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%），而氮化镓器件需要提供更高的电压设计裕量，650V器件至少需要900V以上的击穿电压（设计裕量>10%）。 （3）没有p型氮化镓管 硅基有NMOS（电子载流子）和PMOS（空穴载流子），但目......
结构如下图： 如图所示，GaN systems的氮化镓器件，解决常开的 增加型氮化镓器件的方法，是在Gate与ALGaN之前，加入一个绝缘栅，使原本常开的横向型器件，变为了一个常闭的器件。这种......
结构如下图： 如图所示，GaN systems的氮化镓器件，解决常开的 增加型氮化镓器件的方法，是在Gate与ALGaN之前，加入一个绝缘栅，使原本常开的横向型器件，变为了一个常闭的器件。这种......
方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动器配合，隔离驱动器保证了异常工作情况下对氮化镓器件的有效保护，完美展现了氮化镓......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用;未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。 本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓......
E-mode增强型器件的方案选择控制HEMT内部的2DEG—但这样的设计会对2DEG优势有负面影响。 Normally-off E-mode增强型氮化镓器件限制了2DEG的天然优势 在工程师们将横向氮化镓......
提升到120W甚至更大功率。   普通消费者，甚至对氮化镓了解不多的工程师，普遍认为氮化镓只能实现几十瓦到一百多瓦的输出功率。这种情况基本属实，因为增强型氮化镓目前只有QFN/DFN和TOLL等贴片封装形式，在中......
英诺赛科推出高集成小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201; 【导读】英诺赛科宣布推出SolidGaN系列100V半桥氮化镓功率芯片新品ISG3201。内部集成2颗100V/3.2mΩ增强型氮化镓......
产品介绍 INN700TK140C INN700TK140C是一颗耐压700V，导阻140mΩ的增强型氮化镓芯片，采用T0252封装，具备超高开关频率、无反向恢复电荷，低栅......
EPC推出新型80V、40A eToF™激光驱动器GaN IC; 【导读】宜普电源转换公司(EPC)推出新型氮化镓集成电路EPC21701，这是一款80 V激光驱动器IC，可提供15......
、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。 全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓（eGaN®）功率场效应晶体管和集成电路，最新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的......
集成电路会有增强模式或耗尽模式，因此实际上还不是CMOS，这意味着它会不断地泄漏电力，主要体现在效率和泄漏的解决方案比较中。 此外，英特尔并未使用p-GaN方法实现增强型氮化镓，英特......
集成电路会有增强模式或耗尽模式，因此实际上还不是CMOS，这意味着它会不断地泄漏电力，主要体现在效率和泄漏的解决方案比较中。此外，英特尔并未使用p-GaN方法实现增强型氮化镓，英特......
新型80V、40A eToF™激光驱动器GaN IC;宜普电源转换公司(EPC)推出新型氮化镓集成电路EPC21701，这是一款80 V激光驱动器IC，可提供15 A脉冲电流，适用......
EPC将在APEC 2024展示最前沿的电力电子解决方案;EPC的氮化镓专家将在APEC展会展示用于各种应用的新型GaN FET和IC产品作为增强型氮化镓 (eGaN®) FET 和 IC 的全......
EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET;全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司（）推出 100 V、1 mOhm 2361。这是......
器件。电源适配器以及所有通用交直流电源的低压线路（即90Vac）具有高电流，需要并联两个PQFN封装（常见于增强型氮化镓器件）的功率管，以达到所要求的功率输出——使用这种方法，器件数量翻倍，降低......
、电机驱动和太阳能 MPPT等应用实现更高的功率密度。 全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是......
高的功率密度和转换效率主要得益于设计中使用了TO-220封装的功率管。目前，业界只有Transphorm提供这种封装形式的高压氮化镓器件。电源适配器以及所有通用交直流电源的低压线路（即90Vac）具有高电流，需要并联两个PQFN封装（常见于增强型氮化镓......
和低电感电机驱动器。 作为增强型氮化镓 (eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......
适配器以及所有通用交直流电源的低压线路（即90Vac）具有高电流，需要并联两个PQFN封装（常见于增强型氮化镓器件）的功率管，以达到所要求的功率输出——使用这种方法，器件数量翻倍，降低了电源的功率密度。Transphorm的......
电话和其它消费电子系统变得越来越纤薄，功能却越来越强大。我们很高兴与Microchip Technology和Würth Elektronik合作，开发超薄且高效的解决方案，以应对在有限的空间和体积内取得更高的功率的挑战。”   宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓......
电话和其它消费电子系统变得越来越纤薄，功能却越来越强大。我们很高兴与Microchip Technology和Würth Elektronik合作，开发超薄且高效的解决方案，以应对在有限的空间和体积内取得更高的功率的挑战。”   宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓......
电话和其它消费电子系统变得越来越纤薄，功能却越来越强大。我们很高兴与Microchip Technology和Würth Elektronik合作，开发超薄且高效的解决方案，以应对在有限的空间和体积内取得更高的功率的挑战。”   宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓......
