资讯
三星研制出采用第八代V-NAND的车载SSD(2024-09-25)
存储容量选择。以第8代V-NAND为准，2TB是业内现存最大容量，预计明年年初投入量产。
AM9C1采用了三星5nm主控技术，用户可通过从TLC状态切换至SLC模式大幅提升的读写速度，其中......
全球首款！美光232层NAND客户端SSD正式出货(2022-12-19)
层NAND还提供高达100%的写入带宽和超过75%的读取带宽。
毫无疑问，随着工艺制程逐渐微缩，堆叠技术成了NAND Flash市场发展的主流技术趋势。而近年来，各大NAND Flash厂商......
存储大厂宣布232层3500系列SSD已发售(2023-12-07)
品顺序读写速度最高可达7000MB/秒，随机读取速度为1150k IOPS，随机写入速度为1150k IOPS，2TB总写入量为1200TBW。
安全性方面，该产品提供了符合TCG/Pyrite2.02标准......
全球首款！美光232层NAND客户端SSD正式出货(2022-12-16)
NAND具有业界最高的面密度，并提供更高的容量和更高的能效，同时，与上一代相比，232层NAND还提供高达100%的写入带宽和超过75%的读取带宽。
毫无疑问，随着工艺制程逐渐微缩，堆叠......
Solidigm推出全新D7系列超高速新品，为AI固态硬盘开启新篇章(2024-08-08)
有出色的擦除周期，15.36TB版本的写入量可达28PBW。在基于服务器的存储解决方案中，与业界其他同等规格的固态硬盘相比，D7-PS1010可实现顺序写入的吞吐量最高提升 37%4。D7-PS1010实现......
14.5GB/s！三星量产全球最快PCIe 5.0 SSD PM9E1(2024-09-23)
提高了足足1.5倍。
寿命也延长了一倍，最大写入量来到了2400TBW。
另外，PCIe 5.0 SSD普遍功耗发热偏高，宣称PM9E1的能效比上代提升了50%。
......
英特尔解读存储创新技术三要素：容量密度、可靠性与性能(2021-12-08)
诸如CDN、大数据、本地盘等诸多应用市场寿命需求。QLC SSD容量较大，全盘可以忍受的写入量可以大很多，在固定接口带宽下的使用年限可以有很好保障，所以对QLC的擦写次数不用过分担心。
性能：创新......
赛普拉斯推出了16-Mbit非易失性静态随机访问存储器nvSRAM系列(2012-09-12)
将于 2013 年第一季度投入量产。CY14V116Fx 的ONFI 和 Toggle NAND 器件可在 3V 内核电压、1.8V IO 电源下工作，采用 165 焊球 FBGA 封装。两款......
研华工业存储，工业应用全面解决方案！(2022-09-19)
可以提供10 DWPD写入量。同时，可支持在-40~85℃宽温，及车规级工作温度环境条件下使用。行业应用医疗设备。手术室的医用机器设备发生故障可能导致死亡或受伤，因此，工业......
存储亮剑！NAND技术多点突破(2024-08-08)
-endurance）型号，提供1.6TB、3.2TB、6.4TB和12.8TB四个容量版本。其中最大容量的12.8TB累计写入量可达约70TB。
性能方面，D7-PS1010/1030全系......
半导体存储产业开启“狂飙”模式？(2024-08-13)
电子内部已经确认在平泽P4工厂内建设1c纳米制程DRAM产线的投资计划，目标是预计在2025年的6月投入量产。
三星平泽P4是一座综合性的半导体生产中心，分为四期计划。在三星早前的规划中，一期以生产NAND......
高性能低能耗，浪潮信息集中式存储全闪平台揭秘(2023-08-04)
的性能无法充分展现。其次，由于NAND Flash颗粒具有需要将数据先擦除后写入的特点，而NAND Flash颗粒的可擦写次数有限，导致SSD硬盘的寿命受其限制，且随着NAND Flash颗粒......
