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“芯”突破，具明亮基态激子的半导体纳米晶体发现！(2024-08-07)
发现标志着光电子领域的一项重大进步，可能会彻底改变高效发光器件等技术的发展。相关论文发表于新一期《美国化学学会·纳米》杂志。
百度百科显示，纳米晶体指纳米尺寸上的晶体材料，或具有晶体结构的纳米......
最大限度保持系统低噪声(2023-03-01)
单相 EMC 要求的塑料外壳滤波器最近脱颖而出。这些最新一代设备大多采用了软纳米晶体材料的专利改进技术，从而能够生成更加优化的芯核，可以提供一些独特的性能优势。
更值得注意的是，与传统 EMI 滤波......
最大限度保持系统低噪声(2023-03-06)
环形扼流圈具有多种特性，通常采用纳米晶体金属芯设计，可用于多种防止噪声领域。
然而，随着技术的快速发展，满足单相 EMC 要求的塑料外壳滤波器最近脱颖而出。这些最新一代设备大多采用了软纳米晶体材料......
中国科学院化学研究所等发展直写高性能原子级厚二维半导体薄膜新策略(2022-11-10)
合成和图案化器件方面取得了系列进展，例如，二维MXene与纳米晶复合材料研究（J. Mater. Chem. 2022, 10, 14674-14691；Nano Res. 2022，DOI：10.1007/s12274......
Intel展示全新3D晶体管：氮化镓都用上了(2023-12-12)
和氮化镓集成方面取得突破性进展，成功实现了高性能、大规模的集成电路供电方案，名为“DrGaN”。
三是全新的过渡金属二硫属化物(TMD)晶体管，可以让晶体管物理栅极长度微缩到10纳米以下。
除了这种新的2D通道材料......
什么是晶体管呢？ 世界需要更好的晶体管吗？(2022-12-15)
什么是晶体管呢？ 世界需要更好的晶体管吗？;
泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号......
台媒：台积电将在台湾建10座晶圆厂(2023-03-16)
电未来五年当中，在台湾的3纳米及2纳米晶圆厂合计将逾十座，以先进制程月产能3万片晶圆厂投资金额约200亿美元来看，总投资金额将超过2,000亿美元，并且带动包括材料、设备等台积电大联盟生态圈庞大商机。
三星......
适应数据爆炸时代的新策略，迄今最小最快纳米激子晶体管问世(2023-04-18)
时间和相干时间。这意味着对两个光信号的选择性控制可实现两位激子晶体管的开发。然而，要在纳米尺度空间中控制层内和层间激子，存在巨大挑战。
该团队在之前的研究中提出了通过用纳米级尖端压制半导体材料来控制纳米......
薛定谔的摩尔定律(2022-12-29)
定律前方是星辰大海
2016年，美国团队就宣布研制出的1纳米晶体管。不过据研究团队介绍，这个研究还处于一个很早期的阶段。实验室团队还没有一个可行性方案大批量制造。
不过3nm芯片......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-10)
其在未来继续按照摩尔定律的节奏微缩下去：
• 过渡金属二硫属化物（TMD, Transition metal dichalcogenide）2D通道材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-10)
管，分享了近期背面供电研发突破的扩展路径（如背面触点），并率先在同一块300毫米晶圆上，而非封装中，成功实现了硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。
“ 我们......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-11 11:28)
其在未来继续按照摩尔定律的节奏微缩下去：●过渡金属二硫属化物（TMD, Transition metal dichalcogenide）2D通道材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特......
无需半导体材料的电子器件问世(2024-10-23)
复杂的逻辑电路都可由这些逻辑门组成。晶体管可以实现对输出电流的开关控制，通过不同电路配置，实现多个逻辑门功能。此次，科研团队成功利用全3D打印技术，制作出了不需要半导体材料的有源电子设备组件。虽然性能不足以媲美晶体管，但掺杂铜纳米......
性能提升20倍！美国全新纳米级3D晶体管面世(2024-11-07)
性能提升20倍！美国全新纳米级3D晶体管面世;
11月7日消息，据报道，美国麻省理工学院团队利用超薄半导体材料，成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。
这款晶体......
中国科研团队在半导体领域实现新进展(2024-09-27)
唯一一种经过实验验证同时具有铁磁和半导体特性的1D材料，在探究其特性和应用方面具有重要意义。然而，到目前为止，CrSbSe3纳米晶体仅能通过自上而下的剥离方法获得。
基于此，该团队报道了一种自下而上的溶液法用于合成CrSbSe3......
