资讯
无锡吴越半导体展出GaN晶体 全球首次厚度突破1厘米？(2021-12-16)
又被称为宽禁带半导体材料。有着禁带宽度大、高击穿电场、高电子饱和漂移速率、良好的耐温特性等特点。
据悉，无锡吴越半导体有限公司成立于2019年，是无锡先导集成电路装备材料产业园首个落户的项目，公司专注于氮化镓......
Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC(2023-03-21)
Integrations 今日宣布推出900V氮化镓(GaN)器件，为InnoSwitch3™系列反激式开关IC再添新品。新IC采用该公司特有的PowiGaN™技术，可提供高达100W的功率，效率超过93......
芯海科技先锋MCU芯片CSU32P10助力倍思氮化镓充电器实现功率控制功能(2023-09-01)
本电脑的快速充电。另外的USB-C口支持100W输出，USB-A口支持60W快充，都具有很好的快充兼容性。
充电器延续了倍思120W氮化镓快充一样的接口配置和外观设计，可以说是性能加强版，以满......
Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC(2023-03-21 10:27)
Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC;新款PowiGaN InnoSwitch IC面向工业应用和400V系统汽车电源，输出功率可高达100W深耕......
PI推出高压利器：900V氮化镓反激式开关IC助力节能新时代(2023-03-27 10:32)
于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations 推出900V氮化镓反激式开关IC，新款PowiGaN InnoSwitch IC面向工业应用和400V系统汽车电源，输出功率可高达100W......
Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC(2023-03-21)
达克股票代号：POWI）今日宣布推出900V氮化镓(GaN)器件，为InnoSwitch3™系列反激式开关IC再添新品。新IC采用该公司特有的PowiGaN™技术，可提供高达100W的功率，效率超过93%，因而......
PI推出900V氮化镓InnoSwitch3-AQ，加速取代12V铅酸电池(2023-03-30)
满足汽车中的不同电压和功率等级，PI已先后推出包括750V、900V硅功率开关以及1700V碳化硅产品，而900V氮化镓的推出，更是将功率提升至100W。
900V氮化镓的优势
最新的氮化镓......
募资4.44亿元！国内功率半导体厂商芯导科技上市首日股价大涨...(2021-12-01)
对现有功率半导体产品进行技术开发与升级，加强对现有产品的更新迭代外，芯导科技还将目光瞄准了第三代半导体氮化镓领域。
当前，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料因具备宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能，将对......
GaN Systems推出第四代氮化镓平台(2023-09-28)
GaN Systems推出第四代氮化镓平台;全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform)，不仅......
提供900V氮化镓(GaN)选项。 新器件采用PI的PowiGaN技术，可提供高达100W的功率，效率超过93%，并且无需散热片。 更大的功率和更高的设计裕量特别适用于在基于400V母线......
Transphorm推出参考设计组合，加快USB－C PD氮化镓电源适配器的开发(2022-07-08)
Transphorm推出参考设计组合，加快USB－C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠......
Transphorm推出参考设计组合，加快USB－C PD氮化镓电源适配器的开发(2022-07-08)
Transphorm推出参考设计组合，加快USB－C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠......
Transphorm推出参考设计组合，加快USB－C PD氮化镓电源适配器的开发(2022-07-08)
Transphorm推出参考设计组合，加快USB－C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠......
南芯科技布局全功率段PD快充，推出重磅新品PFC控制芯片SC3201(2022-12-09)
靠性的快充产品。
特别是作为氮化镓快充控制器国产化先驱，率先实现氮化镓控制芯片的自主可控，至今已成功量产多款集成GaN直驱的控制器，凭借成熟的高集成度GaN解决方案，已与多品牌达成深度合作，得到......
GaN Systems 推出第四代氮化镓平台 突破能源效率瓶颈 加速应用版图拓展(2023-09-28 11:25)
GaN Systems 推出第四代氮化镓平台 突破能源效率瓶颈 加速应用版图拓展;重点摘要• GaN Systems第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Platform) 帮助......