高性能低能耗，浪潮信息集中式存储全闪平台揭秘(2023-08-04 09:26)
的性能无法充分展现。其次，由于NAND Flash颗粒具有需要将数据先擦除后写入的特点，而NAND Flash颗粒的可擦写次数有限，导致SSD硬盘的寿命受其限制，且随着NAND Flash颗粒......
第八代BiCS FLASH厉害在哪里？(2024-08-29)
第八代BiCS FLASH厉害在哪里？;第八代BiCS FLASH已然投入量产，意味着基于BiCS FLASH的产品也将得到新一轮升级。全新的BiCS FLASH无论在存储密度、性能......
第八代BiCS FLASH厉害在哪里？(2024-08-29 14:27)
第八代BiCS FLASH厉害在哪里？;第八代BiCS FLASH已然投入量产，意味着基于BiCS FLASH的产品也将得到新一轮升级。全新的BiCS FLASH无论在存储密度、性能......
第八代BiCS FLASH厉害在哪里？(2024-08-29)
第八代BiCS FLASH厉害在哪里？;第八代BiCS FLASH已然投入量产，意味着基于BiCS FLASH的产品也将得到新一轮升级。全新的BiCS FLASH无论在存储密度、性能......
华邦SpiStack 助力更精准高效的OTA更新，推动汽车及物联网发展(2021-12-23)
在稳定的通信环境下快速完成新版本固件的下载。因此，OTA管理器更适宜配备大容量且能进行快速写入的NAND闪存。在过去，车辆网关使用NOR闪存来存储启动代码及其为其他ECU所下载的新版本固件，以实现安全的OTA固件更新。而采用NOR+NAND组合......
通富微电年报：净利润增长937.62%，NAND产品进入量产阶段(2021-04-01)
通富微电年报：净利润增长937.62%，NAND产品进入量产阶段;3月31日，通富微电发布2020年年度报告摘要。2020年，通富微电实现营业收入107.69亿元，较上年同期增加30.27%，净利......
s3c2440 nandflash 初始化(2024-07-22)
是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除 操作......
u-boot之NAND启动与NOR启动的区别(2024-08-29)
一个数据，然后读出，如果没有改变的话就是NOR FLASH（因为NOR FLASH写入需要一定时序）的方式判断是从nor拷贝uboot内容还是从nand拷贝uboot的内容。
int......
超高写入速度的QspiNAND：汽车OTA升级新选择(2020-12-28)
使用串行NAND闪存替代SPI NOR的相关讨论，引起了广泛关注。
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图1：Audi A7车款的“自动驾驶概念”，图中显示新车款设计中的传感器数组。
（图片出处：AUDI AG）
擦除与写入......
nand write.jffs2 & nand write(2024-08-02)
write.jffs2 xxxxx.." jffs 是一个文件系统，这是为什么呢？
nand write：向Nand Flash写入数据，如果NandFlash相应的区域有坏块，则直接报错。
nand......
希捷酷玩 540 PCIe 5.0 SSD 上架：速度可达 10000 MB/s(2023-07-27)
IOPS。2TB 的总写入量可达 2000 TB，平均功耗为 11W。
......
3D Xpoint会成为美光的救命稻草吗？(2017-01-04)
能从其身上获得更大的成长驱动力。
英特尔与美光双方宣称，3D XPoint能够提供千倍于当前NAND产品的使用寿命水平。假设这里的参考对象为现代（15纳米至20纳米）MLC NAND，那么其使用寿命将达到数百万次全盘写入; 不过......
未来1TB智能手机将搭载QLC NAND?(2024-01-18)
未来1TB智能手机将搭载QLC NAND?;近期，媒体报道苹果可能会改变存储容量，不再使用主流三层单元（TLC）NAND 闪存，而是在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元（QLC）NAND......
消息称三星大幅减产西安NAND闪存，每月晶圆产量将减至17万片(2025-01-13)
过剩持续存在，导致今年价格预计将大幅下跌。
据行业消息，三星电子已制定政策，将其最大的NAND生产基地——中国西安工厂的晶圆投入量较之前减少超过10%。因此，西安......
