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台积电 7 纳米晶圆制程进度飞快，继先前传出要在 2018 年第一季放量生产 7 纳米芯片，比英特尔（Intel Corp.）足足快 3 年之后，最新消息显示，台积电内部预估，7 纳米最快明（2017）年 4 月就可开始接受客户下单。
，台积电研发单位已在内部会议中，揭露未来几年的最新研发蓝图，根据几名资深高层的说法，该公司今年底就会转换至 10 纳米，7 纳米则会在明年试产，估计明年 4 月就可接单，而 16 纳米 FinFET compact 制程（FFC，比 16FF+ 更精密）也将在今年导入。7 纳米制程可大幅提升省电效能（时脉约 3.8Ghz、核心电压（vcore）达 1V），临界电压（threshold voltage）最低可达 0.4V，适用温度约为 150 度。
报导称，跟 16FF+ 相较，10 纳米 FinFET 制程可让芯片尺寸缩小 50%、运算效能拉高 50%、耗电量降低 40%。相较之下，7 纳米（采的应该是FinFET制程）的运算效能只能拉高 15%、耗电量降低 35%，电晶体密度增加 163%，改善幅度远不如 10 纳米。这是因为，台积电的 10 纳米 FinFET 制程大约等同英特尔的 14 纳米，7 纳米制程则大致跟英特尔的 10 纳米相当、甚至较逊。
AMD 早已暗示会从 16 纳米制程直接跳至 7 纳米，但晶圆代工合作伙伴格罗方德（GlobalFoundries）的 7 纳米却要等到 2018 年才会试产，比台积电晚了近一年之久。AMD早已修改了协议，合作伙伴不再仅限于格罗方德，假如台积电的制程远优，那么AMD完全有可能倒戈投向台积电的怀抱。
（本文由 授权转载；首图来源：《科技新报》摄）