GaN Systems 推出第四代氮化镓平台 突破能源效率瓶颈 加速应用版图拓展(2023-09-28)
GaN Systems 推出第四代氮化镓平台 突破能源效率瓶颈 加速应用版图拓展;重点摘要
• GaN Systems第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Platform) 帮助......
低碳化成半导体强劲增长点 吉林华微电子进入新赛道(2024-01-22)
低碳芯片研发及产业化。
在节能降碳风潮的推动下，宽禁带半导体被认为是具有广阔发展前景的市场。即便当前碳化硅、氮化镓器件相较于硅器件的价格仍较高，但综合来看，应用......
第三代半导体赛道火热，晶方科技/东微半导/中瓷电子等有大动作(2022-02-10)
以及抗辐射等恶劣条件的新要求，目前主要应用于光电、电力电子、微波射频等领域。其中，碳化硅和氮化镓技术发展相对成熟，已经开始产业化应用。
根据TrendForce集邦咨询此前的报告，受益于新能源汽车、光伏......
大联大友尚集团推出基于onsemi和GaN System产品的PD快充电源方案(2022-09-20)
大联大友尚集团推出基于onsemi和GaN System产品的PD快充电源方案;9月20日，大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343产品以及氮化镓......
最新氮化镓(GaN)器件可提供高达100W功率，PI InnoSwitch芯片销量突破10亿颗(2020-10-26)
最新氮化镓(GaN)器件可提供高达100W功率，PI InnoSwitch芯片销量突破10亿颗;深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations日前宣布，突破......
出货1亿颗GaN+1200万颗SiC！纳微半导体Q2总收入增至1810万美元(2023-08-17)
二季度总收入增至1810万美元，比2022年第二季度的860万美元增长110%，比2023年第一季度的1340万美元增长35%。此外，纳微半导体累计已发货超过1亿颗氮化镓（GaN）和1200万颗碳化硅（SiC）功率......
纳微正式向全球发布GaNSafe高性能宽禁带功率平台(2023-09-08)
在台北举办客户与合作伙伴新闻发布会，正式向全球发布GaNSafe™高性能宽禁带功率平台。纳微通过升级这一第四代氮化镓技术，以满足数据中心、太阳能/储能和电动汽车市场等要求苛刻的高功率应用场景需求，在这些目标应用中，效率、功率......
InnoSwitch3－AQ现已推出900V PowiGaN开关，可在电动汽车中提供高达100W的输出功率(2023-04-26 15:16)
InnoSwitch3－AQ现已推出900V PowiGaN开关，可在电动汽车中提供高达100W的输出功率;符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC现在提供900V氮化镓......
Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC(2023-03-21)
-AQ器件可以从400V母线提供100W的输出功率，并且具备与800V电动汽车系统所用的广受欢迎的1700V碳化硅InnoSwitch3-AQ IC类似的性能和保护功能。
供货及相关资源
900V氮化镓......
氮化镓取代碳化硅？PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样(2024-11-12 09:47)
光也给出了自己对市场的观察总结：目前在100W的电源市场中，氮化镓已经获胜，而在更多高功率，甚至到了100kW的应用，也在开始尝试氮化镓产品。而现在，PI的野心不止是与硅抢夺市场，还正打算“碰瓷”碳化......
GaN材料成本直降90%，“挤掉”SiC提上日程？(2023-09-19)
GaN材料成本直降90%，“挤掉”SiC提上日程？;作为宽禁带半导体家族中的一员，氮化镓(GaN)功率器件近两年获得了比之前更高的关注度，正逐渐成为第三代半导体材料中最耀眼的一颗新星。
根据Yole......
设计高效电动车快速直流充电桩方案，您需要这样一份文档！(2023-03-08)
层面涉及主逆变器和发电机、升压转换器、DC-DC转换器、车载充电器；器件封装类型包括分立式、电源模块；功率器件种类有硅MOSFET、硅IGBT、硅BJT（双极晶体管）、碳化硅（SiC）MOSFET和氮化镓（GaN）HEMT等......
