国外的半导体器件的功率降额曲线

2400A，因此在故障电流20kA下，200A熔断器允通电流降至2400A，将近10倍的限流能力能够更好保护后级半导体器件。从曲线也可以看出，允通电流并不是一个固定值，随着故障电流的增加，允通...

示波器探头的降额曲线(Derating Curve)指标对测量结果有什么影响;　　为什么电压探头会有降额曲线(Derating Curve)指标，它的意义是什么呢? 　　绝大...

LEDs的输出： 在这种状况下，效率更高可以达到93%(图1中蓝色曲线)，功耗会增至490mW。然而，根据降额曲线(图2)来看，这个集成电路无法补偿高于450mW的功率损耗。这意味着将会导致电路过热。也就...

半导体器件击穿机理分析及设计注意事项;在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及...

载电路中，不仅要满足电路的容值需求，更重要的是要符合AEC-Q200中所列的苛刻的条件包括高温等以及其它的客户自己的更高的要求。 电压降额曲线 如您想将T599系列电容器用于最高温度可达150°C的汽...

网等，对于高速、高效的半导体器件的需求也日益增长。第三代半导体功率器件在雷达、激光雷达（LiDAR）、图像处理等关键环节的应用，可以实现更快的数据处理速度、更低的能耗和更高的可靠性。 汽车电子系统 汽车...

技术公司，在作为半导体核心技术的器件领域有深厚的技术积累，专注半导体器件技术创新，拥有多项半导体器件核心专利。 2013年下半年，东微半导体原创的半浮栅器件的技术论文在美国《科学》期刊上发表，标志着国内科学家在半导体...

降低了漂移区电阻率，以获得更低的Ron和更高的功率性能。 3、高电子饱和漂移速率：在半导体器件工作过程中，多数是利用电子作为载流子实现电流的传输。高电子饱和漂移速率可以保证半导体器件...

Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍;奈梅亨，2022年11月18日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天...

佳能发售面向小尺寸基板的半导体曝光设备“FPA-3030i6”;采用新开发镜头、拥有多项option，适应市场潮流扩大的功率器件领域 佳能※1于2024年9月24日发布新型半导体曝光设备FPA...

电阻器的标称阻值是它两根固定引脚之间的阻值。 （2）额定功率 指正常工作时可承受的功率，其值为可变电阻两端的额定电压乘以额定电流，若工作功率大于其额定功率，则有可能会造成器件的...

季度末或第三季度开始试生产，该项目将有助于推动高端功率半导体发展，满足下游市场需求，扩大市场占有率，缓解MOSFET产能紧张的问题。 捷捷微电子总经理黄健表示，中国是全球最大的功率器件消费市场，目前高端半导体器件仍由国外...

密度的特点，使用时会涉及到解决“热”的问题。而电源本身具有过温保护功能，若想要“超降额功率”使用，则需： 1、传导散热 电源有两种封装，一种是开板、一种是带F型散热片。当参考无风环境温度降额曲线...

出色的经济性，无论晶圆材料如何，都可以优化各种半导体器件的生产。 IT之家注：这是尼康 25 年来（从 1999 年“NSR-2205i14E2”开始接单时计算）首次推出投影倍率降低 5 倍的新型 i...

出色的经济性，无论晶圆材料如何，都可以优化各种半导体器件的生产。 IT之家注：这是尼康 25 年来（从 1999 年“NSR-2205i14E2”开始接单时计算）首次推出投影倍率降低 5 倍的新型 i...

SMT功率半导体器件预加工装配通用工艺要求规范; 功率半导体器件是指能够处理较大功率（即高电压、大电流）的半导体电子器件。这些器件在电力电子系统中扮演着关键角色，用于电能的转换、控制...

Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET; 【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全...

饱和，降额曲线如图3所示。效率曲线如图4所示。 DC2896A-B电阻R114至R119通过设置总异相数(TDPN)来编程电源部分之间的相位关系。为了提高效率并减少轻负载时的开关损耗，DC2896A-B...

成本仍是一个障碍。 功率损耗更小、效率更高的功率半导体器件被称为下一代产品，氮化镓正在与碳化硅（SiC）竞争电动汽车功率半导体器件的应用。 氮化镓的功率...

情况下，需要工作温度范围更宽的电源产品，才能满足实际使用需求。 URF1D_FB-400(H)WR3系列工作温度范围宽至-40℃ to +100℃，具有优异的温度降额曲线，带来的器件发热量低，大大...

工作温度范围更宽的电源产品，才能满足实际使用需求。 URF1D_FB-400(H)WR3系列工作温度范围宽至-40℃ to +100℃，具有优异的温度降额曲线，带来的器件发热量低，大大...

家扶持与产业发展的共同努力下，国产替代持续推进，大有一种“千磨万击还坚劲，任尔东西南北风”的强者气魄。其中，作为新型功率半导体器件的主流器件，IGBT在小家电、小功率工业配套设施等部分细分领域中的国产化率已经达到50...

及应用的全套自主技术。该公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通核心器件和特高压输电工程关键器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车核心器件自主化问题。 根据招股书，中车电气的功率半导体器件...

管、LED、IC类等半导体电子器件的热阻、热容特性。 T3Ster是一款先进的半导体器件封装热特性测试仪器，在数分钟内提供各类封装的热特性数据。T3Ster专为半导体、电子应用和LED行业...

