最小100w氮化镓
Integrations 今日宣布推出900V氮化镓(GaN)器件,为InnoSwitch3™系列反激式开关IC再添新品。新IC采用该公司特有的PowiGaN™技术,可提供高达100W的功率,效率超过93
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Integrations 今日宣布推出900V氮化镓(GaN)器件,为InnoSwitch3™系列反激式开关IC再添新品。新IC采用该公司特有的PowiGaN™技术,可提供高达100W的功率,效率超过93...
本电脑的快速充电。另外的USB-C口支持100W输出,USB-A口支持60W快充,都具有很好的快充兼容性。 充电器延续了倍思120W氮化镓快充一样的接口配置和外观设计,可以说是性能加强版,以满...
Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC;新款PowiGaN InnoSwitch IC面向工业应用和400V系统汽车电源,输出功率可高达100W深耕...
于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations 推出900V氮化镓反激式开关IC,新款PowiGaN InnoSwitch IC面向工业应用和400V系统汽车电源,输出功率可高达100W...
达克股票代号:POWI)今日宣布推出900V氮化镓(GaN)器件,为InnoSwitch3™系列反激式开关IC再添新品。新IC采用该公司特有的PowiGaN™技术,可提供高达100W的功率,效率超过93%,因而...
满足汽车中的不同电压和功率等级,PI已先后推出包括750V、900V硅功率开关以及1700V碳化硅产品,而900V氮化镓的推出,更是将功率提升至100W。 900V氮化镓的优势 最新的氮化镓...
提供900V氮化镓(GaN)选项。 新器件采用PI的PowiGaN技术,可提供高达100W的功率,效率超过93%,并且无需散热片。 更大的功率和更高的设计裕量特别适用于在基于400V母线...
GaN Systems推出第四代氮化镓平台;全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform),不仅...
光也给出了自己对市场的观察总结:目前在100W的电源市场中,氮化镓已经获胜,而在更多高功率,甚至到了100kW的应用,也在开始尝试氮化镓产品。而现在,PI的野心不止是与硅抢夺市场,还正打算“碰瓷”碳化...
Transphorm推出参考设计组合,加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET,具有设计简单、可靠...
Transphorm推出参考设计组合,加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET,具有设计简单、可靠...
Transphorm推出参考设计组合,加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET,具有设计简单、可靠...
靠性的快充产品。 特别是作为氮化镓快充控制器国产化先驱,率先实现氮化镓控制芯片的自主可控,至今已成功量产多款集成GaN直驱的控制器,凭借成熟的高集成度GaN解决方案,已与多品牌达成深度合作,得到...
GaN Systems 推出第四代氮化镓平台 突破能源效率瓶颈 加速应用版图拓展;重点摘要• GaN Systems第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Platform) 帮助...
GaN Systems 推出第四代氮化镓平台 突破能源效率瓶颈 加速应用版图拓展;重点摘要 • GaN Systems第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Platform) 帮助...
大联大友尚集团推出基于onsemi和GaN System产品的PD快充电源方案;9月20日,大联大控股宣布,其旗下友尚推出基于安森美(onsemi)NCP1623和NCP1343产品以及氮化镓...
最新氮化镓(GaN)器件可提供高达100W功率,PI InnoSwitch芯片销量突破10亿颗;深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations日前宣布,突破...
ST VIPERGAN5065100系列高压氮化镓转换器,支持最高100W输出功率; VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半导体VIPerGaN系列...
二季度总收入增至1810万美元,比2022年第二季度的860万美元增长110%,比2023年第一季度的1340万美元增长35%。此外,纳微半导体累计已发货超过1亿颗氮化镓(GaN)和1200万颗碳化硅(SiC)功率...
在台北举办客户与合作伙伴新闻发布会,正式向全球发布GaNSafe™高性能宽禁带功率平台。纳微通过升级这一第四代氮化镓技术,以满足数据中心、太阳能/储能和电动汽车市场等要求苛刻的高功率应用场景需求,在这些目标应用中,效率、功率...
InnoSwitch3-AQ现已推出900V PowiGaN开关,可在电动汽车中提供高达100W的输出功率;符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC现在提供900V氮化镓...
-AQ器件可以从400V母线提供100W的输出功率,并且具备与800V电动汽车系统所用的广受欢迎的1700V碳化硅InnoSwitch3-AQ IC类似的性能和保护功能。 供货及相关资源 900V氮化镓...