计人员提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解决方案，用于车规级激光雷达、48 V/12 V DC/DC转换和低电感电机驱动器。 作为增强型氮化镓 (eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普......
是www.epc-co.com.cn。请扫描二维码，进入微信关注宜普，成为我们的粉丝，紧贴宜普的最新动向！谢谢！ 宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN......
Technologies 已经证明其 D³GaN（直接驱动耗尽型氮化镓）半导体技术非常适合最具挑战性的大功率汽车应用。快速开关应用中需要担忧的并联以及波形振荡问题已得到解决。测试中，该逆变器相电流在400V母线......
Technologies 已经证明其 D³GaN（直接驱动耗尽型氮化镓）半导体技术非常适合最具挑战性的大功率汽车应用。快速开关应用中需要担忧的并联以及波形振荡问题已得到解决。测试中，该逆变器相电流在400V母线......
Technologies 已经证明其 D³GaN（直接驱动耗尽型氮化镓）半导体技术非常适合最具挑战性的大功率汽车应用。快速开关应用中需要担忧的并联以及波形振荡问题已得到解决。 测试中，该逆变器相电流在400V母线......
计人员提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解决方案，用于车规级激光雷达、48 V/12 V DC/DC转换和低电感电机驱动器。 作为增强型氮化镓 (eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普......
专家将在国际消费电子展(CES)上分享氮化镓技术如何增强消费电子产品的功能和性能 增强型氮化镓(eGaN®)FET和IC领域的全球领导者宜普电源转换公司(EPC)将在CES 2024展会展示其卓越的氮化镓......
公司的氮化镓专家将在国际消费电子展(CES)上分享氮化镓技术如何增强消费电子产品的功能和性能 增强型氮化镓(eGaN®)FET和IC领域的全球领导者宜普电源转换公司(EPC)将在CES 2024......
，业界只有Transphorm提供这种封装形式的高压氮化镓器件。以及所有通用交直流电源的低压线路（即90Vac）具有高电流，需要并联两个PQFN封装（常见于增强型氮化镓器件）的功率管，以达......
认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设计人员提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解决方案，用于车规级激光雷达、48 V/12 V DC/DC转换和低电感电机驱动器。 作为增强型氮化镓......
system 因此，VisIC Technologies 已经证明其 D³GaN（直接驱动耗尽型氮化镓）半导体技术非常适合最具挑战性的大功率汽车应用。快速......
Lidow说：“与采用昂贵的硅基MOSFET的逆变器相比，基于氮化镓器件的逆变器可实现更高的电机效率和更低的成本，使得电机系统可以更小、更轻，其噪音更小、扭矩更大、续航里程更长和精度更高。” 宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓......
电机系统可以更小、更轻，其噪音更小、扭矩更大、续航里程更长和精度更高。” 宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效......
外延工艺全球研发中心，并于香港科技园微电子中心（MEC）开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线，预计将在香港投资至少2亿港元（约1.82亿人民币），带动第三代半导体产业链发展。......
外延工艺全球研发中心，并于香港科技园微电子中心（MEC）开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线，预计将在香港投资至少2亿港元（约1.82亿人民币），带动第三代半导体产业链发展。......
加频率和提高效率，从而缩小电感的尺寸、减少相位和提高功率密度。" 宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓（eGaN®）的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效......
加频率和提高效率，从而缩小电感的尺寸、减少相位和提高功率密度。" 宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓（eGaN®）的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效......
加频率和提高效率，从而缩小电感的尺寸、减少相位和提高功率密度。" 宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓（eGaN®）的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效......
有限公司及其子公司（以下统称英诺赛科）侵犯。 这些专利涉及宜普公司独家的增强型氮化镓功率半导体器件的设计与制造工艺的核心环节，且这些创新技术专利已成功将基于氮化镓的功率器件从一个研究项目，发展......
更大、续航里程更长和精度更高。” 宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目......
的输出电流最大为5A，输出功率最大可达240W。为了适配 PD3.1 标准下更多电压等级的应用场景，英诺赛科宣布推出60V增强型氮化镓功率芯片 INN060FQ043A。 随着......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型;该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统 加州......
外延技术的麻省光子技术宣布，该公司计划于香港科技园设立全港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心，并于香港科技园微电子中心（MEC）开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线，预计将在香港投资至少2亿港元（约1.82亿人......
GmbH(EET)位于奥地利，是设计和生产创新、用于阳台的小型发电厂的先驱。EET公司选用了宜普电源转换公司(EPC)的增强型氮化镓(eGaN®)(EPC2204), 用于其新型SolMate®绿色......
GmbH(EET)位于奥地利，是设计和生产创新、用于阳台的小型发电厂的先驱。EET公司选用了宜普电源转换公司(EPC)的增强型氮化镓(eGaN®)功率晶体管（EPC2204）, 用于其新型SolMate......
驱动，可由专用控制器或通用MCU进行驱动控制，是数据中心模块电源，电机驱动以及D类功率放大器等48V电源系统的最佳选择。   INN040LA015A是一颗耐压40V导阻1.5mΩ的增强型氮化镓晶体管，其采......

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