设计高效电动车快速直流充电桩方案，您需要这样一份文档！(2023-03-08)
转换器、DC-DC转换器、车载充电器；器件封装类型包括分立式、电源模块；功率器件种类有硅MOSFET、硅IGBT、硅BJT（双极晶体管）、碳化硅（SiC）MOSFET和氮化镓（GaN）HEMT等。
前不......
抢夺赛位，第三代半导体战局激烈(2024-07-04)
月启用，并于2024年底开始生产SiC；Nexperia（安世半导体）投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙半导体（WBG），并在......
半导体四家企业IPO迎来最新进展(2024-06-18)
穿电压、高热导率、高饱和电子漂移速度高和强抗辐射能力等特点，在快充、微波射频、 5G通信、 5G通信等应用上占据优势，前景可期。
据悉，英诺赛科是国内第一家氮化镓IDM企业。招股说明书中，英诺......
英飞凌与安克联合成立创新应用中心，携手发力PD快充领域并推动节能减碳(2024-01-25)
和系统级解决方案涉及英飞凌多个产品线。在PD充电领域，我们为客户提供全面的产品组合与支持，包括先进的电源控制器、一流的开关电源、性能出色的硅基MOSFET和氮化镓晶体管等等。”
充电解决方案仅是一个开端，未来该联合实验室还将借助英飞凌在氮化镓......
英飞凌与安克联合成立创新应用中心，携手发力PD快充领域并推动节能减碳(2024-01-25)
双方已经在充电领域展开了深度的合作，产品和系统级解决方案涉及英飞凌多个产品线。在PD充电领域，我们为客户提供全面的产品组合与支持，包括先进的电源控制器、一流的开关电源、性能出色的硅基MOSFET和氮化镓晶体管等等。”
充电......
后摩尔时代，第三代半导体正在走向巅峰！(2022-05-10)
后摩尔时代，第三代半导体正在走向巅峰！;第三代半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）具备高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等物理特性，因此其天然适合对高温、高功率、高压、高频......
InnoSwitch3-AQ无需12V电源就可助力电动汽车高效运行(2024-02-23)
可谓是最佳之选。
PI新推出的设计范例DER-953Q是一款紧凑型100W电源，该电源采用集成了900 V PowiGaN氮化镓的InnoSwitch3-AQ器件设计而成。这款设计演示了一种在400V电动......
航嘉惊艳ChinaJoy2023，用科技点燃你的游戏梦想！(2023-08-01)
插座还有独特的“小魔吸”吸盘底座，可固定在桌面避免位移。
另一款充电器产品，100W安全快充采用第三代GaN（氮化镓）半导体材料，减少了体积，更为高效节能；三口独立输出，智能识别设备，动态分配功率。采用......
这两个GaN龙头企业公布业绩情况(2023-08-17)
NVIDIA的GH200）功耗高达1,000W。集成氮化镓功率芯片有巨大的潜力和机会来满足所需功率、效率和功率密度的显著增加。纳微全新3.2kW基于GaN IC的服务器电源平台提供了业界领先的100W......
英飞凌：布局碳化硅是一场超级马拉松(2020-04-28)
遇和前景、以及宽禁带（WBG）半导体的发展趋势。
对于近期业界热议的硅（Si）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）话题，陈清源指出，英飞凌作为市场上唯一一家提供涵盖Si、SiC和GaN的全......
英飞凌与安克联合成立创新应用中心，携手发力PD快充领域并推动节能减碳(2024-01-25)
和系统级解决方案涉及英飞凌多个产品线。在PD充电领域，我们为客户提供全面的产品组合与支持，包括先进的电源控制器、一流的开关电源、性能出色的硅基MOSFET和氮化镓晶体管等等。”
充电解决方案仅是一个开端，未来该联合实验室还将借助英飞凌在氮化镓......
英飞凌与安克联合成立创新应用中心，携手发力PD快充领域并推动节能减碳(2024-01-25 15:17)
和系统级解决方案涉及英飞凌多个产品线。在PD充电领域，我们为客户提供全面的产品组合与支持，包括先进的电源控制器、一流的开关电源、性能出色的硅基MOSFET和氮化镓晶体管等等。”充电解决方案仅是一个开端，未来该联合实验室还将借助英飞凌在氮化镓......