GaN材料成本直降90%,“挤掉”SiC提上日程?;作为宽禁带半导体家族中的一员,氮化镓(GaN)功率器件近两年获得了比之前更高的关注度,正逐渐成为第三代半导体材料中最耀眼的一颗新星。 根据Yole...
日本大厂,布局汽车GaN器件,但高成本仍是障碍; 【导读】日本公司正着手大规模生产用于电动汽车的氮化镓(GaN)功率半导体器件,以增加电动汽车的行驶里程,但高...
GaN激光雷达普及加速 | 氮化镓技术如何推动ToF激光雷达产业的加速发展?;GaN激光雷达普及加速 | 氮化镓技术如何推动ToF激光雷达产业的加速发展? GaN激光雷达普及加速 氮化镓...
实现更小巧的便携电源适配器的设计。 从工程师角度来看,InnoSwitch4-Pro采用氮化镓PowiGaN技术、集成I2C接口的数字控制器,支持多种USB-PD协议。再配合MinE-CAP缩减...
全新MASTERGAN1,让GaN晶体管更具说服力和直观性;前不久意法半导体发布了全新MASTERGAN1产品,它同时集成了半桥驱动器和两个增强模式氮化镓(GaN)晶体管, 类似的竞争产品仅仅只包含单个氮化镓...
,这些都是移动和消费市场内流行的提供最快、最高效和最小的充电器和适配器的技术方法。 目标市场包括智能手机和笔记本电脑的快充充电器,估计每年有20亿美元的氮化镓市场机会,以及每年20亿美...
MHz的超高频率和低于2 ns的超短脉冲下,调制并实现高达10 A的激光驱动电流。开启和断开时间分别为410 ps和320 ps。 EPC21601集成了基于EPC专有的氮化镓IC技术的单芯片驱动器和氮化镓...
纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片,GaNSense新技术登场;氮化镓(GaN)功率芯片的行业领导者纳微半导体(Navitas Semiconductor)(纳斯...
纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片,GaNSense新技术登场;氮化镓(GaN)功率芯片的行业领导者纳微半导体(Navitas Semiconductor)(纳斯...
纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片,GaNSense新技术登场;氮化镓(GaN)功率芯片的行业领导者纳微半导体(Navitas Semiconductor)(纳斯...
纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片,GaNSense新技术登场;氮化镓(GaN)功率芯片的行业领导者纳微半导体(Navitas Semiconductor)(纳斯...
团队自主研发。 值得一提的是,DX6510D(650V氮化镓功率器件4x4mm)曾获得2021中国IC设计成就奖之年度最佳新材料器件奖。“DX6510D是一款全球最小650V/160mΩ氮化镓功率器件,采用了为氮化镓...
和系统级解决方案涉及英飞凌多个产品线。在PD充电领域,我们为客户提供全面的产品组合与支持,包括先进的电源控制器、一流的开关电源、性能出色的硅基MOSFET和氮化镓晶体管等等。” 充电解决方案仅是一个开端,未来该联合实验室还将借助英飞凌在氮化镓...
双方已经在充电领域展开了深度的合作,产品和系统级解决方案涉及英飞凌多个产品线。在PD充电领域,我们为客户提供全面的产品组合与支持,包括先进的电源控制器、一流的开关电源、性能出色的硅基MOSFET和氮化镓晶体管等等。” 充电...
实测案例:1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试;未来高压氮化镓器件在工业和能源应用市场将会有更大的发展空间氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表,具有极快的开关速度,能够...
实测案例:1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试;未来高压氮化镓器件在工业和能源应用市场将会有更大的发展空间 氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表,具有极快的开关速度,能够...
汽车DC/DC正式采用GaN!供应商是谁?;近期,氮化镓在终端应用市场持续发力,纬湃科技、FLYING WHALES等企业相继将氮化镓导入汽车DC/DC 转换器、商用飞机逆变器、光伏...
可谓是最佳之选。 PI新推出的设计范例DER-953Q是一款紧凑型100W电源,该电源采用集成了900 V PowiGaN氮化镓的InnoSwitch3-AQ器件设计而成。这款设计演示了一种在400V电动...
QPT正在彻底改变氮化镓电力电子技术;一套专利技术使氮化镓首次在20兆赫的频率下工作而不会出现过热或射频问题,为氮化镓开辟了广阔的新应用领域 QPT有限...
