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英飞凌推出第二代CoolSiC MOSFET，为电力电子领域设定新标准;在当今高度依赖电力的社会中，功率损耗已成为电力电子领域不可忽视的关键因素。为满足行业对更高效、更可靠的电力处理方案的需求，英飞......
英飞凌推出第二代CoolSiC MOSFET，为电力电子领域设定新标准;在当今高度依赖电力的社会中，功率损耗已成为电力电子领域不可忽视的关键因素。为满足行业对更高效、更可靠的电力处理方案的需求，英飞......
列通过先进的沟槽技术设计达到优异性能和效率。此系列 MOSFET 专为汽车和工业电力系统设计，提供优异的品质因数（FOM），显著降低 RDS(ON) 和电容。这确保了最低的导通和开关损耗，从而提升了整体性能。 新系列 MOSFET 提供......
PowerTrench®系列和EliteSiC 650V MOSFET的强大组合为数据中心应用提供了一种完整解决方案，该方......
数据中心为了满足人工智能计算的庞大处理需求而变得越来越耗电，提高能效变得至关重要。安森美最新一代T10 PowerTrench®系列和EliteSiC 650V MOSFET的强大组合为数据中心应用提供了一种完整解决方案，该方......
电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。 碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件......
和EliteSiC 650V MOSFET的强大组合为数据中心应用提供了一种完整解决方案，该方案在更小的封装尺寸下提供了无与伦比的能效和卓越的热性能。本文引用地址： 与一般的搜索引擎请求相比，搭载......
应对人工智能数据中心的电力挑战;Meeting the AI Data Center Power Challenge 应对人工智能数据中心的电力挑战 国际能源署 (IEA) 的数据表明，2022......
利用集成驱动的氮化镓提升功率密度;自 20 世纪 60 年代以来，硅基MOSFET一直是电力电子应用的标准。另外，越来......
和电网等。主要分为单极型和双极型。双极型：功率二极管、晶闸管、BJT（双极性三极管）、电力晶体管（GTR）、IGBT。单极型：MOSFET，肖特基二极管。根据每个细分产品的物理性能不同，不同......
-MOSFET晶圆（示意图） （右）用于xEV的SiC-MOSFET裸片布局（出货样品示意图） 功率半导体，作为促进全球脱碳的关键器件，能够高效转换电力......
能效变得至关重要。安森美最新一代T10 PowerTrench®系列和EliteSiC 650V MOSFET的强大组合为数据中心应用提供了一种完整解决方案，该方......
出。 3.3kV 集成SBD SiC-MOSFET 模块 近年来，为降低全球社会范围内的碳排放，功率半导体器件正越来越多地被用于高效电力......
SiC-MOSFET 模块 近年来，为降低全球社会范围内的碳排放，功率半导体器件正越来越多地被用于高效电力变换场合，特别是在重工业中，这些器件被用于变流器设备，如轨......
MOSFET*1 “PrestoMOS™”产品阵容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新产品，非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电机驱动。   近年来，全球电力供应日趋紧张，这就......
实现功率模块的小型化、大容量和更低的开关损耗，有望在铁路、电力系统等大型工业设备中得到广泛应用。到目前为止，由于集成SBD的SiC-MOSFET功率模块的抗浪涌电流能力相对较低，浪涌电流只集中在某些特定的芯片上，导致......
三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块; 【导读】三菱电机集团近日（2024年6月10日）宣布，从6月10日起开始为包括铁路和电力......
同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”;有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量，并降......
PANJIT最新高效能60V/100V/150V车规级MOSFET系列; 推出最新的60V、100V 和 150V 车规级 ，此系列通过先进的沟槽技术设计达到优异性能和效率。此系列  专为汽车和工业电力......
师老前辈可能还记得双极晶体管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快，或者IGBT模块将双极达林顿晶体管模块踢出逆变器的速度有多快。 电力电子的驱动力一直是降低损耗、小型化和提高可靠性。预计这将继续下去。那么，是否......
变器设计电压高达 800 V。 虽然硅仍然在电力电子领域占据主导地位，但 SiC 提高了牵引逆变器核心功率 MOSFET 的标准，牵引逆变器将高压电池组的电力转换为电动汽车电机的电力。其中，高效、可靠......
应对人工智能数据中心的电力挑战;本文引用地址： 国际能源署 (IEA)的数据表明，2022 年数据中心的耗电量约占全球总用电量的 2%，达到 460 TWh 左右。如今，加密货币和人工智能/机器......
生成式人工智能热潮下，节能高效也成为了香饽饽;据《纽约客》报道，荷兰国家银行数据专家Alex de Vries估计，OpenAI旗下聊天机器人ChatGPT每天消耗超过50万千瓦时的电力，用于......
