽栅中低压 MOSFET 及高鲁棒性中低压 MOSFET 产品的涉及工艺技术提升。 新结构功率器件研发及产业化项目 项目投资10,770.32 万元，本项目拟在未来三年陆续推出高速率 IGBT、超级......
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著;商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机......
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？;在关断状态下，功率的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。体二......
Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET;Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司......
Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET;Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司......
推动汽车电子功率器件变革的新型应用——功率MOSFET篇;过去15到20年间，汽车用已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用......
英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25-150V OptiMOS™源极底置功率MOSFET;英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25-150V OptiMOS™源极底置功率MOSFET......
或变速器，“三电系统”即电池、电机、电控系统取而代之，新增DC-DC模块、电机控制系统、电池管理系统、高压电路等核心部件，在这些部件中MOSFET、 IGBT 等功率器件都起着非常关键的作用。 功率......
新产品具有较窄的栅极阈值电压（V GS(th)），支持并联 MOSFET设计，以增加输出功率能力。60 V MOSFET产品型号为IAUTN06S5N008、IAUTN06S5N008G 和 IAUTN06S5N008T......
一款简单的MOSFET功率音频放大器电路;这款简单的MOSFET功率音频放大器电路具有TL071C和2个MOSFET（IRF9530和IRF530），可在45Ω扬声器上提供高达8W的功率，在70Ω......
IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计;本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、/。栅极驱动功率......
的应用。对于电动汽车充电站而言，SiC MOSFET 主要用于三相有源功率因数校正电路和双向 DC-DC 转换器。而SiC BCD（肖特基势垒二极管）通常用于升压功率因数校正电路。 黄文源(电子......
开关效率和设计鲁棒性 【2023 年 5 月 12 日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7......
Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET; 【导读】芝加哥2023年10月10日讯-- Littelfuse公司 （NASDAQ: LFUS）是一......
出。 3.3kV 集成SBD SiC-MOSFET 模块 近年来，为降低全球社会范围内的碳排放，功率......
SiC-MOSFET 模块 近年来，为降低全球社会范围内的碳排放，功率半导体器件正越来越多地被用于高效电力变换场合，特别是在重工业中，这些器件被用于变流器设备，如轨......
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率; 【导读】随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率......
截面；下:并联芯片） 三菱电机集团近日（2023年6月1日）宣布，其开发出一种集成SBD的SiC-MOSFET新型结构，并已将其应用于3.3kV全SiC功率......
%，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数（FOM）创业......
这一发展趋势，推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封装的新半导体产品，进一步补充其OptiMOS™ 5 系列60V至120V 车用MOSFET 产品组合。这些......
英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30V产品组合;【2024年9月27日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司推出全新StrongIRFET™ 2功率MOSFET......

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;深圳市东河口电子商行;;专营：功放IC、电源管理IC、高频管、肖特基、内存IC、稳压管、二三极管.MOSFET场效应管、功率管、桥式整流器等
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;深圳市昭新电子有限公司;;专注于集成电路IC,单机片,常销二三极管,大小功率MOSFET,肖特基,快恢复,可控硅等电子元器件