故障位置的电流和工作状态的变化等信号量，从而实现了更高灵敏度的观察。 此外，在对半导体存储器等尺寸较大的半导体器件的故障进行分析时，我们改善了具有广视野的微型聚焦镜头，成功...

，智能功率模块）是一种功能强大的集成电路模块，可以用于控制和驱动高功率电子设备，如交流电机驱动器、变频器、逆变器等。它是一种高度集成的半导体器件，通常包括功率开关、驱动电路、保护...

科技成立于2006年8月，主要从事以IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的设计、研发、生产和销售。根据招股书，宏微科技本次拟公开发行股票不超过2462.33万股，募集资金5.58亿元，扣除相关发行费用后的资金净额将用于新型电力半导体器件...

）、锗（Ge）为主，20世纪50年代，Ge在半导体中占主导地位，主要应用于低压、低频、中功率晶体管以及光电探测器中，但是Ge半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到60年代后期逐渐被Si器件取代。用Si...

近两年来出现持续缺货的局面。 功率半导体是电子产品中电能转换与电路控制的核心，是能够支持高电压、大电流的半导体器件，主要...

、FRD单管、FRD芯片、FRD模块 配套客户： 上海华虹宏力 吉林华微电子股份有限公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业，公司经科技部、中科...

设计意味着什么？ 电力电子学中，功率循环主要与焊接键合的失效有关，但是压接型封装结构不存在此失效机理。此外，压接型器件的大热容意味着半导体的升温速度要慢得多，双面冷却也减少了相同功率下的温度波动。 综合...

Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET)，管脚尺寸缩小60%;RDS(on)额外降低40%，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用基础半导体器件...

常州宏微科技二期项目开工 预计可年产新型功率半导体器件840万块;据常州日报道，5月12日，位于常州高新区龙虎塘街道的江苏宏微科技股份有限公司（以下简称“宏微科技”）二期项目开工，新增用地23亩...

和集成电路材料主要为IGBT元器件和IC半导体，其中以IGBT为主的半导体器件在驱动保护、过电流/短路保护、过温保护、机械故障保护等方面发挥巨大作用，是逆变器的“心脏”，约占逆变器成本的12％左右...

领先技术与借鉴先进经验，同时借助资本市场的力量，整合更多的上下游资源，引进更多的国内外功率半导体人才，以研发生产出更高效、高可靠性的功率半导体器件，为国内整机应用客户提供更优质的产品。  宏微...

Nexperia推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET); 【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插...

源转换器的基板式模块有极高的效率，即使环境温度高达85摄氏度，而且只采用强制气流散热，输出也无需随着温度上升而降额，换言之，其降额曲线接近平坦。这系列电源转换模块的首两款产品有3.3V和12V两种标准电压可供选择，而5V标准...

源转换器的基板式模块有极高的效率，即使环境温度高达85摄氏度，而且只采用强制气流散热，输出也无需随着温度上升而降额，换言之，其降额曲线接近平坦。这系列电源转换模块的首两款产品有3.3V和12V两种标准电压可供选择，而5V标准...

Nexperia首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET;基础半导体器件领域的高产能生产专家今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用(ASFET)，该系...

的热插拔专用MOSFET(ASFET)，管脚尺寸缩小60% RDS(on)额外降低40%，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用 奈梅亨，2023年3月22日：基础半导体器件...

焊盘没有特殊散热处理，2512的贴片电阻功率达到0.3W时，温度就可能要超过100甚至120摄氏度了。 在125摄氏度的温度下，根据温度降额曲线，2512的额度功率需降额到30...

科创板IPO注册 资料显示，东微半导体是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的...

提出在通电流过程中，当电流使端子对达到接触电阻最大值或者温升达到55℃时，记录此处电流，并乘以90%就是此端子的最大载流，但是在GMW -3191中明确指出需要绘制相关端子对的降额曲线，如图3所示。 图3 降额曲线...

供 0.8A/mm2 的功率密度。图 1 和图 2 展示了两种器件的解决方案总尺寸。 图 2: TPSM82816 解决方案总尺寸为 46mm2 优点 2：高效率和良好的热性能 在缩小尺寸并提高功率...

高可靠性及综合性能为客户提供更优选择。 一、产品优势 1）优良的温度降额曲线 大部...

Nexperia的新型双极结晶体管采用DPAK封装，为汽车和工业应用提供高可靠性; 奈梅亨，2021年7月29日：Nexperia是基础半导体器件领域的专家，今日宣布推出9款新的功率...

使用注册页面上的表格提交咨询有关GaN小组讨论会的问题。请点击在此处免费注册。 关于Nexperia Nexperia，作为生产大批量基础半导体器件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司...

市场迎来了爆发式的增长。 车规级功率半导体器件由于高工作结温、高功率密度、高开关频率的特性，伴随着车用场景中更严苛的使用环境，对功率器件的可靠性验证提出了更高的要求。 在因为功率器件...

功率循环 VS.循环功率;针对应用于2 MW范围的电力电子系统，当下关注的焦点是采用何种技术以及具有多久的生命周期。常见的功率半导体模块有两种，一种是传统的焊接键结型功率半导体模块，另一种是具有相同额定功率的压接型功率半导体...

半导体功率器件的无铅回流焊;半导体器件与 PCB 的焊接历来使用锡/铅焊料，但根据环境法规的要求，越来越多地使用无铅焊料来消除铅。大多数适合这些应用的无铅焊料是具有较高熔点的锡/银合金，相应...