MOSFET芯片

基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片; 【导读】相较于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点，越来...

用特点，介绍了车载充电机和直流变换器DC/DC应用中的SiC 的典型使用场景，并针对SiC 的特性推荐了驱动芯片方案。最后，本文根据SiC MOSFET驱动对供电的特殊要求，对不...

公司完成由小鹏汽车独家投资的战略融资，表明公司完全自主研发的SiC MOSFET、SBD，以及驱动和控制芯片产品和技术，获得主流新能源汽车企业的高度认可。 此外，据天眼查信息披露，截止目前，瞻芯...

电能转换的基础器件支撑数字、模拟等芯片完成功能实现，使得中高端车型单车用量可增至400个以上。 汽车智能化是中低压MOSFET器件的增量空间，汽车电动化是超结MOSFET等中高压器件的发力方向。20-26年全...

揭秘碳化硅芯片的设计和制造;揭秘碳化硅芯片的设计和制造 众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是...

揭秘碳化硅芯片的设计和制造;众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是...

截面；下:并联芯片） 三菱电机集团近日（2023年6月1日）宣布，其开发出一种集成SBD的SiC-MOSFET新型结构，并已将其应用于3.3kV全SiC功率...

率的PWM控制芯片，无论是数字类型还是模拟类型，都不具备或只有有限的直接驱动功率MOSFET的能力。因为功率MOSFET对栅极驱动电流有较高的要求，驱动芯片就相当于PWM开关控制芯片与功率MOSFET...

率的PWM控制芯片，无论是数字类型还是模拟类型，都不具备或只有有限的直接驱动功率MOSFET的能力。因为功率MOSFET对栅极驱动电流有较高的要求，驱动芯片就相当于PWM开关控制芯片与功率MOSFET...

率的PWM控制芯片，无论是数字类型还是模拟类型，都不具备或只有有限的直接驱动功率MOSFET的能力。因为功率MOSFET对栅极驱动电流有较高的要求，驱动芯片就相当于PWM开关控制芯片与功率MOSFET...

）电驱逆变器的碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）裸片样品。这是三菱电机首款标准规格的SiC-MOSFET功率半导体芯片，将助力公司应对xEV逆变器的多样化需求，并推动xEV的日...

国家队加持，芯片制造关键技术首次突破;据南京发布近日消息，国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时4年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅MOSFET芯片...

更高通态电阻的原因。因此，对于和N信道相同芯片尺寸的P信道MOSFET而言，实现相同的通态电阻（RDS(on)），是不太现实。 图一 : N信道和P信道功率MOSFET横截面及其符号标示为了达到与N通道MOSFET相同...

正确理解驱动电流与驱动速度;驱动芯片概述 功率器件如MOSFET、IGBT需要驱动电路的配合从而得以正常地工作。图1显示了一个驱动芯片驱动一个功率MOSFET的电路。当M1开通，M2关掉的时候，电源...

会变差，因此，如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻，是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动，为了节省空间，对于将两枚芯片一体化封装的双MOSFET的需求增加。 在这种背景下，采用...

耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高，效率会变差，因此，如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻，是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动，为了节省空间，对于将两枚芯片一体化封装的双MOSFET...

电子、汽车电子等领域。 今年以来，尽管消费电子市场需求疲软，但汽车电子受益于新能源汽车的发展，市场需求旺盛，这使得MOSFET等功率器件产品供不应求，产能出现紧张。 业界认为，马来西亚芯片...

一方面，提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高，效率会变差，因此，如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻，是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动，为了节省空间，对于将两枚芯片...

的时间内依然没有穿过阈值，芯片会在认为MOSFET没有正确地打开或者关闭，芯片会在2us结束后报错。 Figure 2. VGS错误检测的触发点和有效区间 图2中绿色部分比较直观地展示了检测VGS...

专用技术（ MOSFET M3和IGBT FS4等）创建了一个核心模型——通过布局参数设置芯片尺寸，以获取特定的器件。 物理和可扩展仿真模型所包含的值远不止通过数据手册参数或在几乎理想的测量环境中获得的数据手册值。该模...

，deglitch time都固定在2us。也就是意味着如果VGS在这2us的时间内依然没有穿过阈值，芯片会在认为MOSFET没有正确地打开或者关闭，芯片会在2us结束后报错。 Figure 2. VGS错误...

）MOSFET芯片（具有3300 V和800 A特征）的模块——“MG800FXF1ZMS3[1]”和“MG800FZF1JMS3[2]”，这些模块采用第三代SiC MOSFET和SBD芯片...

，包括：栅极驱动控制IC芯片（含IGBT、硅基MOSFET及三代半导体等开关器件的栅极驱动芯片）、电机驱动IC芯片（含半桥、H桥、三相桥）；智能功率IC开关（SmartMOS）和功率驱动控制IC芯片...

模块产品，并围绕SiC应用，为客户提供一站式(Turn-key)芯片解决方案。 官方资料显示，瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司，并建...

