2024年6月6日 - 安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，随着为了满足人工智能计算的庞大处理需求而变得越来越耗电，提高能效变得至关重要。安森美最新一代T10 PowerTrench®系列和EliteSiC 650V MOSFET的强大组合为数据中心应用提供了一种完整解决方案，该方案在更小的封装尺寸下提供了无与伦比的能效和卓越的热性能。

与一般的搜索引擎请求相比，搭载人工智能的引擎需要消耗超过10倍的电力，预计在未来不到两年的时间，全球数据中心的电力需求将达到约1,000太瓦时（TWh）。从电网到处理器，电力需要经过四次转换来为人工智能请求的处理提供电能，这可能导致约12%的电力损耗。通过使用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解决方案，数据中心能够减少约1%的电力损耗。如果在全球的数据中心实施这一解决方案，每年可以减少约10太瓦时的能源消耗，相当于每年为近百万户家庭提供全年的用电量。

EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的开关性能和更低的器件电容，可在数据中心和储能系统中实现更高的效率。与上一代产品相比，新一代碳化硅(SiC) MOSFET的栅极电荷减半，并且将储存在输出电容(Eoss)和输出电荷(Qoss)中的能量均减少了44%。与超级结 (SJ) MOSFET 相比，它们在关断时没有拖尾电流，在高温下性能优越，能显著降低开关损耗。这使得客户能够在提高工作频率的同时减小系统元件的尺寸，从而全面降低系统成本。

另外，T10 PowerTrench 系列专为处理对DC-DC功率转换级至关重要的大电流而设计，以紧凑的封装尺寸提供了更高的功率密度和卓越的热性能。这是通过屏蔽栅极沟槽设计实现的，该设计具有超低栅极电荷和小于 1 毫欧的导通电阻RDS(on)。此外，软恢复体二极管和较低的 Qrr 有效地减少了振铃、过冲和电气噪声，从而确保了在压力下的最佳性能、可靠性和稳健性。T10 PowerTrench 系列还符合汽车应用所需的严格标准。

该组合解决方案还符合超大规模运营商所需的严格的开放式机架 V3 (ORV3) 基本规范，支持下一代大功率处理器。

"人工智能和电气化正在重塑我们的世界，并使电力需求激增。加快的创新以改善能效是实现这些技术大趋势的关键，这也正是安森美负责任地为未来赋能的方式。"安森美方案分部总裁Simon Keeton表示，“我们的最新解决方案可以显著降低能量转换过程中的功率损耗，将对下一代的需求产生积极的影响。