SD NAND相对于NOR Flash的优势(2024-06-03)
成本
SD NAND相对较便宜
NOR Flash相对较昂贵
容量
1Gb~512Gb
512Kb-32Mb
擦除写入速度
SD NAND的读取速度较快，例如MK-米客方德8GB的......
美光宣布量产第九代 NAND 闪存技术产品(2024-07-31)
场上现有的同类 NAND 解决方案相比，美光 G9 NAND 的每颗芯片写入带宽和读取带宽分别高出 99% 和 88%。
这些优势共同提升了 SSD 和嵌入式 NAND 解决方案的性能与能效。
与前......
市场供过于求，传三星电子西安厂NAND将减产10%...(2025-01-13)
公司的盈利能力。
据行业消息人士透露，三星电子计划将其最大的NAND生产基地——中国西安工厂的晶圆投入量减少超过10%。这意味着西安工厂的月产量将从平均20万片晶圆减少至约17万片。此外，三星......
三星明年将升级NAND核心设备供应链(2023-08-31)
天数是指从半导体成品生产完成到发货的时间段，用于衡量当前库存水平以及何时耗尽的指标。）
另外，在今年第二季度的财报电话会议上，三星高管表示计划下半年继续削减存储芯片的产量，尤其是NAND的产量，以加速库存正常化。据悉，三星下半年的晶圆投入量......
美光推出全球首款176层NAND移动解决方案，助力5G超快体验(2021-07-30)
NAND 解决方案将为荣耀手机用户在同时多应用使用，以及高速下载、存储等场景带来快捷流畅的使用体验。”
美光 176 层移动解决方案具有以下优势：
更强的性能：美光 176 层 UFS 3.1 解决方案相比上一代产品的顺序写入......
S3c2440处理器中nor flash启动和nand flash启动问题(2023-01-31)
S3c2440处理器中nor flash启动和nand flash启动问题;S3c2440是三星公司推出的一款基于ARM920T的处理器,采用ARM内核,不同于单片机,无片上rom与ram,必须......
NAND FLASH驱动框架以及程序实现(2024-08-19)
依次分析。
a、发命令，对于NAND FLASH芯片来说需要1、选中芯片（CE为低电平）；2、CLE设为高电平、ALE设为低电平；3、在DATA0-DATA7上输出命令数据；4、在WE上发出一个上升沿的信号。这样命令数据就会被写入......
NAND闪存，迎新局(2024-09-14)
度比上一代QLCV-NAND高出约86%；与以前的版本相比，三星QLC第九代V-NAND采用的设计模具可将数据保留性能提高约20%，从而提高产品可靠性；通过对预测程序技术的改进，写入性能提高了一倍，数据......
u-boot-2011.03在mini2440/micro2440上的移植 支持yaffs下载(2024-07-01)
CONFIG_CMD_NAND_YAFFS
【说明】
本人在阅读cmd_nand.c时发现u-boot-2011.03已经支持yaffs写入，只需添加如上定义即可，但实际写入错误，再阅读源代码，发现......
外媒：存储大厂目标年底NAND库存正常化(2023-08-22)
，三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%，目前该公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND（V6），该产品库存较多。
由于半导体是在硅晶圆的基础上制造的，减少晶圆投入量就会减少产量。与通......
EEPROM和Flash这样讲，我早就懂了(2023-02-01)
没有页），例如：W29N01HVSINA
由于nand flash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部......
美光全新SSD 5100发布：3D eTLC闪存(2016-12-06)
容量最大，2.5寸、M.2规格最大容量是8TB、2TB，连续读取速度540MB/s，连续写入速度最高520MB/s，随机读取4K性能为93000IOPS，随机写入4K性能最高31000IOPS，最高数据写入量......
紧追 SK 海力士，三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存(2022-08-17)
曝光的速度可能只搭载了 V7 NAND。
作为对比，三星在 5 月 4 日首发的 UFS 4.0 的闪存采用的是 176 层 NAND（V7），连续读取 4200 MB/s，连续写入 2800 MB/s，外形......
EEPROM 和 flash 这样讲，早就懂了！(2024-04-26)
页）
由于nandflash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此......