平面技术，适合18 V到20 V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动。它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比，降低了热阻，从而在相同的工作温度下降低了裸芯片温度。 NXH010P120MNF配置为2...

我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术; 9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功...

工作电压为3.6V的商用无线电提供无与伦比的功率输出和高漏极效率*1。此外，内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间，有助于降低组装成本。产品特点行业先端的6.5W输出功率，有助...

性显著，总体技术达到国际先进水平。 该项目聚焦新能源汽车、光伏储能、智能电网等领域对高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主创新的迫切需求，突破多项关键工艺技术，贯通碳化硅衬底、外延、芯片、模块...

中国实现芯片制造关键技术首次突破：一年内投入应用; 9月3日消息，据南京发布公告，经过4年的自主研发，国家第三代半导体技术创新中心(南京)，成功攻克沟槽型碳化硅MOSFET制造...

和N沟道相同芯片尺寸的P沟道MOSFETs而言，实现相同的通态电阻（RDS(on)），是不太现实。 图1：N沟道和P沟道功率MOSFETs横截面及其符号标示 为实现与N沟道MOSFET相同...

家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品。 瞻芯电子表示，第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET已经...

，内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间，有助于降低组装成本。 产品特点 行业先端的6.5W输出...

路能力，但在门极16V时，短路能力会下降到7μs不到，如图6。对SiC MOSFET而言，相同电流的芯片面积小得多，且可能工作在更高的母线电压导致短路瞬态能量更大，如果门极电压超过15V，甚至...

引述消息人士指出，由于疫情严峻，中国市场的MOSFET芯片的交货期已经延长到3个月左右，而不断上涨的价格，和海外IDM大厂无法确定MOSFET交期的消息刺激了客户端的下单意愿。 该名人士透露，包括华润微、扬杰...

家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品。 瞻芯电子表示，第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET...

耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高，效率会变差，因此，如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻，是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动，为了节省空间，对于将两枚芯片一体化封装的双MOSFET的需...

二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题，但如若将SBD布置在芯片...

更有效地利用有限的电池电量，就需要减少用电元器件的功率损耗。 针对这种需求，开发易于小型化而且特性优异的晶圆级芯片尺寸封装的MOSFET已逐渐成为业界主流。ROHM利用其本身也是IC制造商的优势，通过灵活运用其IC...

有车规级碳化硅晶圆厂，致力于向广大客户提供高可靠性的碳化硅功率半导体和芯片产品。 至今瞻芯电子已交付超过1000万颗碳化硅MOSFET产品，其中约400万颗应用于汽车市场。这些...

化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题，但如若将SBD布置在芯片上，会减少为通道提供的板面积，板面积不仅可决定MOSFET导通工作的电阻，而且还可增加芯片的导通电阻。X5M007E120中嵌入的SBD采用格纹形态排列，没有...

要减少用电元器件的功率损耗。 针对这种需求，开发易于小型化而且特性优异的晶圆级芯片尺寸封装的MOSFET已逐渐成为业界主流。ROHM利用其本身也是IC制造商的优势，通过灵活运用其IC工艺...

宣布，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生产线将立即扩大Nexperia的产...

MOSFET 的操作取决于电子的迁移率。已知对于相同的漏极电流，电子的迁移率比空穴的迁移率高几乎 2.5 倍。因此，为实现相同的导通电阻，P 沟道 MOSFET 的芯片尺寸会比 N 沟道 MOSFET 更大...

统性能提升至新的水平。在源极底置（SD）封装内部，MOSFET晶圆的源极触点被翻转、并朝向封装的足底一侧，然后焊接到PCB上。此外，该封装内部在芯片顶部还有一个改进的漏极铜夹片设计，实现了市场领先的芯片/封装...

代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。 ●   更低器件开关损耗 第二...

英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展;【2024年3月14日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC™...

采用三菱电机的第二代SiC芯片。这些芯片在新的6英寸SiC晶圆生产线上制造。如图1所示，第二代具有增强型平面MOSFET结构。特殊的JFET掺杂曲线可以改善特定的电阻Ron，sp，同时减小MOSFET...

出功率损耗更低的小型功率MOSFET。新产品采用融入了ROHM自有IC工艺的晶圆级芯片尺寸封装*2DSN1006-3（1.0mm×0.6mm），在实现小型化的同时还降低了功耗。与相同封装的普通产品相比，表示...

kit)提供经过验证的设计，用于评估MAX17600–MAX17605双通道、高速、低边MOSFET驱动器，可源出/吸入4A峰值电流。每个评估板提供四种独立设计，分别评估四种不同封装的芯片。评估板采用4V...

中汽创智首批自主研发SiC MOSFET正式下线;据“AUTOSEMO”消息，11月30日，中汽创智首批自主研发的1200V 20mΩ SiC MOSFET在积塔工厂正式下线。本款芯片...