QPT正在彻底改变氮化镓电力电子技术;一套专利技术使氮化镓首次在20兆赫的频率下工作而不会出现过热或射频问题,为氮化镓开辟了广阔的新应用领域QPT有限公司是一家专注于提高电气效率的清洁技术公司,它是...
代替。 已经有部分客户在使用GaNSense™技术芯片,包括小米120W的氮化镓充电器,它是目前业界最小的120W的解决方案,里面集成了PFC+QR的系统框架,内部使用了两颗NV6134 GaNSense™...
插座还有独特的“小魔吸”吸盘底座,可固定在桌面避免位移。 另一款充电器产品,100W安全快充采用第三代GaN(氮化镓)半导体材料,减少了体积,更为高效节能;三口独立输出,智能识别设备,动态分配功率。采用...
TI推出250W氮化镓IPM,比IGBT更小巧更高效;随着快充市场的成功,如今的氮化镓(GaN)已经不满足于固守在单一领域,而是向MOSFET占据的其他广泛市场发起挑战,电机...
NVIDIA的GH200)功耗高达1,000W。集成氮化镓功率芯片有巨大的潜力和机会来满足所需功率、效率和功率密度的显著增加。纳微全新3.2kW基于GaN IC的服务器电源平台提供了业界领先的100W...
: TXN) 近日宣布推出两款新型高速氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)驱动器,进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合,可在激光雷达(LIDAR)以及5G射频(RF)包络...
封装本身具有高性能和高可靠性,增加了氮化镓平台本身的性能和可靠性。 借助于现代封装技术,Transphorm高功率Normally-off SuperGaN产品的寄生电感得以最小化。其采...
和系统级解决方案涉及英飞凌多个产品线。在PD充电领域,我们为客户提供全面的产品组合与支持,包括先进的电源控制器、一流的开关电源、性能出色的硅基MOSFET和氮化镓晶体管等等。” 充电解决方案仅是一个开端,未来该联合实验室还将借助英飞凌在氮化镓...
和系统级解决方案涉及英飞凌多个产品线。在PD充电领域,我们为客户提供全面的产品组合与支持,包括先进的电源控制器、一流的开关电源、性能出色的硅基MOSFET和氮化镓晶体管等等。”充电解决方案仅是一个开端,未来该联合实验室还将借助英飞凌在氮化镓...
相关企业
manufacturing in Taiwan. ; EPC设计,开发,市场,销售基于氮化镓的电源管理设备,采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换,利用优越的半导体材料,EPC是率先推出增强型氮化镓
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装,材料采用氮化镓(GaN),结构为电解出型,封装形式为直插型,型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号,形状有圆头,椭圆,草帽,钢盔,方形
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案,满足全球客户需求。我们是市场领导者,专门为移动设备,3G和4G蜂窝基站,WLAN
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始,在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓(GaAs
;璨圆光电深圳市场部;;璨圆光电股份有限公司是一家LED芯片专业生产厂家,提供以氮化镓(GaN)为材质的超高亮度蓝、绿、紫光等LED晶粒!目前产品波长范围可达385nm-560nm;可应
子体 (PDP)显示荧光粉、氮化镓基白光二级管光源材料,新型太阳能光源等新型环保节能产品的研发生产。
;深圳市希奇电子科技有限公司;;希奇电子科技有限公司是一家以台湾LED芯片为龙头,集LED芯片及成品销售、服务于一体的专业团队。提供以氮化镓(GaN)为材质的超高亮度蓝、绿、白、紫外光等LED晶粒
专注于研发和生产高质量的直流转直流、交流转直流电源模块,最小输出功率1W,最大输出功率22000W广泛为通信、电力、铁路、医疗等行业所采用。TRACO产品已广泛应用于邮电通讯、信息网络、铁道系统、交通控制、电力系统、医疗
兆龙; 【氮化镓】: 英诺赛科、GaN systems; 【单片机】: GA (格安电子)、HK (航顺芯片)、RENESAS 分销IR、ON、ST、NXP、INFINEON、CREE等半导体电子元器j件。
度四元晶粒(C系列)、金属基板倒装晶粒(MS)、氮化镓晶粒(AllnGaN)、覆晶晶粒(Flip chip); K*on:红外芯片(940nm)、高速红外芯片(850nm,875nm,880nm) 用过