美光率先量产面向客户端和数据中心的 200+ 层 QLC NAND 产品(2024-04-26)
高达 25%
提升高达 85%
美光 2500 SSD 的缓存加速功能助力其性能得到提升，并确保在大多数应用场景下实现最快的读写性能。美光 232 层 QLC NAND 为其带来稳定的 SSD 写入......
寿命/性能或更低，消息称苹果弃TLC要用QLC(2024-07-26)
使用更少的单元储存更多的数据，而这可以降低生产成本。
此外，QLC闪存被认为不如TLC闪存可靠，写入数据的耐久性会降低，因为每个单元写入的次数更多，因为每个单元多包含一个位。
QLC NAND闪存可以存储16种不......
消息称 SK 海力士正开发基于 238 层 NAND 的 UFS4.0 闪存，有望明年上半年量产(2022-08-17)
速度来看，现在曝光的速度可能只搭载了 V7 NAND。
作为对比，三星在 5 月 4 日首发的 UFS 4.0 的闪存采用的是 176 层 NAND（V7），连续读取 4200 MB/s，连续写入......
美光宣布推出7500系列SSD，面向数据中心存储应用(2023-10-18)
美光宣布推出7500系列SSD，面向数据中心存储应用;近日，宣布推出适用于工作负载的7500 NVMe ，主要面向存储应用，包括了云服务器和企业服务器。本文引用地址：产品采用232层3D NAND......
买固态必看的四个知识点!2023开年游戏SSD选购指南(2023-02-23)
的朋友们都知道,固态硬盘的使用寿命主要跟写入量的消耗相关。游戏场景里,安装环节是消耗写入量最大的一次,但就实际而言,无论是《CS:GO》之类的FPS,亦或是《荒野大镖客2》之类的大作,其安装环节造成的写入量......
西数发布首款消费级SSD：蓝盘、绿盘齐飞(2016-10-12)
换成了慧荣SM2256S，容量仅有120GB、240GB，终生写入量40TB、80TB。
性能方面，持续读取速度540-545MB/s，持续写入速度405-435MB/s，随机读取速度37000 IOPS，随机写入......
美光宣布推出7500系列SSD，面向数据中心存储应用(2023-10-18)
系列产品采用232层3D NAND闪存芯片，该芯片采用了CuA架构，使用NAND的字符串堆叠技术，新技术可以大大减小NAND闪存的芯片尺寸，有助于降低成本
据美光介绍，该系列SSD具有低于1ms......
Solidigm推出超高速SLC固态硬盘Solidigm D7-P5810,满足(2023-09-21)
Solidigm推出超高速SLC固态硬盘Solidigm D7-P5810,满足;全球领先的创新 NAND 闪存解决方案提供商近日宣布，推出公司首款面向数据中心市场的超高速、单层单元（SLC）固态......
SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存(2022-08-03)
SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存;· 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存，将于明年上半年投入量产
· 成功研发层数最高，面积最小的NAND闪存......
美光率先量产面向客户端和数据中心的 200+ 层 QLC NAND 产品(2024-04-28 09:37)
SSD 的缓存加速功能助力其性能得到提升，并确保在大多数应用场景下实现最快的读写性能。美光 232 层 QLC NAND 为其带来稳定的 SSD 写入耐用性。即使是最小容量的 512GB 版本......
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;JOJO;;NAND /NOR FLASH.各类存储IC
;杨青德;;ASIC 设计, IC 销售, NAND FLASH,NOR FLASH 销售
;香港德胜科技;;主营NAND FLASH;DRAM;MCP;TF卡
;深圳德盛科技有限公司;;公司主要以 NAND FLASH SDRAM/MCP为主.
;深圳市比亚泰科技有限公司;;长期求购NAND Flash，闪存芯片
◎MCP：NOR+SRAM(PSRAM)系列:32+4/32+8/64+16/64+32/128+32等. NOR+NAND+SRAM(PSRAM)系列:128+512+32/128+512+64/128
;深圳易安科技有限公司;;IC 存储芯片 HY SAMSUNG SPANSION AMIC EON ISSI SDRAM NOR FLASH NAND FLASH