ST VIPERGAN5065100系列高压氮化镓转换器，支持最高100W输出功率(2023-07-12)
ST VIPERGAN5065100系列高压氮化镓转换器，支持最高100W输出功率;
VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半导体VIPerGaN系列......
近60家芯片企业融资完成，透露什么？(2023-02-27)
半”热度不减
半导体材料已经从一代（硅Si）、二代（砷化镓GaAs、磷化铟InP），发展到现在以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为主的第三代。凭借高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高键......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
其性能可以置于不断发展的精密工艺控制之下，可谓是“最有料”的材料。在不久的将来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料的应用，无论是在军用领域还是在民用市场，都是......
第三代半导体的技术价值、产业发展和技术趋势(2021-08-25)
硅产业正在加速垂直整合，而氮化镓产业形成了IDM以及设计公司和晶圆代工厂合作并存的模式。这些都显示出，第三代半导体产业已经进入了大规模、高速发展的阶段。
当然，与硅基器件行业相比，第三代半导体产业发展时间相对较短，在标......
高性能数字化电源芯片的新标尺——InnoSwitch4-Pro(2023-04-19)
实现更小巧的便携电源适配器的设计。
从工程师角度来看，InnoSwitch4-Pro采用氮化镓PowiGaN技术、集成I2C接口的数字控制器，支持多种USB-PD协议。再配合MinE-CAP缩减......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路(2023-10-08)
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路;
【导读】如今的消费类电源市场，要说「几乎人手一个氮化镓快充充电器」并不过分吧？从 2018 年前后开始，氮化镓快充充电器进入国内市场，随后......
环旭电子投资氮化镓公司，加码功率电子战略(2021-11-25)
环旭电子投资氮化镓公司，加码功率电子战略;11月24日，环旭电子宣布，公司全资子公司环鸿电子股份有限公司与氮化镓系统有限公司（GaN Systems Inc.，以下简称“氮化镓公司”）签订......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用(2022-11-29)
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用;未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。
本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用(2022-11-29)
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用;好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用
未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。
本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓......
从手机快充到电动汽车，氮化镓功率半导体潜力无限(2022-03-21)
从手机快充到电动汽车，氮化镓功率半导体潜力无限;近期，苹果“爆料大神”郭明錤透露，苹果可能在今年某个时候推出下一款氮化镓充电器，最高支持30W快充，同时采用新的外观设计。
与三星、小米......
全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世！(2024-09-13)
全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世！;9月11日，英飞凌宣布，公司已成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆。
英飞凌表示，公司......
相关企业
manufacturing in Taiwan.
; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案，满足全球客户需求。我们是市场领导者，专门为移动设备，3G和4G蜂窝基站，WLAN
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
;璨圆光电深圳市场部;;璨圆光电股份有限公司是一家LED芯片专业生产厂家,提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、紫光等LED晶粒!目前产品波长范围可达385nm-560nm；可应
子体 (PDP)显示荧光粉、氮化镓基白光二级管光源材料，新型太阳能光源等新型环保节能产品的研发生产。
;深圳市希奇电子科技有限公司;;希奇电子科技有限公司是一家以台湾LED芯片为龙头，集LED芯片及成品销售、服务于一体的专业团队。提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、白、紫外光等LED晶粒
兆龙； 【氮化镓】： 英诺赛科、GaN systems； 【单片机】： GA (格安电子)、HK (航顺芯片)、RENESAS 分销IR、ON、ST、NXP、INFINEON、CREE等半导体电子元器j件。
度四元晶粒（C系列）、金属基板倒装晶粒（MS）、氮化镓晶粒（AllnGaN）、覆晶晶粒（Flip chip）； K＊on：红外芯片（940nm）、高速红外芯片（850nm,875nm,880nm） 用过
;江苏苏州谷邦（等离子氮化）表面技术有限公司;;谷邦公司拥有多台国内最先进的金属表面离子渗氮设备-真空＊辉光＊脉冲-等离子氮化炉（可承载直径2000mm氮化工件），炉内气压、气体气氛、温度