应对人工智能数据中心的电力挑战; 国际能源署 (IEA) 的数据表明，2022 年的耗电量约占全球总用电量的 2%，达到 460 TWh 左右。如今，加密货币和/机器学习 (AI/ML) 等高......
三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC－MOSFET模块;三菱电机集团近日（2024年6月10日）宣布，从6月10日起开始为包括铁路和电力系统在内的大型工业设备提供低电流版本3.3kV/400A和......
探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。 电力电子电路不断发展以实现更高的效率，绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）等电力电子设备为令人兴奋的创新打开了大门。硅......
) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用......
增“R60xxRNx系列”3款新产品，非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电机驱动。本文引用地址：近年来，全球电力供应日趋紧张，这就要求设备要更加节能。据了解，电机所需的电力占全球电力......
中心能够减少约1%的电力损耗。如果在全球的数据中心实施这一解决方案，每年可以减少约10太瓦时的能源消耗，相当于每年为近百万户家庭提供全年的用电量[2]。EliteSiC 650V MOSFET提供......
芯联动力与南瑞半导体签署合作协议：将在新型电力系统深度合作;2月2日，芯联集成(688469.SH)下属子公司芯联动力科技（绍兴）有限公司（下称“芯联动力”）与国电南瑞（600406.SH）控股......
ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率;新推出40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动 全球知名半导体制造商ROHM......
ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率;  【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx......
强茂最新高效能60V/100V/150V车规级 MOSFET系列;强茂推出最新的60V、100V和150V车规级MOSFET，此系列专为汽车和工业电力系统设计提供优异性能和效率。采用......
东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护;中国上海，2023年11月7日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导......
东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护;东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道......
电子系统效率的明显发展，电力相关设备代替传统能源设备的趋势已经日益显著。随着SiC MOSFET器件应用的范围越来越广泛，市场以及产业对SiC器件的需求也逐渐提高，需要SiC器件......
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识;高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势，高频工作导致功率元件开关损耗增加，因此要使用软开关技术，保证在高频工作状态下，减小功率元件开关损耗，提高......
东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N......
使用多个J3-T-PM能够进一步降低电感。 SiC-MOSFET可以为EV和PHEV提供更长的续航里程和更低的电力成本——使用两种类型的半导体元件：SiC-MOSFET和RC-IGBT......
创新推动低碳化和数字化 英飞凌亮相PCIM Asia 2023;英飞凌（Infineon）近日携广泛的半导体技术和产品，亮相于上海新国际博览中心举办的 “2023上海国际电力元件、可再......
于上海新国际博览中心举办的 “2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(以下简称PCIM Asia)”。 作为全球功率系统领域的半导体领导者，英飞凌的功率半导体在电力全产业链中扮演着非常重要的角色。在本次PCIM Asia上，英飞......
器。• 由于尺寸缩小，J3-T-PM的电感比现有模块*2的电感小约30%，支持高速开关。并联使用多个J3-T-PM能够进一步降低电感。SiC-MOSFET可以为EV和PHEV提供更长的续航里程和更低的电力......
亚迪半导体是国内自主可控的车规级IGBT龙头厂商。 功率器件主要是用于对电力设备进行电能变换和电路控制，如变频、变相、变压、逆变、整流、增幅、开关等。具体产品包括有二极管、晶闸管、IGBT、MOSFET等......
动系统是决定电动汽车性能的关键所在。 随着电动汽车的发展，对电力电子功率驱动系统提出了更高的要求，即更轻、更紧凑、更高效、更可靠，本文重点提到基本半导体碳化硅MOSFET B1M160120HC助力......
，其驱动系统是决定电动汽车性能的关键所在。 随着电动汽车的发展，对电力电子功率驱动系统提出了更高的要求，即更轻、更紧凑、更高效、更可靠，本文重点提到基本半导体碳化硅MOSFET......
.工业电源MOSFET方案 安森美工业电源MOSFET方案致力于推动电力转换技术的创新与效率提升，通过其MOSFET产品线为工业、云计算、5G等领......
只需要断断续续的打开大水管上的阀门就能保证桶内的水既不会干涸也不会溢出，这就是MOSFET与IGBT等可以快速开关的功率半导体的工作原理，由于晶体管不会处于常开状态，其损耗相对较小，发热较低，可靠性更高。 功率半导体器件又称为电力......
5大重要技巧让您利用 SiC 实现高能效电力电子产品！;当您设计新电力电子产品时，您的目标任务一年比一年更艰巨。高效率是首要要求，但以......
电动汽车车载充电器（OBC）和能源基础设施应用，助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。安森美将展示1200 V M3S EliteSiC和专用于驱动SiC MOSFET的NCP......
发力新能源汽车和储能市场，威兆半导体推出新一代700V SiC MOSFET;在Elexcon2024深圳国际电子展上，威兆半导体正式发布了全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET......

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