摩尔定律还能延续？纳米碳管电晶体性能已超越矽电晶体(2016-10-18)
的 1 英寸纳米碳管晶体。纳米碳管的许多设想仍有待实现，但我们终于在 20 年后完成超越。”
那么问题来了，石墨烯和纳米碳管谁会成为下一代半导体材料？
（本文由 授权转载）
如需......
黑科技？激光使电子设备不再依赖半导体材料！(2016-11-10)
牵涉一些有趣的研究和颇具科幻色彩的概念。
加州大学圣地亚哥分校工程师开发了一种由光控制的微电子设备，其中包含由金纳米管构成的超颖表面。受到激光照射后，超颖表面能产生高强度电场。
这种不采用半导体材料......
SiC和GaN的供应链考量(2024-07-24)
种微小的颗粒，大小通常在1到100纳米之间，因其晶体结构也被称为“纳米晶体”。它是一种成本效益高的解决方案，能够用来生产各种经济型的设备，比如燃料电池和太阳能电池。与块状材料相比，纳米......
日媒：日企量产100毫米氧化镓晶圆 将于今年内开始供应(2021-06-16)
日媒：日企量产100毫米氧化镓晶圆 将于今年内开始供应;据日经中文网6月16日报道，由日本电子零部件企业田村制作所和AGC等出资成立的Novel Crystal Technology在全球首次成功量产以新一代功率半导体材料......
国际团队开发出一种“3D光量子存储器”原创技术(2023-06-08)
国际团队开发出一种“3D光量子存储器”原创技术;包括韩国蔚山科学技术研究院在内的国际联合团队最近开发出一种“3D光量子存储器”原创技术，在光射态纳米粒子（ANP）中发现了可控制无限反复闪烁的“纳米晶体......
宾夕法尼亚州立大学与安森美签署谅解备忘录以推动碳化硅研究(2023-05-17)
双方签署了一份谅解备忘录 (MOU)，旨在开展一项总额达 800 万美元的战略合作，其中包括在宾夕法尼亚州立大学材料研究所 (MRI) 开设安森美碳化硅晶体中心 (SiC3)。未来 10 年，安森美每年都将为 SiC3 中心......
“量子点”获诺奖背后，扑浪量子助力技术产业化应用(2023-10-07)
G.Bawendi）、美国哥伦比亚大学教授路易斯·E·布鲁斯（Louis E. Brus） 和美国纳米晶体科技公司科学家阿列克谢·伊基莫夫（Alexei Ekimov），以表......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-11 09:36)
, Transition metal dichalcogenide）2D通道材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-11)
, Transition metal dichalcogenide）2D通道材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体......
国产5nm碳纳米管研究新突破，摩尔定律有救了(2017-01-21)
到目前为止，并没有机构能够实现10纳米的新型CMOS器件，而且也没有新型器件能够在性能上真正超过最好的硅基CMOS器件。
碳纳米管被认为是构建亚10纳米晶体管的理想材料，其原......
北京邮电大学即将成立集成电路学院，大力推进集成电路学科建设与发展(2022-03-22)
和非弹性电子散射的理论框架，建立了确定材料结构的方法和所需的重要参数库。在碳基电子学领域，发展形成了整套碳基CMOS集成电路无掺杂制备新技术，首次制备出性能接近理论极限，栅长仅5纳米的碳纳米晶体管，实现......
直击台积电2022年技术论坛现场：最新产能规划、2nm芯片、特色工艺全覆盖(2022-07-04)
管结构、新材料、持续微缩和新导体材料等方面。例如，多年来，标准半导体架构的演变已经从平面式晶体管转至鳍式场效晶体管(FinFET)，并将再次发展到纳米片晶体管。甚至在纳米片之外，未来......
人类拍摄到半导体材料内部电子运动，开启更强工艺制程宝盒(2016-10-20)
人类拍摄到半导体材料内部电子运动，开启更强工艺制程宝盒;
《自然—纳米技术》杂志11日在线发表论文称，科学家们利用飞秒技术首次成功拍摄到半导体材料内部电子状态变化。该成......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子......
量子点技术OUT！OLED称霸下一代显示技术(2016-10-15)
技术在三星等厂商的努力下，克服了分辨率低、亮度低、色彩过饱和等等缺陷，渐渐地成为了现在最受欢迎的显示材料之一，但是与之相比，QLED的脚步则显得有些过于慢了。
其实量子点技术也是以自发光作为卖点提出的，其原理是在光源上覆盖一层半导体纳米晶体......
华为Mate50昆仑玻璃版本订单占5成，耐摔成为购机参考标准(2022-09-16)
因为一块玻璃的损坏，消费者可能需要承担高昂的维修费，把屏幕、中框、和电池同时换掉。为了降低手机意外跌落时的损伤，给广大消费者更可靠、更抗摔的手机使用体验，华为Mate50系列首发使用“昆仑玻璃”，极大提升手机可靠性。昆仑玻璃中含有亿亿级的高强度纳米晶体......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
在当时实验室条件下还无法探测氧化镓禁带宽度边界。对于半导体材料禁带宽检测，一般在为15到20微米半导体材料上进行，由于氧化镓能力强，这么大的面积根本无法检测到边界，因此降至600纳米，探到的数值为近5eV，但据推算，当时......
我国科研团队在下一代芯片领域取得新突破(2024-07-23)
该 TPU 的五层卷积神经网络可以在功耗仅为 295μW 的情况下，实现高达 88% 的 MNIST 图像识别准确率。
研究团队通过优化碳纳米管制造工艺，获得了纯度高达 99.9999% 的半导体材料......
我国科研团队在下一代芯片领域取得重大突破(2024-07-23)
该TPU的五层卷积神经网络可以在功耗仅为295μW的情况下，实现高达88%的MNIST图像识别准确率。
研究团队通过优化碳纳米管制造工艺，获得了纯度高达99.9999%的半导体材料......
如何实现纯电动汽车电机驱动系统三相线滤波磁环的设计？(2023-11-09)
了一种安装在逆变器三相输出端的共模磁环，磁环安装位置如图 4 所示。
该三相滤波磁环采用纳米晶材料， 纳米晶具有高磁导率、高饱和磁通密度、损耗小、高居里温度、高工作磁感等优点， 纳米晶材料的主要性能参数如表1所示。
图......
如何实现纯电动汽车电机驱动系统三相线滤波磁环的设计(2024-01-25)
了一种安装在逆变器三相输出端的共模磁环，磁环安装位置如图 4 所示。
该三相滤波磁环采用纳米晶材料， 纳米晶具有高磁导率、高饱和磁通密度、损耗小、高居里温度、高工作磁感等优点， 纳米晶材料的主要性能参数如表1所示。
图 4......
韩国基础科学研究所开发纳米催化剂 促进氢燃料电池的发展(2023-02-19)
颗粒。该方法结合了浸渍法易于合成的特点，另外类似于胶体法，可以精确控制纳米晶体的大小和形状。
这种创新Co-Pt合金纳米催化剂由两种带相反电荷的金属络合物组成，特别是分别被联吡啶和氯配体包围的Co......
台积电南京工厂2018年下半年量产，将引进16nm？(2017-03-28)
示，台积电7 纳米制程预计2017 年下半将为客户tape-out 生产。此外，他还透露，现阶段EUV 最新曝光机台在台积电已经可以达到连续3 天，稳定处理超过1,500 片12 吋晶圆的状态。根据......
下一代电机技术驱动电机先进材料(2023-11-02)
企业不断研发高性能电机产品，少/无重稀土永磁体、6.5%Si高硅钢、软磁复合材料、非晶/纳米晶合金等关键材料倍受重视。此外，集中式驱动虽是当前的主流，但轮边电机、轮毂......
影响驱动电机性能和成本的关键材料(2024-08-02)
企业不断研发高性能电机产品，少/无重稀土永磁体、6.5%Si高硅钢、软磁复合材料、非晶/纳米晶合金等关键材料倍受重视。此外，集中式驱动虽是当前的主流，但轮边电机、轮毂......
更小、更快、更节能，半导体芯片迎大突破(2023-07-17)
推出了这种设计，他们的研究成果也已发表在了《自然纳米技术》杂志上。
据悉，这种全新的晶体管在铁电材料氮化铝钪（AlScN）上覆盖了一种叫做二硫化钼（MoS2）的二维半导体，首次证明了这两种材料......
1nm 的芯片会有吗? 1nm制造工艺是什么概念？(2022-12-15)
单层技术如何受到这些金属诱导间隙的影响。此外，文中并建议采用后过渡金属铋和半导体单层过渡金属二硫化物以缩减间隙的尺寸，从而生产出比以往更小尺寸的2D晶体管。
二维材料，是指电子仅可在两个维度的纳米尺度(1......
超越特斯拉？埃安夸克电驱突破“3纳米”！(2023-03-07)
以能实现这样的效果，埃安表示，其开发了纳米晶—非晶超效率电机、X—PIN扁线绕组、900V高效碳化硅、E—drive软件、无动力中断电子换挡等一系列创新技术。
相较于传统的铁基硅钢材料冶炼工艺，埃安所使用的纳米晶......
半导体工艺变局在即｜3nm以下工艺举步维艰，纳米片浮出水面(2023-01-11)
片，形成多个允许电子流过晶体管的沟道，四周由栅极材料包围。Leti 2020年首次演示了七层纳米片FET，它比通常的两层堆叠纳米片GAA晶体管性能改善了3倍。
高而......
台积电 7 纳米传 2017 年 4 月可接单(2016-10-18)
台积电 7 纳米传 2017 年 4 月可接单;
台积电 7 纳米晶圆制程进度飞快，继先前传出要在 2018......
默克展示半导体材料解决方案，为摩尔定律续命(2016-10-18)
Ormet Circuits 提供完整产品组合，默克奠定了其先进半导体材料供应商的地位，并协助实现 28 纳米以下之次世代处理器的微缩制程、支持后端的封装技术进程，并借由延伸的材料产品组合、广泛......
Sondrel 完成数十亿 5 纳米晶体管芯片设计(2024-01-24 09:32)
Sondrel 完成数十亿 5 纳米晶体管芯片设计;为全球领先技术品牌提供超复杂芯片的领先供应商 Sondrel 公司（伦敦证券交易所股票代码：SND）宣布已完成迄今为止最复杂的芯片设计。该超......
Sondrel 完成数十亿 5 纳米晶体管芯片设计(2024-01-23)
Sondrel 完成数十亿 5 纳米晶体管芯片设计;为全球领先技术品牌提供超复杂芯片的领先供应商 Sondrel 公司（伦敦证券交易所股票代码：SND）宣布已完成迄今为止最复杂的芯片设计。该超......
宾夕法尼亚州立大学与安森美签署谅解备忘录以推动碳化硅研究(2023-05-17 16:16)
生长技术的理想学术合作伙伴。安森美电源方案部首席技术官 Pavel Freundlich 说：“在快速建立碳化硅晶体生长研究项目方面，宾夕法尼亚州立大学可谓独具优势。凭借其当前的材料研究、其纳米晶......
宾夕法尼亚州立大学与安森美签署谅解备忘录以推动碳化硅研究(2023-05-17)
生长技术的理想学术合作伙伴。
安森美电源方案部首席技术官 Pavel Freundlich 说：“在快速建立碳化硅晶体生长研究项目方面，宾夕法尼亚州立大学可谓独具优势。凭借其当前的材料研究、其纳米晶......
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;北京市悦达弘力科贸有限公司;;公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。欢迎惠顾！ 主营：金属材料;非晶纳米晶软磁材料;非晶纳米晶喷带设备; 非晶纳米晶变压器及电抗器
;东莞市晶磁科技有限公司;;公司主要从事开发、生产及销售非晶、纳米晶材料及铁芯元器件产品.本公司年产百吨非晶纳米带材生产线及年产1200万只磁芯的能力，可为客户提供良好后勤保障（技术
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;深圳市金鑫磁材有限公司;;深圳市金鑫磁材有限公司是一家电子元器件的企业，主营非晶纳米晶磁环、ALCI\GFCI互感器、非晶纳米晶滤波器、非晶纳米晶磁放大、非晶纳米晶共模\PC电源电感、非晶纳米晶
;深圳市金鑫纳米晶材料有限公司;;
;佛山市明富兴金属材料有限公司;;佛山市明富兴金属材料有限公司是专业从事软磁坡莫合金材料、非晶、超微晶(纳米晶)铁芯,EMC元器件及带材的高科技企业.公司汇集了一批从事非晶、超微晶(纳米晶)几十
;安庆市诚创新材料科技有限公司;;安庆市诚创新材料科技有限公司位于安庆市大桥经济开发区，厂房面积20000平方米。公司成立于2012年，一期投资1亿，计划总投资2.2亿，专业从事非晶、纳米晶新材料
;坡莫软磁材料,非晶,纳米晶合金制品-深圳市宏冠达科技有限公司;;
;Gaotune Technologies Co.,Ltd;;我司是一家致力于新型高科技材料－非晶、纳米晶软磁材料应用开发、生产和销售的高新技术型企业。公司的在开发项目被列入国家科技部创新基金、深圳